В процессе производства интегральных схем существует важное звено —литографияИменно благодаря этому мы можем реализовывать функции на крошечных чипах. Современная технология гравировки насчитывает 190 лет. В 1822 году, после экспериментов со светом на различных материалах, француз Нисефор Ньепс начал пытаться скопировать оттиск (узор), вытравленный на масляной бумаге. Он поместил масляную бумагу на стеклянную пластину, а стеклянную пластину покрыл асфальтом, растворенным в растительном масле. После 2-3 часов воздействия солнечного света асфальт в светопропускающей части заметно затвердел, в то время как асфальт в непрозрачной части оставался мягким и мог быть смыт смесью канифоли и растительного масла. Вытравливая стеклянную пластину сильной кислотой, Ньепс в 1827 году создал копию гравюры епископа д'Амбуаза.

Более чем через 100 лет после изобретения Ньепса, во время Второй мировой войны, фотолитография впервые была использована для изготовления печатных плат, то есть для создания медных цепей на пластиковых платах. К 1961 году фотолитография стала применяться для производства большого количества крошечных транзисторов на кремнии с разрешением 5 мкм на тот момент. В настоящее время, помимо литографии в видимом свете, появились методы с более высоким разрешением, такие как рентгеновская литография и литография с использованием заряженных частиц.

Согласно определению Википедии, так называемая фотолитография — важный этап в процессе производства полупроводниковых приборов. На этом этапе используется экспозиция и проявление для нанесения геометрических структур на слой фоторезиста, а затем рисунок с фотошаблона переносится на подложку посредством процесса травления. Подложка здесь может включать не только кремниевые пластины, но и другие металлические и диэлектрические слои, такие как стекло и сапфир в SOS-матрицах.

фотолитографическийОсновные принципыВ этом методе используются свойства фоторезиста (или фоторезиста), обеспечивающие коррозионную стойкость за счет фотохимической реакции после воздействия света, а рисунок на маске вытравливается на обрабатываемой поверхности.

Принцип литографии.

Литография — это непростой процесс, он включает в себя множество этапов:

процесс фотолитографии

Давайте подробно рассмотрим процесс фотолитографии:

1.Очистка вафли

Целью очистки кремниевых пластин является удаление загрязнений, частиц, уменьшение количества микропор и других дефектов, а также улучшение адгезии фоторезиста.

Основные шаги:Химическая очистка - ополаскивание - сушка.

После обработки кремниевых пластин различными способами их поверхности сильно загрязняются. В целом, загрязнение поверхности кремниевых пластин можно условно разделить на три категории:

А. Загрязнение органическими примесями:Его можно удалить путем растворения органических реагентов и с помощью ультразвуковой очистки.

Удалить.

Б. Загрязнение частицами:Для удаления частиц размером ≥ 0.4 мкм можно использовать физические методы, такие как механическая очистка или ультразвуковая обработка, а для удаления частиц размером ≥ 0.2 мкм — мегазвуковые волны.

C. Загрязнение ионами металлов:Для очистки от загрязнений необходимо использовать химические методы. На поверхности кремниевых пластин существуют две основные категории загрязнений металлическими примесями:

?? 

а. Один из типов заключается в том, что загрязняющие ионы или атомы диспергируются и прикрепляются к поверхности кремниевой пластины посредством адсорбции.

б. Другой тип заключается в том, что положительно заряженные ионы металла получают электроны, а затем прикрепляются (например, путем «электролитического осаждения») к поверхности кремниевой пластины.

полированная кремниевая пластинаЦель химической очистки — удаление этих загрязнений.В целом, для очистки и удаления загрязнений можно использовать следующие методы.

? 

а. Используйте сильный окислитель, чтобы вызвать «электроосаждение» ионов металла, прикрепленных к поверхности кремния, их окисление до металла, растворение в чистящем растворе или адсорбцию на поверхности кремниевой пластины. 

? ?

б. Используйте безвредные сильные положительные ионы малого диаметра (например, H+) для замещения ионов металла, адсорбированных на поверхности кремниевой пластины, и растворите их в чистящем растворе.

? ?

c. Для ультразвуковой очистки используйте большое количество деионизированной воды, чтобы удалить ионы металлов из раствора.

??

