ASML ने "हाइपर-एनए" नामक एक नए प्रकार के फोटोलिथोग्राफी उपकरण की योजना की घोषणा की है, जिसका उद्देश्य उच्च ट्रांजिस्टर घनत्व चिप डिजाइन की सीमाओं को आगे बढ़ाना है। ASML के पूर्व अध्यक्ष मार्टिन वैन डेन ब्रिंक के अनुसार, वैश्विक शोध संगठन इमेक ने पुष्टि की है कि हाइपर-एनए ईयूवी तकनीक प्रारंभिक विकास चरणों में है। इंटेल ने अपने ओरेगन सेमीकंडक्टर प्लांट में पहले ही हाइपर-एनए सिस्टम स्थापित कर लिया है। नई तकनीक संख्यात्मक एपर्चर (एनए) को 0.33 से 0.55 तक बढ़ाएगी, जिसका लक्ष्य 0.75 तक 2030 एनए तक पहुंचना है। यह उन्नति अगले दशक में 2 एनएम से आगे की प्रक्रिया नोड्स का समर्थन करेगी।

इमेक के कर्ट रोन्स ने इस बात पर प्रकाश डाला कि हाइपर-एनए ईयूवी एक महत्वपूर्ण कदम है, जिसमें 0.55 से आगे एनए के लिए चल रहे शोध का लक्ष्य 0.85 एनए है। चुनौतियों में प्रकाश ध्रुवीकरण शामिल है, जो कंट्रास्ट और दक्षता को प्रभावित करता है। ASML उच्च घनत्व वाले ट्रांजिस्टर के लिए EUV उपकरणों का एकमात्र निर्माता बना हुआ है, जो TSMC, NVIDIA, Apple और AMD जैसे प्रमुख ग्राहकों को सेवा प्रदान करता है।

इंटेल द्वारा हाल ही में हाइपर-एनए सिस्टम की स्थापना से रिज़ॉल्यूशन और कार्यक्षमता में वृद्धि हुई है, जो संभवतः TSMC की 2 एनएम प्रक्रिया से मेल खाती है। सैमसंग, माइक्रोन और एसके हाइनिक्स भी हाइपर-एनए तकनीक की खोज कर रहे हैं। हाइपर-एनए से डबल पैटर्निंग से जुड़ी लागत और जटिलता कम होने की उम्मीद है। नैनोइमप्रिंट लिथोग्राफी जैसे विकल्पों में कम थ्रूपुट होता है, और मल्टी-बीम इलेक्ट्रॉन बीम लिथोग्राफी को चुनौतियों का सामना करना पड़ता है।

फोटोलिथोग्राफी के अलावा, ट्रांजिस्टर का और भी छोटाकरण भौतिक सीमाओं के करीब पहुंच रहा है। सिलिकॉन की जगह लेने के लिए उच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता वाली नई सामग्रियों की आवश्यकता है, जो जमाव और नक्काशी की चुनौतियों का सामना करती हैं। इन प्रगति के बावजूद, सिलिकॉन मौलिक बना रहेगा, नई सामग्रियों से विशिष्ट परतों में वृद्धि होगी।