Laut der Tianyancha App hat die Dongguan Tianyu Semiconductor Technology Co., Ltd. in letzter Zeit industrielle und kommerzielle Veränderungen durchlaufen und neue Aktionäre wie die mit Huawei verbundene Investmentgesellschaft Shenzhen Hubble Technology Investment Partnership (Limited Partnership) aufgenommen; das Stammkapital erhöhte sich von etwa 90.27 Millionen auf etwa 97.7 Millionen, ein Anstieg von mehr als 8 %.

Laut Angaben auf der offiziellen Website von Tianyu wurde das Unternehmen (TYSiC) im Jahr 2009 gegründet. Es ist Chinas erstes privates Unternehmen, das sich mit der Vermarktung, Forschung und Entwicklung sowie der Herstellung von Siliziumkarbid-Epitaxie-Wafern (SiC) befasst. Im Jahr 2010 kooperierte Tianyu mit dem Institut für Halbleiter der Chinesischen Akademie der Wissenschaften und gründete gemeinsam das Siliziumkarbid-Forschungsinstitut, das sich aus den besten Experten der Branche zusammensetzt. Tianyu ist das erste Unternehmen in Chinas Lieferkette für Siliziumkarbid-Halbleitermaterialien, das die Zertifizierung nach Automobilqualität (IATF 16949) erhalten hat. Aktuell verfügt Tianyu über die größte Anzahl an Siliziumkarbid-Epitaxie-CVD-Öfen in China. Die monatliche Produktionskapazität beträgt 5,000 Stück. Mit modernsten Epitaxieverfahren und fortschrittlichsten Test- und Charakterisierungsgeräten bietet Tianyu globalen Kunden n- und p-dotierte Epitaxiematerialien und fertigt Schottky-Dioden, JFETs, BJTs, MOSFETs, GTOs und IGBTs usw.

Huawei Hubble hatte zuvor in das Siliziumkarbidunternehmen Tianke Heda investiert. Tianke Heda ist der viertgrößte Siliziumkarbid-Waferhersteller weltweit und der größte in China. Das Unternehmen produziert mittlerweile 6-Zoll-Siliziumkarbid-Wafer in Serie. Derzeit hat die Shanghaier Börse den Börsengangsantrag von Beijing Tianke Heda angenommen.

Siliziumkarbid (SiC), ein Halbleitermaterial der dritten Generation, gilt nach Silizium als das vielversprechendste. Halbleitermaterialien der dritten Generation sind ein wichtiger Bestandteil der nationalen Strategie für die „neue Infrastruktur“ und werden voraussichtlich technologische Veränderungen anstoßen und die internationale Halbleiterindustrie grundlegend verändern.

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