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Transistor bipolar NPN 2SD2150-R SOT-89
El 2SD2150-R es un transistor de silicio NPN de alta corriente en encapsulado SOT-89 de montaje superficial. Ofrece excelentes características de ganancia de corriente y baja tensión de saturación, optimizado para conmutación de alta corriente, control de potencia y amplificación. La versión R proporciona un hFE de 180 a 390 para un rendimiento estable y fiable.
Nuestras ventajas
- Alta corriente continua de colector de hasta 3 A para accionamiento de carga pesada.
- Excelente ganancia de corriente continua para un control de alta sensibilidad.
- El voltaje de saturación ultrabaja reduce la pérdida de potencia y el calor.
- Encapsulado SOT-89 con buen rendimiento térmico
- Complementario al 2SB1412 para el diseño de circuitos push-pull.
- Rendimiento eléctrico estable en un amplio rango de temperaturas.
- Embalaje en cinta y carrete para el montaje SMT automatizado
Mareas Ideales para Lecciones
El 2SD2150-R es un transistor de silicio NPN de alta corriente en encapsulado SOT-89 de montaje superficial. Ofrece excelentes características de ganancia de corriente y baja tensión de saturación, optimizado para conmutación de alta corriente, control de potencia y amplificación. La versión R proporciona un hFE de 180 a 390 para un rendimiento estable y fiable.
CARACTERÍSTICAS
- Transistor NPN de alta corriente
- encapsulado de montaje superficial SOT-89
- Excelentes características de ganancia de corriente continua
- Bajo voltaje de saturación colector-emisor
- Complementario al 2SB1412
- Grado hFE R: 180–390
- VCBO = 40V, VCEO = 20V, VEBO = 6V
- Corriente continua del colector: IC = 3A
- Disipación de potencia: PC = 500 mW
- Frecuencia de transición: fT = 290 MHz (típ.)
- Temperatura de unión/almacenamiento: −55℃ a +150℃
Aplicaciones
- Circuitos controladores de alta corriente
- Sistemas de control y accionamiento de motores
- Convertidores CC-CC y gestión de energía
- etapas de amplificación de potencia de audio
- Módulos controladores de iluminación LED
- Equipos de control industrial
- Circuitos de conmutación de potencia media
- Dispositivos de alimentación alimentados por baterías
Nombre
Título
Descripción
Soporte
Transistor bipolar PNP SS30101-Q SOT-23
Marca: slkor， VCEO(V)： 20V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 290MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 3A
Transistor bipolar NPN 2SD2098-R SOT-89
Marca: slkor， VCEO(V)： 20V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 290MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 3A
Transistor bipolar NPN MMDT4401 SOT-363
Marca: slkor， VCEO(V)： 20V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 290MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 3A
Transistor bipolar PNP 2SC4373-Y SOT-89
Marca: slkor， VCEO(V)： 20V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 290MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 3A
Transistor bipolar NPN 2SC2757 T33 SOT-23
Marca: slkor， VCEO(V)： 20V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 290MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 3A
Transistor bipolar SOT-589 MMBT23 PNP
Marca: slkor， VCEO(V)： 20V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 290MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 3A
Transistor bipolar PNP 2SC2881-Y SOT-89
VCEO(V)： 20V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 290MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 3A
Transistor bipolar MMDT5551 NPN SOT-363
Marca: slkor， VCEO(V)： 20V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 290MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 3A
Transistor bipolar NPN M28S SOT-23
Marca: slkor， VCEO(V)： 20V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 290MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 3A
Transistor bipolar NPN MMBT2222AT SOT-523
Marca: slkor， VCEO(V)： 20V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 290MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 3A
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Las líneas de productos de SLKOR incluyen dispositivos discretos, etc., diodos, transistores, dispositivos de potencia; y chips de circuitos integrados, etc., reguladores lineales, chips DC/DC, chips de interfaz, sensores Hall, ADC y BMS... Tenemos años de tecnología acumulada en semiconductores dedicados.
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