En el proceso de fabricación de circuitos integrados, existe un vínculo importante...LitografíaPrecisamente gracias a ello, podemos implementar funciones en chips diminutos. La tecnología moderna de grabado se remonta a 190 años atrás. En 1822, tras experimentar con la luz sobre diversos materiales, el francés Nicéphore Niépce comenzó a intentar copiar una impresión (patrón) grabada en papel al óleo. Colocó el papel al óleo sobre una lámina de vidrio, que recubrió con asfalto disuelto en aceite vegetal. Tras dos o tres horas de exposición al sol, el asfalto de la parte transparente se endureció visiblemente, mientras que el de la parte opaca permaneció blando y pudo eliminarse con una mezcla de colofonia y aceite vegetal. Al grabar una placa de vidrio con ácido fuerte, Niépce produjo una réplica del grabado del obispo d'Amboise en 1827.

Más de cien años después de la invención de Niepce, durante la Segunda Guerra Mundial, se utilizó por primera vez para fabricar placas de circuitos impresos, es decir, circuitos de cobre sobre placas de plástico. En 1961, la fotolitografía se empleó para producir una gran cantidad de transistores diminutos sobre silicio, con una resolución de 5 µm en aquel entonces. Hoy en día, además de la litografía con luz visible, han surgido métodos de mayor resolución, como el grabado con rayos X y partículas cargadas.

La denominada fotolitografía, según la definición de Wikipedia, es un paso importante en el proceso de fabricación de dispositivos semiconductores. Este paso utiliza la exposición y el revelado para representar estructuras geométricas en la capa de fotorresina y, posteriormente, transfiere el patrón de la fotomáscara al sustrato mediante un proceso de grabado. El sustrato mencionado no solo incluye obleas de silicio, sino que también puede ser otras capas metálicas y dieléctricas, como vidrio y zafiro en el caso de los semiconductores.

fotolitografíaPrincipios básicosUtiliza las características de la fotorresina para generar resistencia a la corrosión mediante una reacción fotoquímica tras la exposición a la luz, y el patrón de la máscara se graba sobre la superficie que se va a procesar.

Intención del principio de la litografía

La litografía no es un proceso sencillo, sino que consta de muchos pasos:

proceso de fotolitografía

Vamos a presentar el proceso de fotolitografía en detalle:

1.Limpieza de obleas

El objetivo de la limpieza de las obleas de silicio es eliminar contaminantes, eliminar partículas, reducir los poros y otros defectos, y mejorar la adhesión de la fotorresina.

Pasos básicos:Limpieza química - enjuague - secado.

Después de que las obleas de silicio han sido procesadas mediante diferentes procesos, sus superficies han quedado gravemente contaminadas. En términos generales, la contaminación en la superficie de las obleas de silicio se puede dividir a grandes rasgos en tres categorías:

A. Contaminación por impurezas orgánicas:Puede eliminarse mediante la disolución de reactivos orgánicos y la tecnología de limpieza ultrasónica.

Retirar.

B. Contaminación por partículas:Para eliminar partículas con un tamaño ≥ 0.4 μm se pueden utilizar métodos físicos mediante el fregado mecánico o la tecnología de limpieza ultrasónica, y para eliminar partículas ≥ 0.2 μm se pueden utilizar ondas megasónicas.

C. Contaminación por iones metálicos:Para limpiar la contaminación se deben utilizar métodos químicos. Existen dos categorías principales de contaminación por impurezas metálicas en la superficie de las obleas de silicio:

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a. Un tipo es que los iones o átomos contaminantes se dispersan y se adhieren a la superficie de la oblea de silicio a través de la adsorción.

b. El otro tipo consiste en que los iones metálicos con carga positiva obtienen electrones y luego se adhieren (como en el caso de la "electrodeposición") a la superficie de la oblea de silicio.

oblea de silicio pulidaEl objetivo de la limpieza química es eliminar esta contaminación.En general, se pueden utilizar los siguientes métodos para limpiar y eliminar la contaminación.

