Como núcleo da indústria de semicondutores, a fabricação de chips é a mais crítica e complexa. Após a entrada no nó de 10 nm, três empresas globais, TSMC, Intel e Samsung, optaram por continuar a investir nessa tecnologia. À primeira vista, o progresso da Intel parece o mais lento, mas a vantagem competitiva das outras duas empresas não é pequena. A densidade de processo de 3 nm da Samsung é semelhante à de 7 nm da Intel.  
A Digitimes publicou recentemente um relatório de pesquisa analisando as questões de densidade do processo de fabricação de semicondutores da Samsung, TSMC, Intel e IBM, comparando as situações de 10nm, 7nm, 5nm, 3nm e 2nm.  
   
No nó de 10nm, a densidade de transistores da Samsung é de apenas 052 milhões/mm², a da TSMC é de 053 milhões/mm² e a da Intel atingiu 106 milhões/mm², o que é cerca do dobro.  
Para o nó de 7nm, a densidade de processo da Samsung é de 095 milhões/mm², a da TSMC é de 097 milhões/mm² e a da Intel, também de 7nm, é de 180 milhões/mm², o que ainda representa um aumento de mais de 80%.  
Na etapa subsequente de fabricação, em 5nm, a Samsung alcançou uma densidade de 127 milhões/mm², a TSMC atingiu 173 milhões/mm² e a meta da Intel era de 300 milhões/mm². A diferença entre a Samsung e as outras duas empresas aumentou consideravelmente.  
Com a tecnologia de 3nm, a densidade de transistores da TSMC é de cerca de 290 milhões/mm², a da Samsung é de apenas 170 milhões/mm² e a meta da Intel é de 520 milhões/mm².  
Não existem muitos dados disponíveis sobre o nó de 2 nm. A densidade de processo de 2 nm divulgada pela IBM em conjunto com a Samsung e outras empresas é de cerca de 333 milhões/mm², e a meta da TSMC é de 490 milhões/mm².  
Na verdade, os dados acima não refletem 100% o nível técnico de cada empresa, e as diferenças em desempenho, consumo de energia e custo também devem ser levadas em consideração. No entanto, a julgar pela densidade da Lei de Moore, a Intel basicamente segue as especificações anteriores nesse aspecto. A injeção de água no processo de fabricação da Samsung e da TSMC não é novidade.  
 

Claro, a Samsung pode estar exagerando um pouco nesse aspecto. A densidade dos nós de 3 nm só se compara à dos nós de 7 nm da Intel, e o processo de 5 nm da Intel se aproxima do nível de 2 nm da IBM. Não sei se isso significa que a Intel está sendo honesta demais ou que as outras empresas estão sendo espertas demais.

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