أعلنت ASML عن خططها لنوع جديد من أدوات الطباعة الضوئية تسمى "Hyper-NA"، والتي تهدف إلى دفع حدود تصميم الرقائق ذات الكثافة العالية للترانزستور. ووفقًا لرئيس ASML السابق مارتن فان دن برينك، فقد أكدت منظمة الأبحاث العالمية Imec أن تقنية Hyper-NA EUV في مراحل التطوير المبكرة. وقد قامت Intel بالفعل بتثبيت نظام Hyper-NA في مصنع أشباه الموصلات الخاص بها في ولاية أوريجون. ستعمل التقنية الجديدة على زيادة الفتحة العددية (NA) من 0.33 إلى 0.55، بهدف الوصول إلى 0.75 NA بحلول عام 2030. سيدعم هذا التقدم عقد العمليات التي تتجاوز 2 نانومتر على مدى العقد المقبل.

أكد كورت رونس من Imec أن Hyper-NA EUV هي خطوة مهمة، حيث تهدف الأبحاث الجارية إلى تحقيق NA يتجاوز 0.55، مستهدفة 0.85 NA. تشمل التحديات استقطاب الضوء، مما يؤثر على التباين والكفاءة. تظل ASML الشركة المصنعة الوحيدة لأدوات EUV للترانزستورات عالية الكثافة، وتخدم عملاء رئيسيين مثل TSMC وNVIDIA وApple وAMD.

إن تركيب شركة Intel لأنظمة Hyper-NA مؤخرًا يعزز الدقة والوظائف، مما قد يطابق عملية 2 نانومتر لشركة TSMC. كما تستكشف Samsung وMicron وSK Hynix تقنية Hyper-NA. ومن المتوقع أن تعمل تقنية Hyper-NA على تقليل التكاليف والتعقيد المرتبط بالأنماط المزدوجة. تتمتع البدائل مثل الطباعة النانوية بإنتاجية أقل، وتواجه الطباعة الحجرية متعددة الحزم الإلكترونية تحديات.

بالإضافة إلى التصوير الضوئي، فإن تصغير الترانزستورات يقترب من الحدود الفيزيائية. وهناك حاجة إلى مواد جديدة ذات قدرة أعلى على نقل الإلكترونات لتحل محل السيليكون، مما يفرض تحديات في الترسيب والحفر. وعلى الرغم من هذه التطورات، سيظل السيليكون أساسيًا، مع وجود مواد جديدة تعمل على تعزيز طبقات معينة.