Samsung Electronics ha logrado un progreso significativo en su proceso de DRAM de sexta generación (10c) de 1 nanómetros, con una tasa de rendimiento superior al 50 %. Este avance demuestra el potencial de Samsung para mejorar su competitividad en el mercado de memoria de alto rendimiento y planea comenzar la producción en masa de la memoria de alto ancho de banda (HBM4) de sexta generación en el segundo semestre de este año.

El nodo tecnológico del proceso DRAM 1c tiene un grosor aproximado de 11-12 nanómetros. En comparación con las DRAM convencionales actuales de cuarta generación (1a, ~14 nm) y quinta generación (1b, ~12-13 nm), el proceso 1c no solo ofrece una mayor densidad, sino que también reduce eficazmente el consumo de energía. Además, el grosor del chip es menor, lo que facilita el apilamiento de más capas de memoria en HBM4, aumentando significativamente la capacidad y la densidad de ancho de banda.

Samsung se ha dedicado por completo al desarrollo de la DRAM 1c desde el año pasado, bajo la dirección de Hwang Sang-joon, director de desarrollo de DRAM, en el proceso de rediseño. Sang-joon señaló que la razón fundamental del fracaso inicial en alcanzar los objetivos de rendimiento y rendimiento residía en fallas en la arquitectura de diseño inicial. Enfatizó que las correcciones exhaustivas desde la fase de diseño eran esenciales para el progreso. Esta intervención de alto nivel para ajustar el proceso de diseño demuestra la determinación de Samsung por recuperar el liderazgo tecnológico.

Samsung también planea suministrar muestras de HBM4 en la segunda mitad del año, posicionando el "HBM personalizado" como una nueva estrategia central.

HBM4 permite la integración de matrices lógicas con la pila DRAM. Al optimizar la arquitectura general mediante el proceso de fundición, busca ofrecer soluciones eficientes adaptadas a las necesidades de diferentes aplicaciones. Además, Samsung aplicará su proceso de 4 nanómetros de desarrollo propio a la matriz lógica en la base de la pila HBM4 para mejorar el rendimiento general y la flexibilidad de integración.

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