Shenzhen und Suzhou liegen Tausende von Kilometern voneinander entfernt. Dennoch ist die von unserem Land etablierte „nationale Marke“ der Halbleitertechnologie …Das Nationale Innovationszentrum für Halbleitertechnologie der dritten Generation wählte diese beiden Städte aus.  
       
     01    Das Ministerium für Wissenschaft und Technologie hat es offiziell genehmigt und unterstützt es!                          
Die wichtigste Waffe des Landes ist die Grundlage der Selbstversorgung. Das „Nationale Innovationszentrum für Halbleitertechnologie der dritten Generation“ hat von Anfang an große Aufmerksamkeit auf sich gezogen.  
Im März dieses Jahres, im frühen Frühling, erneuert sich alles. Gute Nachrichten kommen aus Peking,Das Ministerium für Wissenschaft und Technologie hat die Unterstützung für die Provinzen Guangdong und Jiangsu beim Aufbau nationaler Innovationszentren für Halbleitertechnologie der dritten Generation offiziell genehmigt.  
  Das Innovationszentrum wird gemeinsam von der Stadtregierung Shenzhen und der Provinzregierung Jiangsu unterstützt und verfügt über eine Shenzhen-Plattform und eine Jiangsu-Plattform.  
Der Fokus liegt auf den wichtigsten Kerntechnologien und bedeutenden Anwendungsdurchbrüchen von Halbleitern der dritten Generation. Ziel ist es, die überlegenen Kräfte des Landes zu koordinieren, um die Rohstoffversorgung der Halbleiterindustrie der dritten Generation sicherzustellen und die Innovationsfähigkeit der Halbleiterindustrie der dritten Generation meines Landes insgesamt zu verbessern.  
  Im diesjährigen Arbeitsbericht der Stadtregierung von Shenzhen wurde klar dargelegt, dass der Aufbau wichtiger Innovationsplattformen wie des Nationalen Innovationszentrums für Halbleitertechnologie der dritten Generation beschleunigt werden soll.  
    (Quelle: Webseite des Suzhou Industrial Park Management Committee)
Am 19. April gab es gute Neuigkeiten aus Suzhou. Die Jiangsu-Plattform des Nationalen Innovationszentrums für Halbleitertechnologie der dritten Generation wurde offiziell im Industriepark Suzhou eröffnet, und das Jiangsu-Forschungsinstitut für Halbleiter der dritten Generation ist die Bau- und Umsetzungseinheit.  
Berichten zufolge hat die im Park angesiedelte Halbleiterindustrie der dritten Generation mehr als 40 vorgelagerte und nachgelagerte Schlüsselunternehmen hervorgebracht und damit eine vollständige Wertschöpfungskette der Halbleiterindustrie der dritten Generation gebildet.  
Dem vorläufigen Plan zufolge wird das Innovationszentrum Jiangsu bis 2025 mehr als fünf internationale Spitzenteams anwerben, über 70 große Forschungs- und Entwicklungsprojekte durchführen und systematische technologische Innovationskompetenzen im Bereich der Halbleiter der dritten Generation aufbauen. Bis 2030 soll eine weltweit führende, offene, internationale und umfassende Innovationsplattform für die Halbleiterindustrie der dritten Generation mit innovativen Systemen und Mechanismen etabliert werden.  
Es wird berichtet, dassDie Plattformen Shenzhen und Jiangsu des Nationalen Innovationszentrums für Halbleitertechnologie der dritten Generation werden gemeinsames Management und Governance, koordinierte Ziele und gegenseitige Offenheit umsetzen, um ein effektives Management- und Betriebsmodell zu schaffen, das von mehreren Standorten gemeinsam entwickelt wird.  
    (Quelle: Webseite des Suzhou Industrial Park Management Committee)
     02    Halbleiter der dritten Generation:   Ein neuer Motor für die Mikroelektronikindustrie                          
Halbleiter sind Materialien, deren elektrische Leitfähigkeit bei Raumtemperatur zwischen der von Leitern und Isolatoren liegt. Zur ersten Generation von Halbleitermaterialien zählen hauptsächlich Silizium- und Germanium-Halbleiter. Die zweite Generation umfasst vorwiegend Verbindungshalbleiter wie Galliumarsenid und Indiumantimonid.  
  Die dritte Generation von Halbleitern wird von der Branche als der „neue Motor“ der Mikroelektronikindustrie gefeiert.Es umfasst hauptsächlich Siliziumkarbid und Galliumnitrid, die sich derzeit in der Phase ausgereifter Anwendungen befinden.  
Im Vergleich zu Halbleitermaterialien der ersten und zweiten Generation weist es eine größere Bandlücke, eine höhere Durchbruchfeldstärke, eine höhere Wärmeleitfähigkeit und eine höhere Elektronensättigungsgeschwindigkeit auf. Es eignet sich daher besser für die Herstellung von Hochtemperatur-, Hochfrequenz-, strahlungsbeständigen und Hochleistungsbauelementen. Es bietet enormes Anwendungspotenzial und Marktchancen.  
       