С момента разработки американской лаборатории RCA в 1970 году процесса химической очистки методом погружения RCA, он получил широкое распространение. В 1978 году лаборатория RCA также запустила процесс мегазвуковой очистки. В последние годы постоянно развиваются различные технологии очистки, основанные на теории очистки RCA, такие как: технология центробежной распылительной химической очистки, представленная американской компанией FSI; технология очистки с закрытым переливом в системах полного потока, представленная американской компанией VERTEQ; технология химической очистки промежуточного типа между погружением и закрытым типом (например, система очистки Goldfinger Mach2); технология двухсторонней очистки сассафрасом от американской компании SSEC (например, система очистки M3304 DSS); японская технология очистки ионизированной диэлектрической водой без использования химикатов (очистка сверхчистой ионизированной диэлектрической водой), которая вывела технологию очистки поверхности полированных пластин на новый уровень; и технология химической очистки кремниевых пластин на основе HF/O3.

2.Предварительная сушка и подготовка пара 

Поскольку фоторезист содержит растворитель, кремниевую пластину, покрытую фоторезистом, необходимо...Примерно 80 градусовОбезвоживающая термообработка кремниевых пластин позволяет удалить влагу с поверхности пластины и улучшить адгезию фоторезиста к поверхности, обычно при температуре около 100 °C. Это делается в сочетании с нанесением грунтовки.

Грунтовочное покрытие улучшает адгезию между фоторезистом (ПР) и поверхностью подложки. Широко используются: гексаметилдисиламин (ГМДС), нанесение ГМДС методом парофазного осаждения перед центрифугированием ПР, охлаждение подложек охлаждающими пластинами перед нанесением ПР.

Предварительная сушка и нанесение грунтовочного пара

3.Фоторезистивное покрытие

Обычно для нанесения фоторезиста используются следующие этапы: влажное окисление при температуре 900-1100 градусов перед нанесением фоторезиста. Оксидный слой может служить маской для влажного травления или имплантации бора. В качестве первого этапа самого процесса фотолитографии на поверхность образца (SiO2) наносится тонкий слой органического полимерного соединения, чувствительного к УФ-излучению, обычно называемого фоторезистом. Сначала фоторезист извлекается из контейнера и наносится на поверхность образца, помещенного в машину для нанесения клея (образец фиксируется на предметном столике вакуумным отрицательным давлением). Затем образец вращается с высокой скоростью, скорость вращения определяется вязкостью клея и желаемой толщиной слоя клея. При таких высоких скоростях клей растекается к краям под действием центробежной силы.

Процесс склеиванияЭто первый и важный этап в процессе графического преобразования. Качество клея напрямую влияет на плотность дефектов обрабатываемого устройства. Для обеспечения повторяемости ширины линии и последующего времени проявления, равномерность толщины клея на одном и том же образце и согласованность толщины клея между различными образцами не должны превышать ±5 нм (для толщины клея 1.5 мкм это ±0.3%).

Определение целевой толщины фоторезиста в основном зависит от химических свойств самого резиста, а также от тонкости линий и зазоров в копируемом рисунке. Слишком толстый слой клея приведет к перекрытию краев или нарушению целостности, появлению бугров или полей, а также снижению выхода годных изделий. В МЭМС толщина клея (после запекания) составляет от 0.5 до 2 мкм, а для изготовления специальных микроструктур толщина клея иногда достигает 1 см. В последнем случае центрифужное нанесение заменяется такими методами, как литье клея или плазменная полимеризация клея. Оптимизация традиционного процесса нанесения фоторезиста должна учитывать скорость и количество капель клея, скорость вращения, температуру и влажность окружающей среды и т.д. Стабильность этих факторов очень важна.

Позвольте мне рассказать подробнее. Основные компоненты фоторезиста — это полимер (смола), сенсибилизатор и растворитель. Структура полимера изменяется при облучении, растворитель обеспечивает его вытеснение, и на поверхности образца образуется тонкая пленка, а сенсибилизатор контролирует химическую реакцию полимерной фазы. Фоторезисты, не содержащие сенсибилизаторов, иногда называют унитарными или однокомпонентными системами, а содержащие сенсибилизаторы — бинарными системами. Растворители или другие добавки обычно не включаются в расчет, поскольку они не принимают непосредственного участия в фотохимической реакции фоторезиста.

В зависимости от различных свойств фоторезисты можно разделить на следующие категории.Положительный клей и Отрицательный клей.      