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a. Utilice un agente oxidante fuerte para hacer que los iones metálicos unidos a la superficie del silicio sean "electrodepositados", oxidados a metal, disueltos en la solución de limpieza o adsorbidos en la superficie de la oblea de silicio. 

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b. Utilice iones positivos fuertes, inocuos y de pequeño diámetro (como H+) para reemplazar los iones metálicos adsorbidos en la superficie de la oblea de silicio y disolverlos en la solución de limpieza.

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c. Utilice una gran cantidad de agua desionizada para la limpieza ultrasónica con el fin de eliminar los iones metálicos de la solución.

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Desde que el Laboratorio RCA estadounidense propuso en 1970 el proceso de limpieza química por inmersión, se ha utilizado ampliamente. En 1978, el Laboratorio RCA también lanzó el proceso de limpieza megasónica. En los últimos años, se han desarrollado continuamente diversas tecnologías de limpieza basadas en la teoría de limpieza RCA, tales como: la empresa estadounidense FSI introdujo la tecnología de limpieza química por pulverización centrífuga, la empresa estadounidense CFM introdujo la tecnología de limpieza de desbordamiento cerrado de sistemas de flujo completo, y la empresa estadounidense VERTEQ introdujo una tecnología de limpieza química intermedia entre inmersión y tipo cerrado (como el sistema de limpieza Goldfinger Mach2), la tecnología de limpieza de sasafrás de doble cara de la empresa estadounidense SSEC (por ejemplo, el sistema de limpieza M3304 DSS), la tecnología japonesa de limpieza con agua ionizada dieléctrica sin productos químicos (limpieza con agua ionizada ultrapura dieléctrica), que ha llevado la tecnología de limpieza de superficies de obleas pulidas a un nuevo nivel, y la tecnología de limpieza química de obleas de silicio basada en HF/O3.

2.Vapor de prehorneado y de imprimación 

Dado que la fotorresina contiene solvente, la oblea de silicio recubierta con fotorresina necesita serAlrededor de 80 gradosEl horneado de deshidratación de las obleas de silicio elimina la humedad de la superficie de la oblea y mejora la adhesión entre la fotorresina y la superficie, generalmente a unos 100 °C. Esto se realiza junto con la aplicación de una imprimación.

La capa de imprimación mejora la adhesión entre la fotorresina (PR) y la superficie de la oblea. Se utiliza ampliamente: hexametildisilamina (HMDS), recubrimiento con vapor de HMDS antes del recubrimiento por centrifugación de la fotorresina, enfriamiento de las obleas con placas de enfriamiento antes del recubrimiento de la fotorresina.

Aplicación de vapores de prehorneado y imprimación

3.Recubrimiento fotorresistente

Los pasos habituales para el recubrimiento con fotorresina consisten en una oxidación húmeda a 900-1100 grados antes de la aplicación de la fotorresina. La capa de óxido puede servir como máscara para el grabado húmedo o la implantación de boro. Como primer paso en el proceso de fotolitografía, se aplica una fina capa de un compuesto polimérico orgánico sensible a la luz ultravioleta, comúnmente conocido como fotorresina, sobre la superficie de la muestra (SiO2). Primero, la fotorresina se extrae del recipiente y se deposita sobre la superficie de la muestra colocada en la máquina de recubrimiento con adhesivo (la muestra se fija en la platina mediante presión negativa al vacío). A continuación, la muestra se hace girar a alta velocidad, cuya velocidad viene determinada por la viscosidad del adhesivo y el espesor deseado. A estas altas velocidades, el adhesivo fluye hacia los bordes por efecto de la fuerza centrífuga.

