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碳化矽金氧半場效電晶體
碳化矽SiC元件的漂移層阻抗低於Si元件，採用MOSFET結構無需導電調製即可實現高耐壓與低阻抗。此外，MOSFET原理上不產生尾電流，因此在以SiC-MOSFET取代IGBT時，可顯著降低切換損耗，並實現散熱元件的小型化。再者，SiC-MOSFET的工作頻率遠高於IGBT，其電路中的電感電容元件尺寸更小，易於實現系統的小型化與輕量化。相較於同為600V至900V電壓等級的Si-MOSFET，SiC-MOSFET晶片面積較小，可採用更小的封裝，且本體二極體反向恢復損耗極低。目前，SiC MOSFET主要應用於高階工業電源、高階逆變器與轉換器、高階馬達驅動與控制等領域。
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR的產品線包括分立元件，如二極體、電晶體、功率元件；以及積體電路晶片，如線性穩壓器、DC/DC晶片、介面晶片、霍爾感測器、ADC和BMS……我們在專用半導體領域擁有多年累積的技術。
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