На ранних этапах развития технологий фотолитографии негативный клей неизменно доминировал. С появлением СБИС и размеров рисунка 2-5 микрон негативный клей перестал соответствовать требованиям. Затем появился позитивный клей, но его недостатком стала низкая адгезионная способность.

Использование позитивного клея требует изменения полярности маски, что не является простым переворачиванием рисунка. Поскольку маска состоит из двух разных фоторезистов, размеры, получаемые методом фотолитографии на поверхности подложки, различаются. Из-за дифракционного эффекта света вокруг рисунка, размер рисунка, полученного путем объединения негативной маски и маски светлого поля на слое фоторезиста, меньше, чем размер рисунка на маске. Использование комбинации позитивного резиста и маски темного поля увеличит размер рисунка на слое фоторезиста.

Фоторезистное покрытие

4.Мягкое печенье

После нанесения фоторезиста необходима операция мягкой сушки. Этот этап также называется предварительной запеканием. Предварительное запекание позволяет испарить растворитель из фоторезиста и сделать нанесенный слой фоторезиста тоньше.

В жидком фоторезисте растворитель составляет 65–85%. Хотя после удаления клея жидкий фоторезист превращается в твердую пленку, в нем все еще остается 10–30% растворителя, который легко загрязняется пылью. Запекание при более высокой температуре позволяет испарить растворитель из фоторезиста (содержание растворителя снижается примерно до 5% после предварительного запекания), тем самым уменьшая загрязнение пылью. Одновременно этот этап также снижает напряжение пленки, вызванное высокоскоростным вращением, тем самым улучшая адгезию к подложке из фоторезиста.

В процессе предварительного запекания, из-за испарения растворителя, толщина фоторезиста также уменьшается. Обычно толщина фоторезиста составляет около 10–20%.

Системы выпечки

5.центровка

Технология выравнивания в фотолитографии является важным этапом перед экспозицией. Как одна из трех основных технологий фотолитографии, точность выравнивания обычно должна составлять от 1/7 до 1/10 от минимальной ширины линии. По мере повышения разрешения фотолитографии требования к точности выравнивания постоянно растут. Например, для ширины линии 45 мкм требуется точность выравнивания около 5 мкм.

Благодаря улучшению разрешения литографии, технология выравнивания также претерпела быстрое и разнообразное развитие. С точки зрения принципов выравнивания и классификации структур меток, технология выравнивания эволюционировала от ранних методов геометрического выравнивания изображений в проекционной литографии, включая выравнивание видеоизображений, выравнивание с помощью бинокулярного микроскопа и т. д., до более поздних методов выравнивания с помощью зонных пластин, выравнивания по интенсивности интерференции, лазерной гетеродинной интерференции и выравнивания по муаровым полосам. С точки зрения сигналов выравнивания, она в основном включает выравнивание по маркированным микроскопическим изображениям, выравнивание на основе информации об интенсивности света и выравнивание на основе информации о фазе.

Правило выравнивания заключается в том, что при первой фотолитографии ось Y на маске должна быть расположена под углом 90º к плоскому краю подложки, как показано на рисунке. Последующие маски выравниваются относительно предыдущей маски с помощью меток выравнивания. Метка выравнивания представляет собой специальный рисунок (см. рисунок), расположенный по краю каждого рисунка на чипе. После процесса фотолитографии метки выравнивания навсегда остаются на поверхности чипа и могут быть использованы для следующего выравнивания.

Метод выравниванияследующие:

а. Предварительная юстировка, автоматическая лазерная юстировка через выемку или плоскость на кремниевой пластине.

б. Через метку выравнивания, расположенную на канавке для резки. Кроме того, межслойное выравнивание, то есть точность наложения, обеспечивает выравнивание между графическими элементами и существующими графическими элементами на кремниевой пластине.

6.Экспозиция

На этом этапе фоторезист, покрывающий подложку, избирательно освещается светом определенной длины волны. Фотосенсибилизатор в фоторезисте вступает в фотохимическую реакцию, вызывая изменение химического состава области, где освещается позитивный фоторезист (фоточувствительная область), и области, где не освещается негативный фоторезист (нефоточувствительная область). Области с измененным химическим составом могут быть растворены в специальном проявителе на следующем этапе.