Proceso de encoladoEs el primer paso, y uno de los más importantes, en el proceso de conversión gráfica. La calidad del adhesivo afecta directamente a la densidad de defectos del dispositivo procesado. Para garantizar la repetibilidad del ancho de línea y el tiempo de revelado posterior, la uniformidad del grosor del adhesivo en una misma muestra y la consistencia del grosor entre diferentes muestras no deben superar los ±5 nm (para un grosor de adhesivo de 1.5 µm, es de ±0.3 %).

La determinación del espesor objetivo de la fotorresina considera principalmente las propiedades químicas de la propia resina y la finura de las líneas y los huecos en el patrón que se va a copiar. Un pegamento demasiado grueso dará lugar a la cobertura o conectividad de los bordes, una apariencia de pegamento irregular o con relieve, y una disminución del rendimiento. En MEMS, el espesor del pegamento (después del horneado) está entre 0.5 y 2 µm, y para la fabricación de microestructuras especiales, a veces se espera que el espesor del pegamento sea del orden de 1 cm. En este último caso, el recubrimiento por centrifugación se sustituirá por métodos como el pegamento fundido o la polimerización del pegamento por plasma. La optimización del proceso convencional de recubrimiento de fotorresina debe tener en cuenta la velocidad de goteo del pegamento, la cantidad de goteo del pegamento, la velocidad de rotación, la temperatura y la humedad ambiente, etc. La estabilidad de estos factores es muy importante.

Permítanme explicarles: los componentes principales de una fotorresina son un polímero (resina), un sensibilizador y un disolvente. La estructura del polímero cambia al ser irradiado; el disolvente permite su expulsión, formando una película delgada sobre la superficie de la muestra; y el sensibilizador controla la reacción química de la fase polimérica. Las fotorresinas que no contienen sensibilizadores se denominan a veces sistemas unitarios o monocomponentes, mientras que las que sí los contienen se denominan sistemas binarios. Los disolventes u otros aditivos generalmente no se incluyen en el cálculo, ya que no participan directamente en la reacción fotoquímica de la fotorresina.

Según sus diferentes propiedades, las fotorresistencias se pueden dividir enpegamento positivoypegamento negativo.      

En los inicios del desarrollo de procesos, el adhesivo negativo dominó la fotolitografía. Con la aparición de los circuitos integrados VLSI y los patrones de 2 a 5 micras, el adhesivo negativo dejó de ser suficiente. Entonces surgió el adhesivo positivo, pero su desventaja radica en su escasa capacidad de adhesión.

El uso de adhesivo positivo requiere cambiar la polaridad de la máscara, lo cual no es un simple cambio de patrón. Debido a que la máscara se combina con dos fotorresistencias diferentes, los tamaños obtenidos mediante fotolitografía en la superficie de la oblea son distintos. Por el efecto de difracción de la luz alrededor del patrón, el tamaño del patrón obtenido al combinar la máscara negativa y la máscara de campo claro sobre la capa de fotorresistencia es menor que el tamaño del patrón en la máscara. El uso de una combinación de fotorresistencia positiva y máscara de campo oscuro aumentará el tamaño del patrón en la capa de fotorresistencia.

Recubrimiento fotorresistente

4.Horneado suave

Tras la aplicación de la fotorresina, es necesario un secado suave. Este paso también se denomina prehorneado. El prehorneado evapora el disolvente de la fotorresina y reduce su espesor.

En la fotorresina líquida, los componentes solventes representan entre el 65 % y el 85 %. Aunque la fotorresina líquida se solidifica tras retirar el adhesivo, aún contiene entre un 10 % y un 30 % de solvente, que se contamina fácilmente con polvo. Al hornear a una temperatura más alta, el solvente se evapora de la fotorresina (su contenido se reduce a aproximadamente un 5 % tras el prehorneado), disminuyendo así la contaminación por polvo. Asimismo, este paso reduce la tensión en la película causada por la rotación a alta velocidad, mejorando así la adhesión al sustrato de fotorresina.

Durante el proceso de prehorneado, debido a la volatilización del disolvente, el espesor de la fotorresina también se reduce. Generalmente, el espesor de la fotorresina es de aproximadamente un 10 % a un 20 %.

