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碳化矽元件
碳化矽SiC係由矽Si與碳C組成之化合物半導體材料，通常以4H-SiC晶型存在。其絕緣崩潰電場強度為Si之10倍，能隙為Si之3倍，熱導率為Si之3倍，飽和漂移速度為Si之2倍。相較於Si，其為極優越之功率電子元件材料。
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR的產品線包括分立元件，如二極體、電晶體、功率元件；以及積體電路晶片，如線性穩壓器、DC/DC晶片、介面晶片、霍爾感測器、ADC和BMS……我們在專用半導體領域擁有多年累積的技術。
粤公网安备44030002007346号
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