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碳化矽(SiC)半導體材料為何擁有光明前景?
2022-03-16
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它們體積小、功能強大且效率極高:碳化矽半導體可以幫助將電池和感測器中的電力電子技術提升到一個新的水平——為電動車的突破做出重大貢獻,並支持工業數位化。
與傳統的矽半導體相比,碳化矽(SiC)功率電子半導體可以使用較小的材料製造。這是因為它們具有更大的頻寬,能夠以更小的熱損耗轉換電能。而矽半導體要達到相同的性能,尺寸則大得多。
300–500%
碳化矽半導體也是理想之選。超高速網路需要巨大的功率和效能,尤其是對傳輸站等基礎設施組件而言。為了加快智慧型手機的充電速度,製造商未來可能會使用碳化矽半導體。此外,這種新型半導體也非常適合用於無線充電器和資料中心伺服器。
基本上,所有半導體都是由晶體製成的,而晶體則是在極高的溫度下由粉末(例如矽或碳化矽)製成的。然後將晶體切割成薄片,稱為晶圓。非常複雜的電子電路可以沉積在晶圓上,最終形成微電子裝置。 新型SiC半導體材料的生產
超過50年
針對碳化矽半導體的製備和碳化矽晶體的生長,人們已經進行了大量的研究。碳化矽晶體的生長主要採用物理氣相傳輸(PVT)製程。此製程在高溫低壓條件下製備出微小的碳化矽晶體。顆粒透過載氣到達溫度較低的籽晶,並在過飽和狀態下結晶。
這是目前碳化矽晶片的尺寸。不久之後,直徑200毫米的碳化矽晶片將實現工業化生產。屆時,其尺寸將達到「傳統」矽基產業的標準,從而在碳化矽電子產品領域取得突破性進展。
10倍
與傳統的矽半導體相比,碳化矽(SiC)功率電子半導體可以使用較小的材料製造。這是因為它們具有更大的頻寬,能夠以更小的熱損耗轉換電能。而矽半導體要達到相同的性能,尺寸則大得多。
最多可減少 50%
300–500%
10%15%
適用於現代 5G 技術
碳化矽半導體也是理想之選。超高速網路需要巨大的功率和效能,尤其是對傳輸站等基礎設施組件而言。為了加快智慧型手機的充電速度,製造商未來可能會使用碳化矽半導體。此外,這種新型半導體也非常適合用於無線充電器和資料中心伺服器。
塑造無限可能性
的美元412億元
基本上,所有半導體都是由晶體製成的,而晶體則是在極高的溫度下由粉末(例如矽或碳化矽)製成的。然後將晶體切割成薄片,稱為晶圓。非常複雜的電子電路可以沉積在晶圓上,最終形成微電子裝置。 新型SiC半導體材料的生產
超過50年
針對碳化矽半導體的製備和碳化矽晶體的生長,人們已經進行了大量的研究。碳化矽晶體的生長主要採用物理氣相傳輸(PVT)製程。此製程在高溫低壓條件下製備出微小的碳化矽晶體。顆粒透過載氣到達溫度較低的籽晶,並在過飽和狀態下結晶。
攝氏2400度
10 14到天
直徑150mm
這是目前碳化矽晶片的尺寸。不久之後,直徑200毫米的碳化矽晶片將實現工業化生產。屆時,其尺寸將達到「傳統」矽基產業的標準,從而在碳化矽電子產品領域取得突破性進展。
註:本文轉載自《碳化矽半導體材料》,支持智慧財產權保護。轉載請註明原出處及作者。如有侵權,請聯絡我們刪除。
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