ASML 宣布計劃推出一種名為「Hyper-NA」的新型光刻工具，旨在突破高晶體管密度晶片設計的極限。根據ASML前總裁Martin van den Brink介紹，全球研究機構Imec已確認Hyper-NA EUV技術正處於早期開發階段。英特爾已經在其俄勒岡州半導體工廠安裝了 Hyper-NA 系統。新技術將數值孔徑 (NA) 從 0.33 提高到 0.55，目標是到 0.75 年達到 2030 NA。

Imec 的 Kurt Ronse 強調，Hyper-NA EUV 是重要的一步，正在進行的研究旨在使 NA 超過 0.55，目標是 0.85 NA。挑戰包括光偏振，它會影響對比度和效率。 ASML 仍然是高密度電晶體 EUV 工具的唯一製造商，為台積電、NVIDIA、Apple 和 AMD 等主要客戶提供服務。

英特爾最近安裝的 Hyper-NA 系統增強了解析度和功能，有可能與台積電的 2 奈米製程相符。三星、美光和 SK 海力士也在探索 Hyper-NA 技術。 Hyper-NA 有望降低與雙圖案相關的成本和複雜性。奈米壓印微影等替代方案的吞吐量較低，而多束電子束微影面臨挑戰。

除了光刻之外，晶體管的進一步小型化正在接近物理極限。需要具有更高電子遷移率的新材料來取代矽，這給沉積和蝕刻帶來了挑戰。儘管取得了這些進步，矽仍將是基礎材料，新材料將增強特定層的性能。