Samsung Electronics a réalisé des progrès significatifs dans son procédé de fabrication de mémoires DRAM de sixième génération (10c) de 1 nanomètres, avec un rendement supérieur à 50 %. Cette avancée témoigne du potentiel de Samsung à renforcer sa compétitivité sur le marché des mémoires hautes performances. Samsung prévoit de lancer la production en série de sa mémoire à haut débit (HBM4) de sixième génération au second semestre de cette année.

Le nœud technologique du procédé DRAM 1c mesure environ 11 à 12 nanomètres. Comparé aux DRAM courantes de quatrième génération (1a, ~14 nm) et de cinquième génération (1b, ~12-13 nm), le procédé 1c offre non seulement une densité plus élevée, mais aussi une consommation énergétique réduite. De plus, l'épaisseur de la puce est plus fine, ce qui facilitera l'empilement de couches mémoire supplémentaires dans la mémoire HBM4, augmentant ainsi considérablement la capacité et la densité de bande passante.

Depuis l'année dernière, Samsung s'est entièrement consacré au développement de la DRAM 1c, sous la direction de Hwang Sang-joon, responsable du développement de la DRAM, dans le cadre de cette refonte. Ce dernier a souligné que l'échec initial à atteindre les objectifs de performance et de rendement résidait dans des défauts de l'architecture de conception initiale. Il a insisté sur l'importance de corrections approfondies dès la phase de conception pour progresser. Cette intervention de haut niveau visant à ajuster le processus de conception témoigne de la détermination de Samsung à reconquérir son leadership technologique.

Samsung prévoit également de fournir des échantillons HBM4 au cours du second semestre de l'année, positionnant ainsi le « HBM personnalisé » comme une nouvelle stratégie de base.

La technologie HBM4 permet l'intégration de puces logiques à la pile DRAM. En optimisant l'architecture globale grâce au processus de fonderie, elle vise à fournir des solutions performantes et adaptées aux besoins de différentes applications. De plus, Samsung appliquera son propre procédé de gravure 4 nanomètres à la puce logique à la base de la pile HBM4 afin d'améliorer les performances globales et la flexibilité d'intégration.

À propos SLKOR:

SLKOR, dont le siège social est à Shenzhen, en Chine, est une entreprise nationale de haute technologie en plein essor dans le secteur des semi-conducteurs de puissance. Avec des centres de R&D à Pékin et à Suzhou, son équipe technique principale est issue de l'Université Tsinghua. Innovateur dans la technologie des composants de puissance en carbure de silicium (SiC), SLKORLes produits de sont largement utilisés dans les véhicules à énergie nouvelle, la production d'énergie photovoltaïque, l'IoT industriel et l'électronique grand public, fournissant des solutions de semi-conducteurs critiques à plus de 10,000 XNUMX clients dans le monde.

La société livre plus de 2 milliards d'unités par an, avec ses MOSFET SiC et ses diodes SBD à récupération ultra-rapide de 5e génération établissant des références industrielles en termes de rapport d'efficacité et de stabilité thermique. SLKOR Détient plus de 100 brevets d'invention et propose plus de 2,000 9001 modèles de produits, élargissant continuellement son portefeuille de propriété intellectuelle aux dispositifs d'alimentation, aux capteurs et aux circuits intégrés de gestion de l'énergie. Ses certifications, notamment ISO 65, RoHS/REACH UE et CPXNUMX, témoignent de l'engagement indéfectible de l'entreprise en faveur de l'innovation technologique, de la production allégée et du développement durable.