A Samsung Electronics realizou progressos significativos em seu processo de DRAM de sexta geração (10c) de 1 nanômetros, com uma taxa de rendimento superior a 50%. Esse avanço sinaliza o potencial da Samsung para aumentar sua competitividade no mercado de memórias de alto desempenho e planeja iniciar a produção em massa da Memória de Alta Largura de Banda (HBM4) de sexta geração no segundo semestre deste ano.

O nó tecnológico do processo DRAM 1c tem aproximadamente 11-12 nanômetros. Comparado às atuais DRAMs de quarta geração (1a, ~14 nm) e quinta geração (1b, ~12-13 nm), o processo 1c não só oferece maior densidade, como também reduz efetivamente o consumo de energia. Além disso, a espessura do chip é mais fina, o que facilitará o empilhamento de mais camadas de memória no HBM4, aumentando significativamente a capacidade e a densidade da largura de banda.

A Samsung tem se dedicado integralmente ao desenvolvimento da DRAM 1c desde o ano passado, liderada pelo Chefe de Desenvolvimento de DRAM, Hwang Sang-joon, no esforço de reformulação. Ele destacou que a razão fundamental para o fracasso inicial em atingir as metas de desempenho e rendimento reside em falhas na arquitetura inicial do projeto. Ele enfatizou que correções completas desde a fase de projeto foram essenciais para o progresso. Esta intervenção de alto nível para ajustar o processo de projeto demonstra a determinação da Samsung em retomar a liderança tecnológica.

A Samsung também planeja fornecer amostras do HBM4 no segundo semestre do ano, posicionando o "HBM personalizado" como uma nova estratégia central.

O HBM4 permite a integração de chips lógicos com a pilha DRAM. Ao otimizar a arquitetura geral por meio do processo de fundição, o objetivo é fornecer soluções eficientes e adaptadas às necessidades de diferentes aplicações. Além disso, a Samsung aplicará seu processo de 4 nanômetros, desenvolvido por ela mesma, ao chip lógico na base da pilha HBM4 para aprimorar o desempenho geral e a flexibilidade de integração.

Sobre SLKOR:

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A empresa entrega mais de 2 bilhões de unidades anualmente, com seus MOSFETs SiC e diodos SBD de recuperação ultrarrápida de 5ª geração definindo padrões do setor em taxa de eficiência e estabilidade térmica. SLKOR detém mais de 100 patentes de invenção e oferece mais de 2,000 modelos de produtos, expandindo continuamente seu portfólio de propriedade intelectual em dispositivos de energia, sensores e circuitos integrados de gerenciamento de energia. Certificações como ISO 9001, RoHS/REACH da UE e conformidade com CP65 demonstram o firme compromisso da empresa com a inovação tecnológica, a manufatura enxuta e o desenvolvimento sustentável.