Sistemas de horneado

5.Alineación

La tecnología de alineación en fotolitografía es un paso importante antes de la exposición. Como una de las tres tecnologías principales de la fotolitografía, la precisión de alineación generalmente debe ser de 1/7 a 1/10 del ancho de línea más pequeño. A medida que aumenta la resolución de la fotolitografía, los requisitos de precisión de alineación son cada vez mayores. Por ejemplo, para un ancho de línea de 45 µm, la precisión de alineación requerida es de aproximadamente 5 µm.

Impulsada por las mejoras en la resolución de la litografía, la tecnología de alineación también ha experimentado un desarrollo rápido y diverso. Desde la perspectiva de los principios de alineación y la clasificación de las estructuras de marca, la tecnología de alineación ha evolucionado desde los primeros métodos de alineación de imágenes geométricas en la litografía de proyección, que incluyen la alineación de imágenes de vídeo y la alineación con microscopio binocular, hasta los métodos posteriores de alineación con placas de zona, alineación de intensidad de interferencia, interferencia heterodina láser y alineación de franjas de moiré. Desde la perspectiva de las señales de alineación, incluye principalmente la alineación de imágenes microscópicas marcadas, la alineación basada en información de intensidad de luz y la alineación basada en información de fase.

La regla de alineación consiste en que, para la primera fotolitografía, basta con alinear el eje Y de la máscara a 90º con el borde plano de la oblea, como se muestra en la figura. Las máscaras subsiguientes se alinean con la máscara anterior mediante marcas de alineación. La marca de alineación es un patrón especial (véase la imagen) distribuido en el borde de cada patrón del chip. Tras el proceso de fotolitografía, las marcas de alineación permanecen en la superficie del chip de forma permanente y pueden utilizarse para la siguiente alineación.

Método de alineación incluir lo siguiente:

a. Prealineación, alineación láser automática a través de una muesca o superficie plana en la oblea de silicio.

b. Mediante la marca de alineación, ubicada en la ranura de corte. Además, la alineación entre capas, es decir, la precisión de superposición, garantiza la alineación entre los gráficos y los gráficos existentes en la oblea de silicio.

6.Exposición

En este paso, la fotorresina que recubre el sustrato se ilumina selectivamente con luz de una longitud de onda específica. El fotosensibilizador de la fotorresina experimenta una reacción fotoquímica que modifica la composición química de la zona iluminada por la fotorresina positiva (zona fotosensible) y de la zona no iluminada por la fotorresina negativa (zona no fotosensible). Estas zonas con composición química alterada pueden disolverse en un revelador específico en el siguiente paso.

Tras la exposición a la luz, el agente fotosensible DQ de la fotorresina positiva experimenta una reacción fotoquímica y se transforma en ceteno, que posteriormente se hidroliza en ácido indenocarboxílico (CA). La solubilidad del ácido carboxílico en un disolvente alcalino es aproximadamente 100 veces mayor que la de la parte no sensibilizada de la fotorresina. El ácido carboxílico producido también favorece la disolución de la resina fenólica. Aprovechando las diferentes solubilidades de las fotorresinas fotosensibles y no fotosensibles en disolventes alcalinos, se puede transferir el patrón de la máscara.

método de exposición incluir lo siguiente:

a. La máscara de impresión por contacto (Contact Printing) está en contacto directo con la capa de fotorresina.

b. Impresión por proximidad: La placa de máscara y la capa de fotorresina están ligeramente separadas, entre 10 y 50 μm aproximadamente.

c. Impresión por proyección. Se utiliza una lente entre la máscara y la fotorresina para enfocar la luz y lograr la exposición.

d. Stepper

Permítanme decir algo especial aquí.exposición de proyecciónClasificación:

Los dos parámetros más importantes en la exposición son:

1. Energía de exposición (Energía)

2. Enfoque

Si la energía y la distancia focal no están ajustadas correctamente, no se pueden obtener gráficos con la resolución y el tamaño requeridos. Esto indica que las dimensiones clave del gráfico exceden el rango necesario.

