ASML đã công bố kế hoạch cho một loại công cụ quang khắc mới có tên là "Hyper-NA", nhằm mục đích đẩy mạnh giới hạn của thiết kế chip mật độ bóng bán dẫn cao. Theo cựu chủ tịch ASML Martin van den Brink, tổ chức nghiên cứu toàn cầu Imec đã xác nhận rằng công nghệ EUV Hyper-NA đang trong giai đoạn phát triển ban đầu. Intel đã lắp đặt hệ thống Hyper-NA tại nhà máy bán dẫn Oregon của mình. Công nghệ mới này sẽ tăng khẩu độ số (NA) từ 0.33 lên 0.55, với mục tiêu đạt 0.75 NA vào năm 2030. Sự tiến bộ này sẽ hỗ trợ các nút xử lý vượt quá 2 nm trong thập kỷ tới.

Kurt Ronse của Imec nhấn mạnh rằng Hyper-NA EUV là một bước tiến quan trọng, với nghiên cứu đang được tiến hành hướng đến NA vượt quá 0.55, nhắm đến 0.85 NA. Những thách thức bao gồm phân cực ánh sáng, ảnh hưởng đến độ tương phản và hiệu suất. ASML vẫn là nhà sản xuất duy nhất các công cụ EUV cho bóng bán dẫn mật độ cao, phục vụ các khách hàng lớn như TSMC, NVIDIA, Apple và AMD.

Việc lắp đặt hệ thống Hyper-NA gần đây của Intel giúp tăng cường độ phân giải và chức năng, có khả năng phù hợp với quy trình 2 nm của TSMC. Samsung, Micron và SK Hynix cũng đang khám phá công nghệ Hyper-NA. Hyper-NA dự kiến ​​sẽ giảm chi phí và độ phức tạp liên quan đến việc tạo mẫu kép. Các phương án thay thế như quang khắc nano có thông lượng thấp hơn và quang khắc chùm electron đa tia phải đối mặt với nhiều thách thức.

Ngoài quang khắc, việc thu nhỏ hơn nữa các bóng bán dẫn đang tiến gần đến giới hạn vật lý. Cần có các vật liệu mới có độ di động electron cao hơn để thay thế silicon, đặt ra những thách thức về lắng đọng và khắc. Bất chấp những tiến bộ này, silicon vẫn sẽ là nền tảng, với các vật liệu mới tăng cường các lớp cụ thể.