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碳化矽金氧半場效電晶體
碳化硅SiC元件的漂移层阻抗比Si元件低，且无需电导率调制即可利用MOSFET结构实现高耐压与低阻抗。此外，MOSFET原则上不会产生尾电流，因此以SiC-MOSFET替代IGBT时，可大幅降低开关损耗，并实现散热元件的小型化。同时，SiC-MOSFET的工作频率可远高于IGBT，其电路中的电感与电容元件更小，易于实现系统的小型化与轻量化。与相同600V～900V电压等级的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET芯片面积更小，可采用更小封装，且体二极管恢复损耗极小。目前，SiC MOSFET主要应用于高端工业电源、高端逆变器与变换器、高端电机驱动与控制等领域。
SL19N120A 高壓 MOSFET TO-247-3
Package：TO-247-3
VDSS(V)：1200V
ID@TC=25℃（A）：19A
RDSON(Ω)：160mΩ@20V,10A
PD（W）：134W
P/N：N -width
| TO-247-3 | 1200V | 19A | 160mΩ@20V,10A | 134W | N -width |
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR的產品線包括分離式元件等，例如二極體、電晶體、功率元件；以及積體電路晶片等，例如線性穩壓器、DC/DC晶片、介面晶片、霍爾感測器、ADC和BMS…我們在專用半導體領域擁有多年累積的技術。
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粤公网安备44030002007346号