7.Desarrollo

Al añadir el revelador después del proceso de exposición, las zonas fotosensibles de la fotorresina positiva y las zonas no fotosensibles de la fotorresina negativa se disuelven en el revelador. Una vez completado este paso, se puede revelar el patrón en la capa de fotorresina. Para mejorar la resolución, casi todos los tipos de fotorresina tienen un revelador especial que garantiza resultados de revelado de alta calidad.

El proceso de revelado transforma el patrón recesivo formado durante la exposición en un patrón dominante con y sin fotorresina, que puede utilizarse como máscara para la siguiente etapa del procesamiento. En el revelado se lleva a cabo un proceso de disolución selectiva, y lo más importante es la relación de la velocidad de disolución (VD) entre la zona expuesta y la zona no expuesta. Las películas positivas comerciales tienen una relación VD superior a 1000, una velocidad de disolución de 3000 nm/min en la zona expuesta y de tan solo unos pocos nm/min en la zona no expuesta.

Actualmente existen dos métodos en desarrollo, uno de ellos esdesarrollo húmedo, que se está utilizando ampliamente en circuitos integrados y micromecanizado, el otro esDesarrollo en seco.

a. Revelado por inmersión de obleas de silicio de caja completa (revelado por lotes).

Desventajas: alto consumo por parte de los promotores; escasa uniformidad en el desarrollo;

b. Revelado por pulverización continua/Revelado por autorrotación. Una o más boquillas pulverizan la solución reveladora sobre la superficie de la oblea de silicio mientras esta gira a baja velocidad (de 100 a 500 rpm). El patrón de pulverización de las boquillas y la velocidad de rotación de la oblea son parámetros clave para lograr la repetibilidad de la velocidad de disolución y la uniformidad entre obleas.

c. Charco (desarrollo por charco). Rocíe suficiente revelador (pero no demasiado, para minimizar la humedad en la parte posterior) sobre la superficie de la oblea para formar un charco (mantenga un flujo bajo de revelador para reducir las variaciones en la velocidad de revelado de los bordes). La oblea de silicio se fija o se gira lentamente. Generalmente, se utilizan múltiples recubrimientos de revelador por centrifugación: aplicar por primera vez, mantener de 10 a 30 segundos y retirar; aplicar por segunda vez, mantener y retirar. Luego, enjuagar con agua desionizada (para eliminar todos los químicos de ambos lados de la oblea) y secar por centrifugación. Ventajas: menor dosificación de revelador; revelado uniforme de la oblea de silicio; gradiente de temperatura minimizado.

Desarrollador:

a. Revelador de fotorresina positiva. El nivel de revelador del pegamento positivo es una solución acuosa alcalina. El KOH y el NaOH generalmente no se utilizan en la fabricación de circuitos integrados porque pueden causar contaminación por iones móviles (MIC, Contaminación por Iones Móviles). El revelador de gel positivo más común es el hidróxido de tetrametilamonio (TMAH) (la concentración equivalente estándar es 0.26, temperatura 15~250 °C). Se genera ácido carboxílico durante la exposición de la fotorresina de la línea I. El álcali y el ácido en el revelador de TMAH neutralizan la fotorresina expuesta en el revelador, mientras que la fotorresina no expuesta no se ve afectada; la resina fenólica contenida en la fotorresina químicamente amplificada (CAR, Chemical Amplified Resist) existe en forma de PHS. El ácido generado por PAG en CAR eliminará el grupo protector (t-BOC) en PHS, lo que permite que PHS se disuelva rápidamente en el revelador de TMAH. Durante todo el proceso de revelado, el TMAH no reacciona con PHS.

b. Revelador de fotorresina negativa. xileno. El líquido de limpieza es acetato de butilo, etanol o tricloroetileno.

el desarrolloPREGUNTAS MÁS FRECUENTES:

a. Revelado incompleto. La fotorresina permanece en la superficie. Causado por revelador insuficiente;

b. En desarrollo. Las paredes laterales desarrolladas no son verticales, debido a un tiempo de desarrollo insuficiente;

c. Sobreexposición. La fotorresina cercana a la superficie se disuelve excesivamente por el revelador, formando escalones. El tiempo de revelado es demasiado largo.

