Samsung Electronics heeft aanzienlijke vooruitgang geboekt in zijn 10-nanometerklasse zesde-generatie (1c) DRAM-proces, met een rendement van meer dan 50%. Deze doorbraak wijst op het potentieel van Samsung om zijn concurrentiepositie op de markt voor high-performance geheugen te versterken en is van plan om in de tweede helft van dit jaar te beginnen met de massaproductie van de zesde-generatie High Bandwidth Memory (HBM4).

De technologienode van het 1c DRAM-proces is ongeveer 11-12 nanometer. Vergeleken met de huidige mainstream DRAM van de vierde generatie (1a, ~14 nm) en vijfde generatie (1b, ~12-13 nm), biedt het 1c-proces niet alleen een hogere dichtheid, maar verlaagt het ook effectief het stroomverbruik. Bovendien is de chip dunner, wat het stapelen van meer geheugenlagen in HBM4 mogelijk maakt, wat de capaciteit en bandbreedte aanzienlijk verhoogt.

Samsung is sinds vorig jaar volledig toegewijd aan de ontwikkeling van 1c DRAM, onder leiding van DRAM Development Head Hwang Sang-joon, die de herontwerpinspanningen heeft geleverd. Hij wees erop dat de fundamentele reden voor het aanvankelijk niet halen van de prestatie- en opbrengstdoelstellingen lag in gebreken in de vroege ontwerparchitectuur. Hij benadrukte dat grondige correcties vanaf de ontwerpfase essentieel waren voor vooruitgang. Deze ingrijpende interventie om het ontwerpproces aan te passen, toont Samsungs vastberadenheid om technologisch leiderschap terug te winnen.

Samsung is van plan om in de tweede helft van het jaar ook HBM4-samples te gaan leveren, waarmee 'Customized HBM' als een nieuwe kernstrategie wordt gepositioneerd.

HBM4 maakt de integratie van logische chips met de DRAM-stack mogelijk. Door de algehele architectuur te optimaliseren via het foundryproces, streeft het naar efficiënte oplossingen die zijn afgestemd op de behoeften van verschillende toepassingen. Bovendien zal Samsung zijn zelfontwikkelde 4-nanometerproces toepassen op de logische chip aan de basis van de HBM4-stack om de algehele prestaties en integratieflexibiliteit te verbeteren.

Over ons SLKOR:

SLKOR, met hoofdkantoor in Shenzhen, China, is een snelgroeiende nationale hightechonderneming in de sector van vermogenshalfgeleiders. Met R&D-centra in Beijing en Suzhou is het technische kernteam afkomstig van de Tsinghua Universiteit. Als innovator in siliciumcarbide (SiC)-technologie voor vermogenscomponenten, SLKORDe producten van worden op grote schaal gebruikt in nieuwe energievoertuigen, fotovoltaïsche energieopwekking, industriële IoT en consumentenelektronica. Ze leveren essentiële halfgeleideroplossingen aan meer dan 10,000 klanten wereldwijd.

Het bedrijf levert jaarlijks meer dan 2 miljard eenheden, waarbij de SiC-MOSFET's en ultrafast recovery SBD-diodes van de 5e generatie de industrienormen bepalen op het gebied van efficiëntieverhouding en thermische stabiliteit. SLKOR bezit meer dan 100 octrooien voor uitvindingen en biedt meer dan 2,000 productmodellen aan, waarmee het zijn portfolio van intellectuele eigendomsrechten continu uitbreidt met vermogenscomponenten, sensoren en IC's voor stroombeheer. Certificeringen zoals ISO 9001, EU RoHS/REACH en CP65-conformiteit tonen de constante toewijding van het bedrijf aan technologische innovatie, lean manufacturing en duurzame ontwikkeling.