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MMDT4401 NPN-Bipolartransistor SOT-363
Der MMDT4401 ist ein dualer NPN-Kleinsignal-SMD-Transistor im SOT-363-Gehäuse mit epitaxialer Planar-Chip-Konstruktion. Er ist für die energiesparende Signalverstärkung und schnelle Schaltvorgänge in kompakten elektronischen Geräten konzipiert. Mit einem maximalen Kollektorstrom von 600 mA, einer V<sub>EO</sub> von 40 V und einer hohen Grenzfrequenz (fT) bis zu 250 MHz bietet er zuverlässige Leistung in platzsparenden Anwendungen.
Unsere Vorteile
- Zwei NPN-Transistoren in einem kompakten Gehäuse sparen Platz auf der Leiterplatte und Kosten für die Stückliste.
- Ultrakleines SOT-363-Oberflächenmontagegehäuse für hochdichte Schaltungsdesigns
- Epitaxiales Planarverfahren für stabile und konsistente elektrische Leistung
- Breiter Gleichstromverstärkungsbereich für flexibles Schalten und Verstärken
- Hohe Übergangsfrequenz bis zu 250 MHz für Hochgeschwindigkeitssignalanwendungen
- Breiter Betriebstemperaturbereich für Industrie- und Unterhaltungselektronik
- RoHS-konforme Gurtverpackung für die automatische SMT-Bestückung
Beschreibung
MMDT4401 ist ein Dual-NPN-Kleinsignal-Oberflächenmontagetransistor Das Modul ist im SOT-363-Gehäuse untergebracht und nutzt eine epitaktische Planar-Die-Konstruktion. Es ist für die energiesparende Signalverstärkung und das schnelle Schalten in kompakten elektronischen Geräten konzipiert. Mit einem maximalen Kollektorstrom von 600 mA, einer VCEO von 40 V und einer hohen Grenzfrequenz (fT) von bis zu 250 MHz bietet es zuverlässige Leistung in platzsparenden Anwendungen.
Funktionen
- Dualer NPN-Kleinsignaltransistor
- Epitaktische Planarchipkonstruktion
- Ultrakleines SOT-363-Oberflächenmontagegehäuse
- Hohe Übergangsfrequenz: fT = 250 MHz (typisch)
- Geringe Verlustleistung: PD = 200 mW
- VCBO = 60 V, VCEO = 40 V, VEBO = 6 V
- Kontinuierlicher Kollektorstrom: IC = 600 mA
- Breiter Temperaturbereich: −55℃ bis +150℃
- Ideal für die Verstärkung und Schaltung mit geringer Leistung.
Anwendungen
- Tragbare Unterhaltungselektronik
- Mobile Kommunikationsgeräte
- Signalverstärkungs- und Schaltschaltungen
- Hochdichte Leiterplattenmodule
- LED-Treiber- und Anzeigeschaltungen
- Industrielle Steuerungs- und Sensorschnittstellen
- Batteriebetriebene Geräte
Name
Titel
Beschreibung
Datenblatt
Support
SS30101-Q PNP-Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 40V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 250MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 600mA
2SD2098-R NPN-Bipolartransistor SOT-89
Marke: slkor， VCEO(V)： 40V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 250MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 600mA
2SC4373-Y PNP-Bipolartransistor SOT-89
Marke: slkor， VCEO(V)： 40V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 250MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 600mA
2SC2757 T33 NPN Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 40V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 250MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 600mA
MMBT589 PNP-Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 40V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 250MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 600mA
2SC2881-Y PNP-Bipolartransistor SOT-89
VCEO(V)： 40V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 250MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 600mA
MMDT5551 NPN-Bipolartransistor SOT-363
Marke: slkor， VCEO(V)： 40V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 250MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 600mA
M28S NPN-Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 40V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 250MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 600mA
MMBT2222AT NPN-Bipolartransistor SOT-523
Marke: slkor， VCEO(V)： 40V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 250MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 600mA
MMBT2907AT PNP-Bipolartransistor SOT-523
Marke: slkor， VCEO(V)： 40V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 250MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 600mA
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Die Produktlinien von SLKOR umfassen diskrete Bauelemente, wie Dioden, Transistoren, Leistungsbauelemente; und integrierte Schaltkreischips, wie Linearregler, DC/DC-Chips, Schnittstellenchips, Hall-Sensoren, ADCs und BMS... Wir verfügen über jahrelang angesammelte Technologie im Bereich dedizierter Halbleiter.
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