A ASML anunciou planos para um novo tipo de ferramenta de fotolitografia chamada "Hyper-NA", que visa ampliar os limites do design de chips com alta densidade de transistores. De acordo com o ex-presidente da ASML, Martin van den Brink, a organização global de pesquisa Imec confirmou que a tecnologia EUV Hyper-NA está em estágios iniciais de desenvolvimento. A Intel já instalou um sistema Hyper-NA em sua fábrica de semicondutores no Oregon. A nova tecnologia aumentará a abertura numérica (NA) de 0.33 para 0.55, com o objetivo de atingir 0.75 NA até 2030. Esse avanço dará suporte a nós de processo além de 2 nm na próxima década.

Kurt Ronse, da Imec, destacou que o Hyper-NA EUV é um passo significativo, com pesquisas em andamento visando NA além de 0.55, visando 0.85 NA. Os desafios incluem polarização de luz, que impacta o contraste e a eficiência. A ASML continua sendo a única fabricante de ferramentas EUV para transistores de alta densidade, atendendo a grandes clientes como TSMC, NVIDIA, Apple e AMD.

A instalação recente de sistemas Hyper-NA pela Intel melhora a resolução e a funcionalidade, potencialmente igualando o processo de 2 nm da TSMC. Samsung, Micron e SK Hynix também estão explorando a tecnologia Hyper-NA. Espera-se que o Hyper-NA reduza os custos e a complexidade associados à padronização dupla. Alternativas como a litografia de nanoimpressão têm menor rendimento, e a litografia de feixe de elétrons multifeixe enfrenta desafios.

Além da fotolitografia, a miniaturização adicional de transistores está se aproximando dos limites físicos. Novos materiais com maior mobilidade de elétrons são necessários para substituir o silício, apresentando desafios de deposição e corrosão. Apesar desses avanços, o silício continuará sendo fundamental, com novos materiais aprimorando camadas específicas.