После облучения светом фоточувствительный агент DQ в позитивном фоторезисте подвергается фотохимической реакции и превращается в кетен, который далее гидролизуется до инденкарбоновой кислоты (CA). Растворимость карбоновой кислоты в щелочном растворителе примерно в 100 раз выше, чем у несенсибилизированной части фоторезиста. Образующаяся карбоновая кислота также способствует растворению фенольной смолы. Используя различную растворимость фоточувствительных и нефоточувствительных фоторезистов в щелочных растворителях, можно перенести рисунок маски.

метод экспозицииследующие:

а. Маска для контактной печати (Contact Printing) находится в непосредственном контакте со слоем фоторезиста.

b. Печать в непосредственной близости: Маскирующая пластина и слой фоторезиста слегка разделены, примерно на 10–50 мкм.

c. Проекционная печать. Между маской и фоторезистом используется линза для фокусировки света и осуществления экспозиции.

д. Степпер

Позвольте мне сказать здесь кое-что особенное.проекционное экспозициюКлассификация:

Два наиболее важных параметра при оценке воздействия:

1. Энергия облучения (Энергия)

2. фокус

Если энергия и фокусное расстояние отрегулированы неправильно, получить изображения с требуемым разрешением и размером невозможно. Это указывает на то, что ключевые размеры изображения превышают требуемый диапазон.

7.способствовали

Добавление проявителя после процесса экспонирования позволяет растворить в проявителе светочувствительные участки позитивного фоторезиста и несветочувствительные участки негативного фоторезиста. После завершения этого этапа можно проявить рисунок в слое фоторезиста. Для повышения разрешения практически для каждого типа фоторезиста используется специальный проявитель, обеспечивающий высокое качество проявления.

В процессе проявления рецессивный рисунок, сформировавшийся во время экспонирования, превращается в доминирующий рисунок с фоторезистом и без него, который может быть использован в качестве маски для следующего этапа обработки. В процессе проявления осуществляется селективное растворение, и наиболее важным является соотношение скорости растворения (DR) между экспонированной и неэкспонированной областями. Коммерческая позитивная пленка имеет соотношение DR более 1000, скорость растворения 3000 нм/мин в экспонированной области и всего несколько нм/мин в неэкспонированной области.

В настоящее время существует два метода разработки, один из них...влажное развитие, который широко используется в интегральных схемах и микрообработке, другой — этоСухое развитие.

а. Иммерсионная обработка кремниевых пластин в целой коробке (серийная обработка).

Недостатки: высокая загрузка разработчиков; низкая единообразность разработки;

b. Непрерывное распыление/Авторотационное распыление. Одна или несколько форсунок распыляют раствор проявителя на поверхность кремниевой пластины, в то время как кремниевая пластина вращается с низкой скоростью (от 100 до 500 об/мин). Схема распыления форсунок и скорость вращения пластины являются ключевыми параметрами настройки для достижения повторяемости скорости растворения и однородности от пластины к пластине.

c. Образование лужицы (проявление лужицы). Распылите достаточное количество (но не слишком много, чтобы минимизировать влажность с обратной стороны) проявителя на поверхность пластины, чтобы образовалась лужица (поддерживайте низкий поток проявителя, чтобы уменьшить колебания скорости проявления по краям). Кремниевая пластина фиксируется или медленно вращается. Обычно используется несколько циклов центрифугирования для нанесения проявителя: нанесение в первый раз, выдержка от 10 до 30 секунд, и удаление; нанесение во второй раз, выдержка, и удаление. Затем промойте деионизированной водой (для удаления всех химических веществ с обеих сторон пластины) и высушите центрифугированием. Преимущества: меньшая дозировка проявителя; равномерное проявление кремниевой пластины; минимизация температурного градиента.

Застройщик:

а. Позитивный фоторезистивный проявитель. В качестве проявителя позитивного клея используется щелочной водный раствор. KOH и NaOH обычно не используются в производстве ИС, поскольку они вызывают загрязнение подвижными ионами (MIC, Movable Ion Contamination). Наиболее распространенным позитивным гелевым проявителем является гидроксид тетраметиламмония (TMAH) (стандартная эквивалентная концентрация 0.26, температура 15–250°C). Карбоновая кислота образуется во время экспонирования фоторезиста I-линии. Щелочь и кислота в проявителе TMAH нейтрализуют экспонированный фоторезист в проявителе, в то время как на неэкспонированный фоторезист это не оказывает никакого воздействия; фенольная смола, содержащаяся в химически усиленном фоторезисте (CAR, Chemical Amplified Resist), существует в форме PHS. Кислота, образующаяся в результате действия PAG в CAR, удаляет защитную группу (t-BOC) в PHS, позволяя PHS быстро растворяться в проявителе TMAH. В течение всего процесса проявления TMAH не вступает в реакцию с PHS.

