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6N135S 光耦 DIP8

6N135/6N136由高效能AlGaAs發光二極體和高速光學偵測器組成。這種設計在光耦合器的輸入側和輸出側之間提供了出色的交流和直流隔離。光電二極體偏壓的連接透過​​減少基極-集電極電容來提高了傳統光電電晶體耦合器的速度。

內部屏蔽可確保較高的共模瞬變抗擾度。保證共模瞬變抗擾度高達 1KV

我們的優勢 

中國的製造流程經過多年的迭代,形成了成熟可靠的技術。許多國際企業選擇在中國進行生產外包。作為中國電子元件製造商,我們的產品在99%的應用中可以完全取代國際主要品牌,無需測試驗證。我們的產品品質一致性高、價格合理、庫存充足、供貨靈活、交貨期短、售後服務專業。 

產品說明

6N135/6N136由高效能AlGaAs發光二極體和高速光學偵測器組成。這種設計在光耦合器的輸入側和輸出側之間提供了出色的交流和直流隔離。光電二極體偏壓的連接透過​​減少基極-集電極電容來提高了傳統光電電晶體耦合器的速度。 

內部屏蔽可確保較高的共模瞬變抗擾度。保證共模瞬變抗擾度高達 1KV


產品特性

●高速 – 典型值 1MBd

● 輸入與輸出之間高隔離電壓(Viso=5000 Vrms)

●工作溫度範圍-55°C至100°C

● 0°C 至 70°C 範圍內保證性能


應用領域


●線路接收器

●通訊設備

●輸出介面為CMOS-LSTTL-TTL

●寬頻寬模擬耦合

●更換脈衝變壓器




6N135S SMD-8_00.png


名稱
稱謂
產品說明
6N136 DIP-8.pdf
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規格書
支持

支持

 

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長壽

 

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