一、參考不同

1.源極：簡稱場效電晶體。 T僅由多數載子傳導，這與雙極電晶體相反，也稱為單極電晶體。

2.汲極：利用外部電路的驅動能力來減少IC內部的驅動，或驅動高於晶片電源電壓的負載。

二、原理不同

1.來源：在N型半導體材料的兩側擴散高雜質濃度的P型區（以P+表示），形成兩個不對稱的P+N接面。兩個P+區並聯，引出一個電極，稱為閘極（g），在N型半導體的每一端引出一個電極。

2.汲極：將兩個P區的引線連接在一起作為電極，稱為閘極，並在N型矽片的每一端引出一個電極。

擴展信息：

原始碼結構原理

P溝道結型場效電晶體可以透過P型半導體兩側擴散高雜質濃度的N+區來製成。上圖所示為該種管子的結構圖及其在電路中的代表符號。通道的類型可以透過結型場效電晶體所表示的符號中閘極上的箭頭方向來確認。

排水結構原理

一般電晶體是由兩種極性的載子導電，即極性相反的多數載流子和少數載流子，因此稱為雙極型電晶體，而場效電晶體僅由多數載子導電。 ，與雙極電晶體相反，也稱為單極電晶體。

它是一種壓控半導體裝置，具有輸入電阻高（108-109Ω）、低雜訊、低功耗、動態範圍大、易於整合、無二次擊穿現象、安全工作區寬等優點。是極性電晶體和功率電晶體的有力競爭對手。

參考來源：

百度百科-來源

參考來源：

百度百科-Drain

請問mos管的閘極、源極、汲極的由來

閘極相當於閘極（開關）VG大於VT管導通，源極是電子來的地方，汲極是電子消失（洩漏）的地方。

MOS管的源極和汲極有什麼不同？

通道的極性與其汲極和源極相同，假設汲極和源極是n型，那麼通道也會是n型

動態MOS儲存單元利用MOS電晶體的閘極電容來儲存訊息，那麼為什麼電荷會被保存呢？

動態MOS儲存單元利用MOS管的閘極電容來儲存訊息，但由於閘極電容的容量很小，漏電流不可能絕對等於0，因此電荷儲存時間受到限制。

場效管的汲極、源極、閘極的作用是什麼？

FET的源極電位高於閘極電位（約0.4V）。

場效電晶體利用多數載子導電，因此稱為單極型元件，而電晶體同時具有多數載子和少數載子導電，稱為雙極型元件。

有些場效電晶體的源極和汲極可以互換使用，閘極電壓也可以正負，比電晶體更靈活。

場效電晶體可以在很小的電流和很低的電壓條件下工作，其製造過程可以輕鬆地將許多場效電晶體整合在一塊矽片上，因此場效電晶體在大規模積體電路中得到了廣泛的應用。應用範圍廣泛。 To-3p是直插式封裝，有字的一面朝自己，腳朝下，這樣從左到右分別是g、c、e。

其中 g 是門，

c是集電極，相當於d汲極，

e是發射極，相當於s源。

MOS管的源極和汲極有什麼不同？

1.區別：source（來源）來源資源，電源，中文翻譯為來源。充當收集器的電極。排水（drain）排水溝，漏水，中文翻譯是排水管。充當發射器的電極。

2.mos管是金屬-氧化物-半導體場效電晶體，或金屬-絕緣體-半導體。 MOS管的源極和汲極可以顛倒，都是在P型背柵中形成的N型區域。大多數情況下，這兩個區域是相同的，即使兩端顛倒，也不會影響裝置的效能。此類設備被認為是對稱的。 mos管的定義：場效電晶體的結構是利用雜質在n型半導體兩側擴散出高濃度的p型區域，以p+表示，形成兩個p+n結。從n型半導體的兩端引出兩個電極，分別稱為汲極d和源極s。兩側的p區引出電極並連接在一起作為柵極g。如果在汲極和源極之間施加正向電壓，n區的許多sub（即電子）就可以導電。它們從源頭 s 開始流向汲極 d。電流從d流向s的方向稱為漏極電流id。由於導電通道為n型，因此稱為n溝道結型場效電晶體。

場效電晶體（包括結型​​和絕緣柵型）的汲極和源極通常製成對稱的，並且汲極和源極可以互換使用。

但一些絕緣柵場效電晶體正在製作產品

源和基板連接在一起

，所以這種管子的源極和漏極是不能互換的，有的管子把襯底引到一個引腳上，就形成四個引腳了，一般來說p襯底接低電位，n基板接高電位，MS在半導體材料層面上沒有本質區別，當時在半導體裝置的設計中，襯底底電極一般都是接源極的，所以MOSFET的開關性能和V_{GS}有關，只要V_{GS}超過閾值就會導致On/off（取決於耗盡型還是增強型），所以本質上S，D是由半導體裝置內部連接方式決定的。所以反接會造成短路