Samsung Electronics, 10 nanometre sınıfı altıncı nesil (1c) DRAM sürecinde önemli ilerleme kaydederek verim oranını %50'nin üzerine çıkardı. Bu atılım, Samsung'un yüksek performanslı bellek pazarındaki rekabet gücünü artırma potansiyeline işaret ediyor ve bu yılın ikinci yarısında altıncı nesil Yüksek Bant Genişliği Belleğinin (HBM4) seri üretimine başlamayı planlıyor.

1c DRAM işlem teknolojisi düğümü yaklaşık 11-12 nanometredir. Mevcut ana akım dördüncü nesil (1a, ~14 nm) ve beşinci nesil (1b, ~12-13 nm) DRAM ile karşılaştırıldığında, 1c işlemi yalnızca daha yüksek yoğunluk sunmakla kalmaz, aynı zamanda güç tüketimini de etkili bir şekilde azaltır. Ayrıca, kalıp kalınlığı daha incedir, bu da HBM4'te daha fazla bellek katmanının istiflenmesini kolaylaştırarak kapasite ve bant genişliği yoğunluğunu önemli ölçüde artırır.

Samsung, geçen yıldan bu yana DRAM Geliştirme Başkanı Hwang Sang-joon liderliğinde 1c DRAM'in geliştirilmesine kendini tamamen adadı. Yeniden tasarım çalışmaları, Sang-joon tarafından yürütüldü. Performans ve verim hedeflerine ulaşılamamasının temel nedeninin, erken tasarım mimarisindeki kusurlar olduğunu belirten Sang-joon, tasarım aşamasından itibaren kapsamlı düzeltmelerin ilerleme için şart olduğunu vurguladı. Tasarım sürecini ayarlamaya yönelik bu üst düzey müdahale, Samsung'un teknolojik liderliği yeniden kazanma kararlılığını ortaya koyuyor.

Samsung ayrıca yılın ikinci yarısında HBM4 numunelerini tedarik etmeyi planlıyor ve "Kişiselleştirilmiş HBM"yi temel yeni stratejisi olarak konumlandırıyor.

HBM4, mantık kalıplarının DRAM yığınıyla entegrasyonuna olanak tanır. Döküm süreci boyunca genel mimariyi optimize ederek, farklı uygulamaların ihtiyaçlarına göre uyarlanmış verimli çözümler sunmayı hedefler. Ayrıca Samsung, genel performansı ve entegrasyon esnekliğini artırmak için kendi geliştirdiği 4 nanometrelik prosesi HBM4 yığınının tabanındaki mantık kalıbına uygulayacaktır.

Hakkımızda SLKOR:

SLKORMerkezi Çin'in Shenzhen kentinde bulunan , güç yarı iletken sektöründe hızla büyüyen ulusal bir yüksek teknoloji kuruluşudur. Pekin ve Suzhou'daki Ar-Ge merkezleriyle, temel teknik ekibi Tsinghua Üniversitesi'nden gelmektedir. Silisyum karbür (SiC) güç cihazı teknolojisinde bir yenilikçi olarak, SLKORÜrünleri yeni enerji araçları, fotovoltaik güç üretimi, endüstriyel IoT ve tüketici elektroniği alanlarında yaygın olarak kullanılmakta olup, dünya çapında 10,000'den fazla müşteriye kritik yarı iletken çözümleri sunmaktadır.

Şirket, SiC MOSFET'leri ve 2. nesil ultra hızlı kurtarma SBD diyotlarıyla verimlilik oranı ve termal kararlılık açısından sektör standartlarını belirleyen, yılda 5 milyardan fazla ünite teslim ediyor. SLKOR 100'den fazla buluş patenti bulunduruyor ve 2,000'den fazla ürün modeli sunuyor, güç cihazları, sensörler ve güç yönetimi IC'leri genelinde IP portföyünü sürekli olarak genişletiyor. ISO 9001, EU RoHS/REACH ve CP65 uyumluluğu gibi sertifikalar, şirketin teknolojik inovasyon, yalın üretim ve sürdürülebilir kalkınmaya olan kararlı bağlılığını göstermektedir.