ASML объявила о планах по созданию нового типа фотолитографического инструмента под названием «Hyper-NA», который призван расширить границы проектирования чипов с высокой плотностью транзисторов. По словам бывшего президента ASML Мартина ван ден Бринка, глобальная исследовательская организация Imec подтвердила, что технология Hyper-NA EUV находится на ранних стадиях разработки. Intel уже установила систему Hyper-NA на своем заводе по производству полупроводников в Орегоне. Новая технология увеличит числовую апертуру (NA) с 0.33 до 0.55 с целью достичь 0.75 NA к 2030 году. Это достижение будет поддерживать узлы процесса свыше 2 нм в течение следующего десятилетия.

Курт Ронсе из Imec подчеркнул, что Hyper-NA EUV — это значительный шаг вперед, и текущие исследования направлены на достижение NA свыше 0.55, ориентируясь на NA 0.85. Проблемы включают поляризацию света, которая влияет на контрастность и эффективность. ASML остается единственным производителем инструментов EUV для транзисторов высокой плотности, обслуживая таких крупных клиентов, как TSMC, NVIDIA, Apple и AMD.

Недавняя установка Intel систем Hyper-NA повышает разрешение и функциональность, потенциально соответствуя 2 нм процессу TSMC. Samsung, Micron и SK Hynix также изучают технологию Hyper-NA. Ожидается, что Hyper-NA снизит затраты и сложность, связанные с двойным шаблонированием. Альтернативы, такие как наноимпринтная литография, имеют более низкую пропускную способность, а многолучевая электронно-лучевая литография сталкивается с трудностями.

В дополнение к фотолитографии, дальнейшая миниатюризация транзисторов приближается к физическим пределам. Для замены кремния необходимы новые материалы с более высокой подвижностью электронов, что создает проблемы осаждения и травления. Несмотря на эти достижения, кремний останется фундаментальным, а новые материалы улучшат определенные слои.