据SK海力士官网消息，29月16日，SK海力士宣布成功开发出全球首款采用第六代5nm级（10c）工艺的1Gb DDR1 DRAM，公司计划年底前完成5c DDRXNUMX DRAM的量产准备，并于明年开始供货，引领半导体存储器市场发展。

据悉，SK海力士通过延伸1b DRAM平台开发1c工艺，不仅降低了工艺提升过程中可能出现的错误，同时保留了高性能。此外，部分EUV工艺开发并应用了新材料，整个工艺针对EUV适用性进行了优化，确保了成本竞争力。此外，1c工艺的设计技术创新使产能较上一代30b工艺提升了1%以上。

1c DDR5 DRAM 将主要用于高性能数据中心，运行速度为 8Gbps（每秒 8 千兆位），比上一代速度提升 11%。此外，能源效率也提高了 9% 以上。随着 AI 时代的兴起，数据中心的功耗不断增加。SK Hynix 声称，如果全球客户在其数据中心采用 SK Hynix 的 1c DRAM，该公司预计电力成本可降低高达 30%。

SK海力士强调，随着10nm级DRAM技术的世代推进，精细工艺难度增加。但基于备受认可的第五代（1b）技术，该公司已提高设计完成度并突破了技术极限。SK海力士DRAM开发副总裁金钟焕表示：“1c工艺技术兼具顶级性能与成本竞争力，公司将把它应用于下一代HBM1、LPDDR62、GDDR73和其他先进DRAM产品组，从而为客户提供差异化​​价值。”