Samsung Electronics đã đạt được những tiến bộ đáng kể trong quy trình sản xuất DRAM thế hệ thứ sáu (10c) trên công nghệ 1 nanomet, với năng suất vượt quá 50%. Bước đột phá này cho thấy tiềm năng của Samsung trong việc nâng cao khả năng cạnh tranh trên thị trường bộ nhớ hiệu suất cao và có kế hoạch bắt đầu sản xuất hàng loạt Bộ nhớ băng thông cao (HBM4) thế hệ thứ sáu vào nửa cuối năm nay.

Công nghệ quy trình DRAM 1c có kích thước khoảng 11-12 nanomet. So với DRAM thế hệ thứ tư (1a, ~14nm) và thế hệ thứ năm (1b, ~12-13nm) phổ biến hiện nay, quy trình 1c không chỉ mang lại mật độ cao hơn mà còn giảm đáng kể mức tiêu thụ điện năng. Ngoài ra, độ dày của đế chip cũng mỏng hơn, giúp dễ dàng xếp chồng nhiều lớp bộ nhớ hơn trong HBM4, tăng đáng kể dung lượng và mật độ băng thông.

Samsung đã toàn tâm toàn ý phát triển DRAM 1c từ năm ngoái, dưới sự chỉ đạo của Trưởng phòng Phát triển DRAM Hwang Sang-joon trong nỗ lực tái thiết kế. Ông chỉ ra rằng nguyên nhân cơ bản dẫn đến việc không đạt được các mục tiêu về hiệu suất và năng suất ban đầu nằm ở những sai sót trong kiến trúc thiết kế ban đầu. Ông nhấn mạnh rằng việc điều chỉnh kỹ lưỡng ngay từ giai đoạn thiết kế là điều cần thiết để đạt được tiến triển. Sự can thiệp cấp cao này nhằm điều chỉnh quy trình thiết kế thể hiện quyết tâm của Samsung trong việc giành lại vị thế dẫn đầu về công nghệ.

Samsung cũng có kế hoạch cung cấp mẫu HBM4 vào nửa cuối năm, định vị "HBM tùy chỉnh" là chiến lược cốt lõi mới.

HBM4 cho phép tích hợp các đế logic với bộ nhớ DRAM. Bằng cách tối ưu hóa kiến trúc tổng thể thông qua quy trình đúc, công nghệ này hướng đến việc cung cấp các giải pháp hiệu quả, phù hợp với nhu cầu của các ứng dụng khác nhau. Hơn nữa, Samsung sẽ áp dụng quy trình 4 nanomet do chính mình phát triển vào đế logic ở nền tảng của bộ nhớ HBM4 để nâng cao hiệu suất tổng thể và tính linh hoạt trong tích hợp.

Giới thiệu SLKOR:

SLKOR, có trụ sở chính tại Thâm Quyến, Trung Quốc, là một doanh nghiệp công nghệ cao quốc gia đang nổi lên nhanh chóng trong lĩnh vực bán dẫn điện. Với các trung tâm R&D tại Bắc Kinh và Tô Châu, đội ngũ kỹ thuật cốt lõi của công ty có nguồn gốc từ Đại học Thanh Hoa. Là một nhà đổi mới trong công nghệ thiết bị điện silicon carbide (SiC), SLKORCác sản phẩm của 'được sử dụng rộng rãi trong các loại xe năng lượng mới, sản xuất điện quang điện, IoT công nghiệp và điện tử tiêu dùng, cung cấp các giải pháp bán dẫn quan trọng cho hơn 10,000 khách hàng trên toàn cầu.

Công ty cung cấp hơn 2 tỷ sản phẩm mỗi năm, với SiC MOSFET và điốt SBD phục hồi siêu nhanh thế hệ thứ 5 thiết lập chuẩn mực của ngành về tỷ lệ hiệu suất và độ ổn định nhiệt. SLKOR nắm giữ hơn 100 bằng sáng chế phát minh và cung cấp hơn 2,000 mẫu sản phẩm, liên tục mở rộng danh mục IP của mình trên các thiết bị điện, cảm biến và IC quản lý điện. Các chứng nhận bao gồm ISO 9001, EU RoHS/REACH và tuân thủ CP65 chứng minh cam kết vững chắc của công ty đối với đổi mới công nghệ, sản xuất tinh gọn và phát triển bền vững.