意法半導體（ST）於11日宣布，首批8英寸（200毫米）碳化矽（SiC）晶圓在瑞典諾爾雪平工廠生產完成；將SiC晶圓升級到8英寸標誌著意法半導體面向汽車和工業客戶的生產擴張計劃取得了階段性成功，提高了功率晶片的輕量化和客戶能獲取成本，並降低了電子晶片的成本。

義法半導體汽車及分立器件事業部總裁Marco Monti表示，汽車和工業市場正在加速系統和產品的電氣化進程。升級到8吋碳化矽晶圓將為意法半導體的汽車和工業客戶帶來巨大優勢。憑藉在碳化矽生態系統中累積的深厚專業知識，意法半導體可以提高製造靈活性，更有效地控制晶圓良率並提升產品品質。

義法半導體（ST）先進的量產型碳化矽STPOWER SiC目前在義大利卡塔尼亞和新加坡宏茂橋的兩座6吋晶圓廠生產。後端製程製造則在中國深圳和摩洛哥布斯庫拉的兩家封裝測試工廠進行。這一階段性的成功是意法半導體更先進、更具成本效益的8英寸SiC量產計劃的一部分；意法半導體正在實施一項計劃，擬建一座新的碳化矽襯底工廠，併計劃到2024年實現碳化矽襯底內部採購量超過40%。

據報道，意法半導體（ST）首批8吋碳化矽（SiC）晶圓品質極高，晶片良率和晶體位元錯誤率均極低。低缺陷率得益於意法半導體碳化矽公司（原諾思泰爾，於2019年被意法半導體收購）在碳化矽晶錠生長技術方面深厚的研發累積。除了晶圓本身符合嚴格的品質標準外，升級到8吋碳化矽晶圓還需要升級製造設備和配套生態系統。意法半導體正與供應鏈上下游的技術廠商合作，開發專屬的製造設備和生產流程。

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