晶片製造作為半導體產業的核心，是最關鍵、也是難度最高的環節。進入10nm製程後，全球三大半導體廠商台積電、英特爾和三星都選擇了繼續競爭。表面上看，英特爾的進展最慢，但其他兩家廠商的製程「含水量」也不小。三星的3nm製程密度已經接近英特爾的7nm製程。  
Digitimes 最近發布了一份研究報告，分析了三星、台積電、英特爾和 IBM 的半導體製程密度問題，比較了 10nm、7nm、5nm、3nm 和 2nm 的情況。  
   
在 10nm 製程節點上，三星的電晶體密度僅為 052 億/mm²，台積電為 053 億/mm²，而英特爾已達到 106 億/mm²，約為前者的兩倍。  
對於 7nm 節點，三星的製程密度為 095 億/mm²，台積電的製程密度為 097 億/mm²，而英特爾的 7nm 製程密度為 1.8 億/mm²，仍高出 80% 以上。  
在隨後的 5nm 製程節點上，三星實現了 127 億/mm² 的密度，台積電達到了 173 億/mm²，而英特爾的目標是 3 億/mm²。三星與其他兩家之間的差距越來越大。  
到 3nm 節點時，台積電的電晶體密度約為 2.9 億/mm²，三星的電晶體密度僅 1.7 億/mm²，而英特爾的目標是 5.2 億/mm²。  
關於2nm製程節點的資料並不多。 IBM聯合三星和其他公司公佈的2nm製程密度約為333億/平方毫米，而台積電的目標是4.9億/平方毫米。  
事實上，上述數據並不能百分之百反映各公司的技術水平，性能、功耗和成本方面的差異也必須考慮。然而，從摩爾定律的密度來看，英特爾在這方面基本上遵循了先前的規範。三星和台積電的製程推進注水技術早已不是什麼新鮮事。  
 

當然，三星在這方面可能有些誇張。 3nm製程的密度僅相當於英特爾的7nm水平，而英特爾的5nm製程又接近IBM的2nm水平。我不知道這究竟是英特爾過於坦誠，還是其他公司過於狡猾。

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