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2SD596-DV4 NPN-Bipolartransistor SOT-23
Der 2SD596-DV4 ist ein NPN-Siliziumtransistor im SOT-23-Gehäuse für die Oberflächenmontage. Er zeichnet sich durch eine hohe Gleichstromverstärkung aus und ist für Verstärkungs- und Schaltanwendungen optimiert. Die DV4-Variante bietet einen hFE-Wert von 200 bis 320 und ermöglicht so ein stabiles und sensibles Ansteuerverhalten. Er ist komplementär zum 2SB624 und findet breite Anwendung in Audio-, Treiber- und allgemeinen Elektronikschaltungen.
Unsere Vorteile
- Extrem hohe Gleichstromverstärkung für hochempfindliche Ansteuerung und geringe Ansteuerleistung
- Kompaktes SOT-23-Gehäuse für die hochdichte Leiterplattenbestückung
- Mehrere hFE-Bin-Optionen für präzise Schaltungsanpassung
- Ergänzend zu 2SB624 für Gegentakt-Schaltungsdesigns
- Niedrige Sättigungsspannung für hohen Wirkungsgrad und geringe Verlustleistung
- Breiter Betriebstemperaturbereich für industrielle und Verbraucheranwendungen
- Gurtverpackung für die automatisierte SMT-Produktion
Beschreibung
Der 2SD596-DV4 ist ein NPN-Siliziumtransistor im SOT-23-Oberflächenmontagegehäuse. Er zeichnet sich durch folgende Merkmale aus: hohe Gleichstromverstärkung Es ist für Verstärkungs- und Schaltanwendungen optimiert. Diese DV4-Variante bietet einen hFE-Wert von 200 bis 320 und ermöglicht so eine stabile und präzise Treiberleistung. Sie ist komplementär zum 2SB624 und findet breite Anwendung in Audio-, Treiber- und allgemeinen Elektronikschaltungen.
Funktionen
- NPN-Siliziumtransistor
- SOT-23 Oberflächenmontagegehäuse
- Hohe Gleichstromverstärkung
- DV4 hFE-Bereich: 200–320
- Ergänzung zu 2SB624
- VCBO = 30 V, VCEO = 25 V, VEBO = 5 V
- Kontinuierlicher Kollektorstrom: IC = 700 mA
- Verlustleistung: PC = 200 mW
- Übergangsfrequenz: fT = 170 MHz (typ.)
- Niedrige Sättigungsspannung VCE(sat) ≤ 0.6 V
- Sperrschicht-/Lagertemperatur: −55℃ bis +150℃
Anwendungen
- Audiosignalverstärkung
- Universelle Schaltkreise
- LED-Treiber- und Anzeigemodule
- Tragbare Unterhaltungselektronik
- Sensor- und Schnittstellensteuerung
- Treiberschaltungen mittlerer Leistung
- Haushaltsgeräte und industrielle Steuerung
Name
Titel
Beschreibung
Datenblatt
Support
SS30101-Q PNP-Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 25V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 600mV fT(MHz)(fT(MHz))： 170MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 700mA
2SD2098-R NPN-Bipolartransistor SOT-89
Marke: slkor， VCEO(V)： 25V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 600mV fT(MHz)(fT(MHz))： 170MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 700mA
MMDT4401 NPN-Bipolartransistor SOT-363
Marke: slkor， VCEO(V)： 25V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 600mV fT(MHz)(fT(MHz))： 170MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 700mA
2SC4373-Y PNP-Bipolartransistor SOT-89
Marke: slkor， VCEO(V)： 25V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 600mV fT(MHz)(fT(MHz))： 170MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 700mA
2SC2757 T33 NPN Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 25V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 600mV fT(MHz)(fT(MHz))： 170MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 700mA
MMBT589 PNP-Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 25V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 600mV fT(MHz)(fT(MHz))： 170MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 700mA
2SC2881-Y PNP-Bipolartransistor SOT-89
VCEO(V)： 25V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 600mV fT(MHz)(fT(MHz))： 170MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 700mA
MMDT5551 NPN-Bipolartransistor SOT-363
Marke: slkor， VCEO(V)： 25V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 600mV fT(MHz)(fT(MHz))： 170MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 700mA
M28S NPN-Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 25V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 600mV fT(MHz)(fT(MHz))： 170MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 700mA
MMBT2222AT NPN-Bipolartransistor SOT-523
Marke: slkor， VCEO(V)： 25V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 600mV fT(MHz)(fT(MHz))： 170MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 700mA
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Die Produktlinien von SLKOR umfassen diskrete Bauelemente, wie Dioden, Transistoren, Leistungsbauelemente; und integrierte Schaltkreischips, wie Linearregler, DC/DC-Chips, Schnittstellenchips, Hall-Sensoren, ADCs und BMS... Wir verfügen über jahrelang angesammelte Technologie im Bereich dedizierter Halbleiter.
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