б. Проявитель негативного фоторезиста: ксилол. В качестве чистящей жидкости используются бутилацетат, этанол или трихлорэтилен.

развивающийсяFAQ:

а. Неполное проявление. Фоторезист остается на поверхности. Причина – недостаточное количество проявителя;

б. В стадии разработки. Развитые боковые стенки не вертикальны из-за недостаточного времени разработки;

c. Перепроявка. Фоторезист, находящийся близко к поверхности, чрезмерно растворяется проявителем, образуя ступеньки. Время проявки слишком велико.

8.Твердая выпечка

После завершения проявления резиста структура рисунка в основном определена, но свойства фоторезиста необходимо стабилизировать. Этого можно достичь путем твердой сушки, также известной как закалка. В ходе этого процесса можно использовать высокотемпературную обработку для удаления остаточного растворителя из фоторезиста, повышения адгезии фоторезиста к поверхности кремниевой подложки и улучшения стойкости фоторезиста к травлению в последующих процессах травления и ионной имплантации. Кроме того, при высоких температурах фоторезист размягчается и переходит в расплавленное состояние, подобное состоянию стекла при высоких температурах. Это сглаживает поверхность фоторезиста под действием поверхностного натяжения и уменьшает дефекты (такие как микропоры) в слое фоторезиста, тем самым корректируя профиль края рисунка фоторезиста.

Весь образец обрабатывается кислородной плазмой для удаления возможных нежелательных остатков после проявления, этот процесс называется удалением остатков. Особенно для негативного, а также позитивного клея, после проявления на границе раздела клея и подложки остается тонкий слой полимера. Эта проблема более серьезна для структур размером менее 1 мкм или с большим соотношением глубины к ширине. Конечно, толщина оставшегося слоя клея также уменьшится в процессе удаления остатков, но это не окажет существенного влияния.

Наконец, перед травлением или нанесением покрытия требуется термическая обработка для удаления остатков проявителя и воды, а также отжиг для улучшения условий сцепления на границе раздела, обусловленных проникновением и расширением в процессе проявления. Одновременно повышается твердость клея и улучшается стойкость к травлению. Температура термической обработки обычно достигает 120 градусов и выше, а время составляет около 20 минут. Основным ограничением является то, что высокие температуры могут ухудшать качество краев рисунка и затруднять его удаление после травления.

Метод: Нагревательная плита, 100–1300 °C (немного выше температуры стеклования Tg), 1–2 минуты.

Цель:

а. Полностью испарить растворитель из фоторезиста (во избежание загрязнения среды последующей ионной имплантации, например, азот в фенольной смоле DNQ может вызвать локальное разрушение фоторезиста);

б. Твердая пленка для улучшения способности фоторезиста защищать нижнюю поверхность во время ионной имплантации или травления;

c. Дополнительно улучшить адгезию между фоторезистом и поверхностью кремниевой подложки;

d. Дальнейшее уменьшение эффекта стоячей волны.

FAQ:

а. Недостаточное запекание. Ослабление прочности фоторезиста (устойчивость к травлению и способность блокировать ионную имплантацию); снижение способности заполнять зазоры в отверстии от иглы; снижение адгезии к подложке.

б. Перегрев. Он вызывает растекание фоторезиста, что снижает точность рисунка и ухудшает разрешение. Кроме того, для упрочнения пленки можно использовать глубокое ультрафиолетовое излучение (ДУВ). Позитивная фоторезистная смола сшивается, образуя тонкую твердую оболочку на поверхности, что повышает термическую стабильность фоторезиста. В последующих процессах плазменного травления и ионной имплантации (125–2000 °C) снижается снижение разрешения, вызванное высокотемпературным растеканием фоторезиста.