8.Horneado duro

Una vez finalizado el revelado de la fotorresina, el patrón queda prácticamente definido, pero es necesario estabilizar sus propiedades. Esto se logra mediante un secado a alta temperatura, también conocido como endurecimiento. Durante este proceso, se puede aplicar un tratamiento térmico para eliminar el disolvente residual, mejorar la adhesión de la fotorresina a la superficie de la oblea de silicio y aumentar su resistencia al grabado en los procesos posteriores de grabado e implantación iónica. Además, a altas temperaturas, la fotorresina se ablanda y adquiere un estado fundido similar al del vidrio. Esto, por efecto de la tensión superficial, alisa la superficie de la fotorresina y reduce los defectos (como los poros) en la capa, corrigiendo así el perfil del borde del patrón.

Tras el revelado, la muestra completa se trata con plasma de O2 para eliminar posibles residuos no deseados, proceso conocido como desescoriado. En el caso del adhesivo negativo, pero también del positivo, queda una fina capa de polímero en la interfaz original adhesivo-sustrato. Este problema se agrava en estructuras de menos de 1 µm o con una elevada relación profundidad-anchura. Si bien el espesor del adhesivo restante también disminuye durante el desescoriado, el impacto no es significativo.

Finalmente, se requiere un horneado intenso antes del grabado o recubrimiento para eliminar el revelador residual y el agua, y un recocido para mejorar la adherencia de la interfaz debido a la penetración y expansión durante el proceso de revelado. Al mismo tiempo, se incrementa la dureza del adhesivo y se mejora su resistencia al grabado. La temperatura de horneado intenso suele ser de 120 grados o más, y el tiempo es de aproximadamente 20 minutos. La principal limitación es que las altas temperaturas pueden degradar los bordes del patrón y dificultar su eliminación después del grabado.

Método: Placa calefactora, 100~1300 °C (ligeramente superior a la temperatura de transición vítrea Tg), 1~2 minutos.

Propósito:

a. Evaporar completamente el disolvente de la fotorresina (para evitar contaminar el entorno de implantación iónica posterior; por ejemplo, el nitrógeno de la fotorresina de resina fenólica DNQ provocará un estallido local de la fotorresina);

b. Película dura para mejorar la capacidad de la fotorresina para proteger la superficie inferior durante la implantación iónica o el grabado;

c. Mejorar aún más la adhesión entre la fotorresina y la superficie de la oblea de silicio;

d. Reducir aún más el efecto de onda estacionaria.

PREGUNTAS MÁS FRECUENTES:

a. Horneado insuficiente. Debilita la resistencia de la fotorresina (resistencia al grabado y capacidad de bloqueo en la implantación iónica); reduce la capacidad de relleno de huecos para el orificio de la aguja; reduce la adhesión al sustrato.

b. Horneado excesivo. Provoca el flujo de la fotorresina, lo que reduce la precisión del patrón y empeora la resolución. Además, se puede utilizar luz ultravioleta profunda (DUV) para endurecer la película. La resina fotorresina positiva se reticula para formar una fina capa superficial dura, lo que aumenta la estabilidad térmica de la fotorresina. En los procesos posteriores de grabado por plasma e implantación iónica (125~2000 °C), se reduce la disminución de la resolución causada por el flujo de la fotorresina a alta temperatura.

