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2SD2150-R NPN-Bipolartransistor SOT-89
Der 2SD2150-R ist ein NPN-Hochstrom-Siliziumtransistor im SOT-89-Gehäuse für die Oberflächenmontage. Er zeichnet sich durch hervorragende Stromverstärkung und niedrige Sättigungsspannung aus und ist optimiert für Hochstromschaltungen, Leistungsansteuerung und Verstärkung. Die R-Variante bietet einen hFE-Wert von 180 bis 390 für einen stabilen und zuverlässigen Betrieb.
Unsere Vorteile
- Hoher Dauerkollektorstrom bis zu 3 A für den Betrieb unter hoher Last
- Hervorragende Gleichstromverstärkung für hochempfindliche Steuerung
- Extrem niedrige Sättigungsspannung reduziert Leistungsverluste und Wärmeentwicklung.
- SOT-89-Gehäuse mit guter thermischer Leistung
- Ergänzend zu 2SB1412 für Push-Pull-Schaltungsdesign
- Stabile elektrische Leistung über einen weiten Temperaturbereich
- Gurtverpackung für die automatisierte SMT-Bestückung
Beschreibung
Der 2SD2150-R ist ein NPN-Hochstrom-Siliziumtransistor im SOT-89-Gehäuse für die Oberflächenmontage. Er zeichnet sich durch hervorragende Stromverstärkung und niedrige Sättigungsspannung aus und ist optimiert für Hochstromschaltungen, Leistungsansteuerung und Verstärkung. Die R-Variante bietet einen hFE-Wert von 180 bis 390 für einen stabilen und zuverlässigen Betrieb.
Funktionen
- NPN-Hochstromtransistor
- SOT-89 Oberflächenmontagegehäuse
- Ausgezeichnete Gleichstromverstärkungseigenschaften
- Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
- Ergänzung zu 2SB1412
- hFE-Klasse R: 180–390
- VCBO = 40 V, VCEO = 20 V, VEBO = 6 V
- Kontinuierlicher Kollektorstrom: IC = 3 A
- Verlustleistung: PC = 500 mW
- Übergangsfrequenz: fT = 290 MHz (typ.)
- Sperrschicht-/Lagertemperatur: −55℃ bis +150℃
Anwendungen
- Hochstromtreiberschaltungen
- Motorsteuerungs- und Antriebssysteme
- DC-DC-Wandler und Energiemanagement
- Audio-Leistungsverstärkerstufen
- LED-Beleuchtungstreibermodule
- Industrielle Steuerungsausrüstung
- Mittelleistungs-Schaltkreise
- Batteriebetriebene Stromversorgungsgeräte
Name
Titel
Beschreibung
Support
SS30101-Q PNP-Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 20V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 290MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 3A
2SD2098-R NPN-Bipolartransistor SOT-89
Marke: slkor， VCEO(V)： 20V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 290MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 3A
MMDT4401 NPN-Bipolartransistor SOT-363
Marke: slkor， VCEO(V)： 20V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 290MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 3A
2SC4373-Y PNP-Bipolartransistor SOT-89
Marke: slkor， VCEO(V)： 20V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 290MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 3A
2SC2757 T33 NPN Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 20V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 290MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 3A
MMBT589 PNP-Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 20V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 290MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 3A
2SC2881-Y PNP-Bipolartransistor SOT-89
VCEO(V)： 20V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 290MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 3A
MMDT5551 NPN-Bipolartransistor SOT-363
Marke: slkor， VCEO(V)： 20V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 290MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 3A
M28S NPN-Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 20V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 290MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 3A
MMBT2222AT NPN-Bipolartransistor SOT-523
Marke: slkor， VCEO(V)： 20V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 290MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 3A
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Die Produktlinien von SLKOR umfassen diskrete Bauelemente, wie Dioden, Transistoren, Leistungsbauelemente; und integrierte Schaltkreischips, wie Linearregler, DC/DC-Chips, Schnittstellenchips, Hall-Sensoren, ADCs und BMS... Wir verfügen über jahrelang angesammelte Technologie im Bereich dedizierter Halbleiter.
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