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碳化矽蕭特基二極體 采用高频肖特基势垒二极管结构,SiC SBD可实现超过600V的高电压,而硅SBD的最大耐压仅为200V左右,且其导通压降远低于硅快恢复二极管。其关断恢复时间更短,因此关断损耗更低,从而降低了电磁干扰EMI。使用SiC SBD替代主流产品硅快恢复二极管FRD,可显著降低总损耗,提高电源效率,并通过高频工作实现电感、电容等无源元件的小型化,且电磁干扰EMI更低。碳化硅SBD可广泛应用于空调、电源、光伏发电系统中的逆变器、电动汽车的电机驱动系统及快速充电器。
SL12005B 碳化矽肖特基勢壘二極體 TO-220-2 VRRM(V):1200V IF(A):5A VF Typ(V):1.8V PD@TC=25℃(W):110W Package:TO-220-2
SL12010B 碳化矽肖特基二極體 TO-220-2 VRRM(V):1200V IF(A):10.5A VF Typ(V):1.8V PD@TC=25℃(W):153W Package:TO-220-2
SL12015B SiC 蕭特基勢壘整流器 TO-247-2 VRRM(V):1200V IF(A):15A VF Typ(V):1.8V PD@TC=25℃(W):220W Package:TO-247-2
SL12020B SiC 蕭特基整流器 TO-247-2 VRRM(V):1200V IF(A):22A VF Typ(V):1.8V PD@TC=25℃(W):272W Package:TO-247-2
SL12030B SiC 功率蕭特基二極體 TO-247-2 VRRM(V):1200V IF(A):30A VF Typ(V):1.8V PD@TC=25℃(W):288W Package:TO-247-2
SL12040B SiC 蕭特基二極體整流器 TO-247-2 VRRM(V):1200V IF(A):40A VF Typ(V):1.8V PD@TC=25℃(W):385W Package:TO-247-2
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