9.Grabado o implantación iónica

El grabado es un proceso en la fabricación de dispositivos semiconductores que utiliza medios químicos para eliminar selectivamente partes específicas de una capa depositada. El grabado es fundamental para el rendimiento eléctrico del dispositivo. Si se producen errores durante el proceso de grabado, la oblea de silicio se desechará y será difícil recuperarla, por lo que se debe llevar a cabo un control de proceso estricto. Cada capa de un dispositivo semiconductor se somete a múltiples etapas de grabado.

El grabado se divide generalmente en grabado por haz de electrones y fotolitografía. La fotolitografía exige una gran planitud del material, por lo que requiere un alto grado de limpieza. Sin embargo, en el grabado por haz de electrones, debido a la longitud de onda extremadamente corta de los electrones, la resolución es mucho mejor que la de la fotolitografía. Al no requerir máscara, los requisitos de planitud no son tan exigentes, pero el grabado por haz de electrones es lento y el equipo es costoso.

En la mayoría de los procesos de grabado, ciertas partes de la capa superior de la oblea están protegidas por una máscara que no se puede grabar, lo que permite eliminar selectivamente porciones específicas de la capa. En algunos casos, el material de la máscara es fotorresistivo, similar al principio utilizado en la fotolitografía. En otros casos, la máscara de grabado debe ser resistente a ciertos productos químicos, y para crearla se puede utilizar nitruro de silicio.

La implantación iónica es un método técnico que acelera iones específicos en un campo eléctrico y luego los incorpora a otro material sólido. Esta tecnología permite modificar las propiedades físicas y químicas de los materiales sólidos y actualmente se utiliza ampliamente en la fabricación de dispositivos semiconductores y en la investigación de ciertos materiales. La implantación iónica puede provocar transformaciones nucleares o alterar la estructura cristalina de algunos materiales sólidos.

10.Eliminación de fotorresina

La función principal de la fotorresina es proteger la porción del sustrato que se encuentra debajo mientras toda el área se somete a procesos químicos o mecánicos. Por lo tanto, una vez finalizado dicho proceso, la fotorresina debe eliminarse por completo. Este paso se conoce como eliminación del adhesivo. Solo las fotorresinas estables a altas temperaturas, como las poliimidas fotosensibles, pueden permanecer en el dispositivo como recubrimiento intermedio o amortiguador.

Para evitar daños en la superficie tratada, se deben utilizar métodos químicos suaves a bajas temperaturas. La aplicación de ondas ultrasónicas también puede mejorar el proceso de decapado. Algunas soluciones de decapado conocidas no funcionan en superficies metálicas como el aluminio debido a problemas de corrosión; en este caso, se utiliza primero plasma de ozono u oxígeno (incineración). Estos plasmas también son eficaces como decapantes de fotolitografía para superficies que no son de aluminio; sin embargo, el daño a la superficie del dispositivo sigue siendo un problema que debe abordarse.

Tras el grabado o la implantación iónica, la fotorresina ya no es necesaria como capa protectora y puede eliminarse. Los métodos para eliminar el adhesivo se clasifican de la siguiente manera:

Eliminación de pegamento húmedo

Eliminación con disolventes orgánicos: Utilice disolventes orgánicos para eliminar la fotorresina.

Disolvente inorgánico: Mediante el uso de ciertos disolventes inorgánicos, el elemento carbono presente en la fotorresina, una materia orgánica, se oxida y se convierte en dióxido de carbono, que posteriormente se elimina.

Eliminación de fotorresina en seco: uso de plasma para eliminar la fotorresina.

Además de estos procesos principales, a menudo se utilizan algunos procesos auxiliares, como el grabado uniforme en una gran superficie para reducir el grosor del sustrato, o el proceso de eliminación de irregularidades en los bordes, etc. Generalmente, al fabricar chips semiconductores u otros componentes, es necesario fotolitografiar el sustrato varias veces.

Los pasos anteriores corresponden al proceso de fotolitografía. Los recopilo aquí para que todos puedan consultarlos. Espero que puedan corregirme.

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