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碳化矽蕭特基二極體
採用高頻蕭特基勢壘二極體結構，SiC SBD可實現超過600V的高電壓，而矽基SBD的最大耐壓僅約200V，且其導通壓降遠低於矽基快恢復二極體。其關斷恢復時間更短，因此關斷損耗更低，進而降低電磁干擾EMI。以SiC SBD取代主流產品矽基快恢復二極體FRD，可顯著降低總損耗，提升電源效率，並透過高頻運作實現電感、電容等被動元件的小型化，且電磁干擾EMI更低。碳化矽SBD可廣泛應用於空調、電源、光伏發電系統中的逆變器、電動車馬達驅動系統及快速充電器。
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR的產品線包括分立元件，如二極體、電晶體、功率元件；以及積體電路晶片，如線性穩壓器、DC/DC晶片、介面晶片、霍爾感測器、ADC和BMS……我們在專用半導體領域擁有多年累積的技術。
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