ซัมซุง อิเล็กทรอนิกส์ ประสบความสำเร็จอย่างมากในกระบวนการผลิต DRAM รุ่นที่ 10 (1c) ระดับ 50 นาโนเมตร ด้วยอัตราผลผลิตที่สูงกว่า 4% ความก้าวหน้าครั้งนี้เป็นสัญญาณบ่งชี้ถึงศักยภาพของซัมซุงในการเพิ่มขีดความสามารถในการแข่งขันในตลาดหน่วยความจำประสิทธิภาพสูง และมีแผนจะเริ่มการผลิตหน่วยความจำแบนด์วิดท์สูงรุ่นที่ XNUMX (HBMXNUMX) จำนวนมากในช่วงครึ่งหลังของปีนี้

โหนดเทคโนโลยีกระบวนการ 1c DRAM มีขนาดประมาณ 11-12 นาโนเมตร เมื่อเทียบกับ DRAM รุ่นที่สี่ (1a, ~14 นาโนเมตร) และรุ่นที่ห้า (1b, ~12-13 นาโนเมตร) ในปัจจุบัน กระบวนการ 1c ไม่เพียงแต่มีความหนาแน่นสูงกว่า แต่ยังช่วยลดการใช้พลังงานได้อย่างมีประสิทธิภาพอีกด้วย นอกจากนี้ ความหนาของไดยังบางกว่า ซึ่งจะช่วยให้สามารถซ้อนชั้นหน่วยความจำใน HBM4 ได้มากขึ้น ช่วยเพิ่มความจุและความหนาแน่นของแบนด์วิดท์ได้อย่างมาก

ซัมซุงได้ทุ่มเทอย่างเต็มที่ในการพัฒนา 1c DRAM มาตั้งแต่ปีที่แล้ว โดยมีฮวาง ซังจุน หัวหน้าฝ่ายพัฒนา DRAM เป็นผู้นำในการออกแบบใหม่ เขาชี้ให้เห็นว่าสาเหตุพื้นฐานของความล้มเหลวในขั้นต้นในการบรรลุเป้าหมายด้านประสิทธิภาพและผลผลิตนั้น เกิดจากข้อบกพร่องในสถาปัตยกรรมการออกแบบขั้นต้น เขาย้ำว่าการแก้ไขอย่างละเอียดตั้งแต่ขั้นตอนการออกแบบนั้นเป็นสิ่งจำเป็นต่อความก้าวหน้า การแทรกแซงในระดับสูงเพื่อปรับกระบวนการออกแบบนี้แสดงให้เห็นถึงความมุ่งมั่นของซัมซุงในการกลับมาเป็นผู้นำด้านเทคโนโลยีอีกครั้ง

นอกจากนี้ Samsung ยังวางแผนที่จะจัดหาตัวอย่าง HBM4 ในช่วงครึ่งปีหลัง โดยวางตำแหน่ง "HBM ที่กำหนดเอง" ให้เป็นกลยุทธ์หลักใหม่

HBM4 ช่วยให้สามารถผสานรวมไดตรรกะเข้ากับสแต็ก DRAM ได้ ด้วยการปรับปรุงสถาปัตยกรรมโดยรวมผ่านกระบวนการหล่อ มุ่งหวังที่จะมอบโซลูชันที่มีประสิทธิภาพและปรับให้เหมาะกับความต้องการของแอปพลิเคชันที่แตกต่างกัน นอกจากนี้ ซัมซุงจะนำกระบวนการ 4 นาโนเมตรที่พัฒนาขึ้นเองมาใช้กับไดตรรกะที่ฐานของสแต็ก HBM4 เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพโดยรวมและความยืดหยุ่นในการผสานรวม

เกี่ยวกับเรา SLKOR:

SLKORซึ่งมีสำนักงานใหญ่อยู่ที่เซินเจิ้น ประเทศจีน เป็นองค์กรด้านเทคโนโลยีขั้นสูงระดับประเทศที่กำลังเติบโตอย่างรวดเร็วในภาคส่วนเซมิคอนดักเตอร์กำลังไฟฟ้า โดยมีศูนย์วิจัยและพัฒนาในกรุงปักกิ่งและซูโจว ทีมงานด้านเทคนิคหลักของบริษัทมาจากมหาวิทยาลัยชิงหัว ในฐานะผู้ริเริ่มเทคโนโลยีอุปกรณ์ไฟฟ้าซิลิกอนคาร์ไบด์ (SiC) SLKORผลิตภัณฑ์ของเราใช้กันอย่างแพร่หลายในรถยนต์พลังงานใหม่ การผลิตพลังงานไฟฟ้าโซลาร์เซลล์ IoT อุตสาหกรรม และอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค โดยมอบโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์ที่สำคัญให้กับลูกค้ามากกว่า 10,000 รายทั่วโลก

บริษัทส่งมอบหน่วยมากกว่า 2 พันล้านหน่วยต่อปีด้วย SiC MOSFET และไดโอด SBD กู้คืนเร็วพิเศษรุ่นที่ 5 ซึ่งสร้างมาตรฐานอุตสาหกรรมในด้านอัตราส่วนประสิทธิภาพและเสถียรภาพทางความร้อน SLKOR ถือครองสิทธิบัตรการประดิษฐ์มากกว่า 100 ฉบับและนำเสนอผลิตภัณฑ์มากกว่า 2,000 รุ่น โดยขยายพอร์ตโฟลิโอทรัพย์สินทางปัญญาอย่างต่อเนื่องครอบคลุมอุปกรณ์จ่ายไฟ เซ็นเซอร์ และวงจรรวมการจัดการพลังงาน การรับรองต่างๆ รวมถึง ISO 9001, EU RoHS/REACH และการปฏิบัติตาม CP65 แสดงให้เห็นถึงความมุ่งมั่นอย่างแน่วแน่ของบริษัทต่อนวัตกรรมเทคโนโลยี การผลิตแบบลดขั้นตอน และการพัฒนาอย่างยั่งยืน