9.Травление или ионная имплантация

Травление — это процесс в производстве полупроводниковых приборов, использующий химические методы для избирательного удаления определенных участков осажденного слоя. Травление очень важно для электрических характеристик прибора. Если в процессе травления возникают ошибки, кремниевая пластина будет испорчена, и ее будет трудно восстановить, поэтому необходимо осуществлять строгий контроль процесса. Каждый слой полупроводникового прибора проходит несколько этапов травления.

Травление обычно делится на электронно-лучевое травление и фотолитографию. Фотолитография предъявляет высокие требования к плоскостности материала, поэтому требует высокой степени чистоты. Однако при электронно-лучевом травлении, поскольку длина волны электронов чрезвычайно мала, разрешение намного лучше, чем при фотолитографии. Поскольку не требуется маска, требования к плоскостности невысоки, но электронно-лучевое травление медленное, а оборудование дорогостоящее.

В большинстве случаев на этапах травления участки верхнего слоя пластины защищены «маской», которую нельзя травить, что позволяет выборочно удалять определенные участки слоя. В некоторых случаях материалом маски является фоторезист, что аналогично принципу, используемому в фотолитографии. В других случаях травильная маска должна быть устойчива к определенным химическим веществам, и для создания такой «маски» можно использовать нитрид кремния.

Ионная имплантация — это технический метод, при котором определенные ионы ускоряются в электрическом поле, а затем внедряются в другой твердый материал. Использование этой технологии позволяет изменять физические и химические свойства твердых материалов, и в настоящее время она широко применяется в производстве полупроводниковых приборов и в некоторых исследованиях материалов. Ионная имплантация может вызывать ядерные превращения, или изменять кристаллическую структуру некоторых твердых материалов.

10. Удаление фоторезиста

Основная функция фоторезиста — защита участка подложки под ним во время химической или механической обработки всей поверхности. Поэтому после завершения описанного выше процесса фоторезист необходимо полностью удалить. Этот этап называется удалением клея. В качестве промежуточного или буферного покрытия на устройстве можно оставлять только те фоторезисты, которые стабильны при высоких температурах, например, светочувствительные полиимиды.

Чтобы избежать повреждения обрабатываемой поверхности, следует использовать щадящие химические методы при низких температурах. Применение ультразвуковых волн также может улучшить эффективность отслаивания. Некоторые известные растворы для удаления покрытия не работают на металлических поверхностях, таких как алюминий, из-за проблем с коррозией; в этом случае сначала используется озоновая или кислородная плазма (золение). Эти плазмы также успешно применяются в качестве растворителей для фотолитографии на поверхностях, отличных от алюминия, однако повреждение поверхности устройства по-прежнему остается проблемой, которую необходимо решить.

После травления или ионной имплантации фоторезист больше не нужен в качестве защитного слоя и может быть удален. Методы удаления клея классифицируются следующим образом:

Удаление влажного клея

Удаление с помощью органических растворителей: Используйте органические растворители для удаления фоторезиста.

Неорганический растворитель: При использовании некоторых неорганических растворителей углерод, содержащийся в фоторезисте (органическом веществе), окисляется до диоксида углерода, а затем удаляется.

Удаление фоторезиста сухим способом: использование плазмы для удаления фоторезиста.

В дополнение к этим основным процессам часто используются некоторые вспомогательные процессы, такие как равномерное травление по большой площади для уменьшения толщины подложки или процесс удаления неровностей по краям и т. д. Как правило, при производстве полупроводниковых чипов или других компонентов подложку необходимо подвергать фотолитографии несколько раз.

Выше описаны этапы фотолитографии. Я собрал их для всеобщего обозрения. Надеюсь, вы сможете меня поправить.

Отказ от ответственности: Данная статья воспроизведена из издания "Semiconductor Industry Observation". Эта статья отражает только личное мнение автора и не представляет точку зрения компании Sacco Micro и отрасли в целом. Перепечатка и распространение предназначены исключительно для защиты прав интеллектуальной собственности. Пожалуйста, указывайте первоисточник и автора при перепечатке. В случае нарушения авторских прав, пожалуйста, свяжитесь с нами для удаления публикации.

Номер телефона компании: +86-0755-83044319
Факс: +86-0755-83975897
Почта: 1615456225@qq.com
QQ: 3518641314 Менеджер Ли

QQ: 332496225 Менеджер Цю

Адрес: Комната 809, корпус C, технологический корпус Чжаньтао, проспект Миньчжи, 1079, новый район Лунхуа, Шэньчжэнь.