ASML宣布计划推出一种名为“Hyper-NA”的新型光刻工具，旨在突破高晶体管密度芯片设计的极限。据ASML前总裁Martin van den Brink透露，全球研究机构imec已证实Hyper-NA EUV技术尚处于早期研发阶段。英特尔已在其俄勒冈州半导体工厂安装了一套Hyper-NA系统。这项新技术将把数值孔径（NA）从0.33提升至0.55，目标是在2030年达到0.75。这项技术的进步将在未来十年内支持2纳米以下的制程节点。

Imec 的 Kurt Ronse 强调，超 NA EUV 是迈出的重要一步，目前正在进行的研究旨在将 NA 提高到 0.55 以上，目标是 0.85 NA。挑战包括光偏振，这会影响对比度和效率。ASML 仍然是高密度晶体管 EUV 工具的唯一制造商，为台积电、NVIDIA、Apple 和 AMD 等主要客户提供服务。

英特尔最近安装的 Hyper-NA 系统提高了分辨率和功能性，可能与台积电的 2 纳米工艺相匹配。三星、美光和 SK 海力士也在探索 Hyper-NA 技术。Hyper-NA 有望降低与双重图案化相关的成本和复杂性。纳米压印光刻等替代方案的吞吐量较低，多束电子束光刻面临挑战。

除了光刻技术，晶体管的进一步小型化也正在接近物理极限。需要具有更高电子迁移率的新材料来替代硅，这给沉积和蚀刻带来了挑战。尽管取得了这些进展，但硅仍将是基础，新材料将增强特定层。