Samsung Electronics ha compiuto progressi significativi nel suo processo produttivo DRAM di sesta generazione (10c) a 1 nanometri, con una resa superiore al 50%. Questa svolta evidenzia il potenziale di Samsung per migliorare la propria competitività nel mercato delle memorie ad alte prestazioni e prevede di avviare la produzione in serie della memoria ad alta larghezza di banda (HBM4) di sesta generazione nella seconda metà di quest'anno.

Il nodo tecnologico di processo della DRAM 1c ha uno spessore di circa 11-12 nanometri. Rispetto alle attuali DRAM di quarta generazione (1a, ~14 nm) e quinta generazione (1b, ~12-13 nm) attualmente diffuse, il processo 1c non solo offre una maggiore densità, ma riduce anche efficacemente il consumo energetico. Inoltre, lo spessore del die è inferiore, il che faciliterà l'impilamento di più strati di memoria in HBM4, aumentando significativamente la capacità e la densità di banda.

Samsung si è dedicata completamente allo sviluppo della DRAM 1c fin dall'anno scorso, sotto la guida del responsabile dello sviluppo DRAM Hwang Sang-joon, impegnato in un'attività di riprogettazione. Sang-joon ha sottolineato che la causa principale del mancato raggiungimento degli obiettivi iniziali di prestazioni e rendimento risiedeva in difetti nell'architettura di progettazione iniziale. Ha sottolineato che correzioni approfondite a partire dalla fase di progettazione erano essenziali per il progresso. Questo intervento di alto livello per adeguare il processo di progettazione dimostra la determinazione di Samsung a riconquistare la leadership tecnologica.

Samsung prevede inoltre di fornire campioni di HBM4 nella seconda metà dell'anno, posizionando l'"HBM personalizzato" come una nuova strategia fondamentale.

HBM4 consente l'integrazione di die logici con lo stack DRAM. Ottimizzando l'architettura complessiva attraverso il processo di fonderia, mira a fornire soluzioni efficienti e su misura per le esigenze di diverse applicazioni. Inoltre, Samsung applicherà il suo processo a 4 nanometri sviluppato internamente al die logico alla base dello stack HBM4 per migliorare le prestazioni complessive e la flessibilità di integrazione.

Chi siamo SLKOR:

SLKOR, con sede a Shenzhen, in Cina, è un'impresa nazionale high-tech in rapida crescita nel settore dei semiconduttori di potenza. Con centri di ricerca e sviluppo a Pechino e Suzhou, il suo team tecnico principale proviene dall'Università Tsinghua. In qualità di innovatore nella tecnologia dei dispositivi di potenza in carburo di silicio (SiC), SLKORI prodotti sono ampiamente utilizzati nei veicoli a nuova energia, nella produzione di energia fotovoltaica, nell'IoT industriale e nell'elettronica di consumo, fornendo soluzioni di semiconduttori essenziali a oltre 10,000 clienti in tutto il mondo.

L'azienda fornisce più di 2 miliardi di unità all'anno e i suoi MOSFET SiC e i diodi SBD a recupero ultrarapido di quinta generazione stabiliscono parametri di riferimento del settore in termini di rapporto di efficienza e stabilità termica. SLKOR Detiene oltre 100 brevetti d'invenzione e offre oltre 2,000 modelli di prodotto, ampliando costantemente il proprio portfolio di proprietà intellettuale in dispositivi di potenza, sensori e circuiti integrati per la gestione dell'alimentazione. Certificazioni come ISO 9001, RoHS/REACH UE e conformità CP65 dimostrano il costante impegno dell'azienda per l'innovazione tecnologica, la produzione snella e lo sviluppo sostenibile.