L'application Tianyancha montre que Dongguan Tianyu Semiconductor Technology Co., Ltd. a récemment connu des changements industriels et commerciaux, avec l'ajout de nouveaux actionnaires tels que l'institution d'investissement affiliée à Huawei, Shenzhen Hubble Technology Investment Partnership (Limited Partnership) ; le capital social est passé d'environ 90.27 millions à environ 97.7 millions, soit une augmentation de plus de 8 %.

D'après les informations disponibles sur le site web officiel de Tianyu, Tianyu (TYSiC) a été fondée en 2009. Il s'agit de la première entreprise privée chinoise spécialisée dans la commercialisation, la recherche et le développement ainsi que la fabrication de plaquettes épitaxiales en carbure de silicium (SiC). En 2010, Tianyu s'est associée à l'Institut des semi-conducteurs de l'Académie chinoise des sciences pour créer conjointement l'Institut de recherche sur le carbure de silicium, qui réunit les meilleurs experts du domaine. Tianyu est la première entreprise de la chaîne d'approvisionnement chinoise en matériaux semi-conducteurs à base de carbure de silicium à avoir obtenu la certification de qualité automobile (IATF 16949). Tianyu possède actuellement le plus grand nombre de fours épitaxiaux CVD en carbure de silicium en Chine, avec une capacité de production mensuelle de 5 000 unités. Grâce à ses capacités épitaxiales de pointe et à ses équipements de test et de caractérisation ultra-performants, Tianyu fournit à ses clients du monde entier des matériaux épitaxiaux dopés de type n et de type p, et fabrique des diodes Schottky, des JFET, des BJT, des MOSFET, des GTO et des IGBT, etc.

Auparavant, Huawei Hubble avait investi dans Tianke Heda, une entreprise spécialisée dans le carbure de silicium. Tianke Heda est le quatrième fabricant mondial de plaquettes de carbure de silicium et le premier en Chine. L'entreprise a désormais atteint sa capacité de production en série de plaquettes de 6 pouces. La Bourse de Shanghai a récemment accepté la demande d'introduction en bourse de Beijing Tianke Heda.

Le carbure de silicium (SiC), matériau semi-conducteur de troisième génération, est le plus prometteur après le silicium. Ces matériaux constituent un élément essentiel de la stratégie de « nouvelles infrastructures » de mon pays et devraient engendrer des changements technologiques majeurs et redessiner le paysage de l'industrie internationale des semi-conducteurs.

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