ASML a annoncé son intention de développer un nouveau type d'outil de photolithographie appelé « Hyper-NA », qui vise à repousser les limites de la conception de puces à haute densité de transistors. Selon l'ancien président d'ASML, Martin van den Brink, l'organisation de recherche mondiale Imec a confirmé que la technologie Hyper-NA EUV en est aux premiers stades de développement. Intel a déjà installé un système Hyper-NA dans son usine de semi-conducteurs de l'Oregon. La nouvelle technologie augmentera l'ouverture numérique (NA) de 0.33 à 0.55, avec pour objectif d'atteindre 0.75 NA d'ici 2030. Cette avancée permettra de prendre en charge les nœuds de processus au-delà de 2 nm au cours de la prochaine décennie.

Kurt Ronse, d'Imec, a souligné que l'hyper-NA EUV est une étape importante, avec des recherches en cours visant à atteindre une NA supérieure à 0.55, avec pour objectif une NA de 0.85. Les défis incluent la polarisation de la lumière, qui a un impact sur le contraste et l'efficacité. ASML reste le seul fabricant d'outils EUV pour les transistors haute densité, au service de clients majeurs comme TSMC, NVIDIA, Apple et AMD.

L'installation récente de systèmes Hyper-NA par Intel améliore la résolution et la fonctionnalité, ce qui pourrait correspondre au processus 2 nm de TSMC. Samsung, Micron et SK Hynix explorent également la technologie Hyper-NA. L'Hyper-NA devrait réduire les coûts et la complexité associés à la double structuration. Les alternatives comme la lithographie par nano-impression ont un débit inférieur et la lithographie par faisceaux d'électrons multifaisceaux est confrontée à des défis.

Outre la photolithographie, la miniaturisation des transistors se rapproche des limites physiques. De nouveaux matériaux à plus grande mobilité électronique sont nécessaires pour remplacer le silicium, ce qui pose des problèmes de dépôt et de gravure. Malgré ces avancées, le silicium restera fondamental, de nouveaux matériaux améliorant des couches spécifiques.