  my country's third-generation semiconductor has been included in one of the seven major directions of the national new materials major project in 2030.Es befindet sich in einer kritischen Phase der Forschung und Entwicklung sowie der Industrialisierung.  
Dem Plan zufolge wird mein Land bis 2025 eine führende Position in der Welt bei der Halbleitertechnologie der dritten Generation anstreben und den ersten Platz in der industriellen Produktion weltweit erreichen; bis 2030 wird die gesamte industrielle Wertschöpfungskette ein international fortgeschrittenes Niveau erreichen und der Lokalisierungsgrad der Kernbauelemente wird 70 % übersteigen.  
Branchenexperten sagen:The construction of the National Third-Generation Semiconductor Technology Innovation Center will be an important milestone in the development of my country’s third-generation semiconductor industry.  
     03    Shenzhen ist bereit!                          
Die Informationstechnologie der neuen Generation und die Industrie der neuen Werkstoffe zählen zu den sieben strategischen Zukunftsbranchen in Shenzhen. Im 2019 von Shenzhen veröffentlichten „Aktionsplan zur weiteren Förderung der Entwicklung der Halbleiterindustrie (2019–2023)“ wurde vorgeschlagen, die Entwicklung von Halbleitern der dritten Generation zu beschleunigen.  
Derzeit verfügt Shenzhen über wichtige Plattformen wie das Key Laboratory of Third Generation Semiconductor Devices, das Shenzhen Third Generation Semiconductor Research Institute und das Third Generation Semiconductor Materials and Devices R&D Center of Tsinghua University (Shenzhen) Research Institute.  
März 2018,Das Shenzhen Third Generation Semiconductor Research Institute wurde offiziell gegründet.Das Institut wurde gemeinsam von der Southern University of Science and Technology und der Third Generation Semiconductor Industry Technology Innovation Strategic Alliance gegründet.  
Das Institut konzentriert sich auf die Bereiche Kernmaterialien, Bauelemente, Gehäuse und Module und legt dabei den Fokus auf die zukunftsweisenden und industriell relevanten Schlüsseltechnologien der Halbleiter der dritten Generation.Streben Sie danach, ein nationales Innovationszentrum für Halbleitertechnologie der dritten Generation zu werden.  
    (Das Shenzhen Third Generation Semiconductor Research Institute befindet sich im Taizhou-Gebäude der Southern University of Science and Technology.)
Januar 2020,Das Guangdong Provincial Third Generation Semiconductor Technology Innovation Center wurde in Shenzhen eröffnet.Das Innovationszentrum ist ein provinzielles Technologie-Innovationszentrum, das auf dem Shenzhen Third Generation Semiconductor Research Institute basiert und vom Guangdong Provincial Department of Science and Technology genehmigt wurde.  
Shenzhen entwickelt sich derzeit auch energisch zu einem Zentrum für technologische und industrielle Innovation. Bis 2025 soll das gesamte Wirtschaftsvolumen 4 Billionen Yuan übersteigen und die Wertschöpfung strategischer Zukunftsbranchen 1.5 Billionen Yuan übersteigen, was fast 40 % des gesamten BIP entspricht.  
Die Beschleunigung des Aufbaus von Innovationsplattformen mit nationalem Renommee, wie beispielsweise dem Nationalen Innovationszentrum für Halbleitertechnologie der dritten Generation, ist eine der Hauptaufgaben der Stadtverwaltung in diesem Jahr. GleichzeitigShenzhen is also accelerating the layout of the third-generation semiconductor industry.  
Ende Mai wurde der „Shenzhen Major Project Plan for 2021“ offiziell veröffentlicht, der unter anderem eine Reihe von Projekten der Halbleiterindustrie umfasst, wie beispielsweise das IDM-Projekt für einen Halbleiterindustriecluster der dritten Generation und die Halbleiterindustriebasis der dritten Generation „Bronze Sword“.  
       
Die dritte Generation von Halbleitern befindet sich in einer Phase explosionsartigen Wachstums. Die Vereinigten Staaten, Japan, Europa und andere messen ihr große Bedeutung bei und entwickeln nationale Strategien, um die strategische Führungsrolle zu erlangen.  
Shenzhen has outstanding advantages in the new generation information technology industry and has become the consumption, distribution and design center of domestic semiconductor products. It has excellent companies related to third-generation semiconductor R&D such as HiSilicon, ZTE, and Bronze Sword, and has a good industrial foundation.  
Shenzhen rüstet sich!  
     

Fazit

Shenzhen ist Chinas Zentrum für technologische Innovation an der Küste des Südchinesischen Meeres. Hier sind über 18,600 nationale Hightech-Unternehmen ansässig, deren Wirtschaftsvolumen ein Sechstel des nationalen Elektronik- und Informationssektors ausmacht und 2.77 Billionen Yuan beträgt.

Suzhou, eine der zentralen Städte im Jangtse-Delta, ist als „stärkste Stadt auf Präfekturebene“ bekannt. Unterstützt von Shanghai, hat Jiangsu den Titel „Zehnter Meister in Folge“ in Bezug auf wissenschaftliche und technologische Innovationskraft gewonnen und wird im Jahr 2020 in die Liste der „2-Billionen-Yuan-Städte“ aufgenommen.

Sie sind die „Doppelstürmer“, die vom Land ausgewählt wurden, um den Durchbruch in der Halbleitertechnologie der dritten Generation zu schaffen.Diese Zusammenarbeit zwischen dem Perlflussdelta und dem Jangtse-Delta wird nicht nur zu gemeinsamer Innovation führen und neue Beiträge zur Halbleitertechnologie der dritten Generation meines Landes leisten, sondern auch einen neuen Weg für ein neues nationales System technologischer Innovation eröffnen.

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