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碳化矽元件
碳化矽（SiC）是由矽（Si）與碳（C）組成的化合物半導體材料，通常採用4H-SiC晶型。其絕緣擊穿電場強度為Si的10倍，能隙為Si的3倍，熱導率為Si的3倍，飽和漂移速度為Si的2倍，是遠優於Si的功率電子元件材料。
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR的產品線包括分離式元件等，例如二極體、電晶體、功率元件；以及積體電路晶片等，例如線性穩壓器、DC/DC晶片、介面晶片、霍爾感測器、ADC和BMS…我們在專用半導體領域擁有多年累積的技術。
粤公网安备44030002007346号
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