Unsere Vorteile
- Direkt vom Hersteller mit gleichbleibender Chargenqualität und wettbewerbsfähigen Preisen
- Strenge Qualitätskontrolle und zuverlässige elektrische Leistung über einen weiten Temperaturbereich
- Kompaktes SOT-23-Gehäuse für hochdichte SMT-Bestückung
- Große Auswahl an hFE-Klassifizierungen für flexible Schaltungsdesigns
- RoHS-konform, geeignet für Massenkonsumenten und industrielle Anwendungen
Beschreibung
Der SS30101-Q ist ein NPN-Epitaxial-Silizium-Bipolartransistor (BJT) im oberflächenmontierbaren SOT-23-Gehäuse. Er zeichnet sich durch hohe Strombelastbarkeit, niedrige Sättigungsspannung und einen großen sicheren Arbeitsbereich aus und ist für Schalt- und Verstärkerschaltungen mittlerer Leistung optimiert. Mit einem kontinuierlichen Kollektorstrom von bis zu 2 A und einer V<sub>CEO</sub> von 40 V bietet er einen stabilen Betrieb im Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C. Kennzeichnung: KEY. Pinbelegung: 1 – Basis, 2 – Emitter, 3 – Kollektor.
Funktionen
- NPN-Siliziumtransistor, komplementäres Paar verfügbar
- SOT-23 Oberflächenmontagegehäuse
- Hohe Gleichstromverstärkung: hFE = 120–350 (gestuftes P/Q)
- Hohe Übergangsfrequenz: fT = 100 MHz typisch
- Niedrige VCE(sat)- und VBE(sat)-Werte für hohe Effizienz
- VCBO = 50 V, VCEO = 40 V, VEBO = 6 V
- Dauerstrom IC = 2 A, PC = 300 mW
- Lagertemperatur: ‐55°C bis +150°C
Anwendungen
- DC-DC-Wandler und Energiemanagement
- Tragbare Elektronik und batteriebetriebene Geräte
- Unterhaltungselektronik und Signalverstärkung
- LED-Treiber und Niederspannungs-Motorsteuerung
- Industrielle Steuerungs- und Automobilschaltungen
- Hochgeschwindigkeits-Schaltmodule