Nuestras ventajas
- Ganancia de corriente continua ultra alta para un control de alta sensibilidad y un bajo consumo de energía.
- Encapsulado compacto SOT-23 para el montaje de placas de circuito impreso de alta densidad.
- Múltiples opciones de bin hFE para una coincidencia precisa del circuito.
- Complementario al 2SB624 para diseños de circuitos push-pull.
- Bajo voltaje de saturación para una alta eficiencia y bajas pérdidas de potencia.
- Amplio rango de temperatura de funcionamiento para aplicaciones industriales y de consumo.
- Embalaje en cinta y carrete para producción SMT automatizada
Mareas Ideales para Lecciones
El 2SD596-DV4 es un transistor de silicio NPN en encapsulado de montaje superficial SOT-23. Presenta las siguientes características: alta ganancia de corriente continua Está optimizado para aplicaciones de amplificación y conmutación. Este grado DV4 proporciona un hFE de 200 a 320, ofreciendo un rendimiento de excitación estable y sensible. Es complementario al 2SB624 y se utiliza ampliamente en circuitos de audio, controladores y electrónica en general.
CARACTERÍSTICAS
- transistor de silicio NPN
- encapsulado de montaje superficial SOT-23
- Alta ganancia de corriente continua
- Rango de hFE de DV4: 200–320
- Complementario al 2SB624
- VCBO = 30V, VCEO = 25V, VEBO = 5V
- Corriente continua del colector: IC = 700 mA
- Disipación de potencia: PC = 200 mW
- Frecuencia de transición: fT = 170 MHz (típ.)
- Voltaje de saturación bajo VCE(sat) ≤ 0.6 V
- Temperatura de unión/almacenamiento: −55℃ a +150℃
Aplicaciones
- Amplificación de señal de audio
- Circuitos de conmutación de uso general
- Módulos controladores e indicadores LED
- Electrónica de consumo portátil
- Control de sensores e interfaces
- Circuitos controladores de potencia media
- Electrodomésticos y control industrial