完成一個半導體晶片涉及許多步驟，透過測試篩選出有缺陷的晶片非常重要。許多測試是在半導體製造過程中進行的。

- EDS (Electrical Die Sorting)，也稱為晶圓測試或探針測試，是在 FAB 步驟中晶圓加工完成時進行的。
- 最終測試是在晶片封裝後進行的。

今天我們將了解EDS，這是確保半導體晶片品質的一系列測試中的第一個。
EDS與提高半導體的良率有關。

EDS 發生在 FAB 步驟（將電路繪製到晶圓上）和封裝步驟（晶片具有最終產品的外觀）之間。顧名思義，對每個晶片進行電氣測試，以確保其滿足所需的品質等級。 EDS的目的如下：

- 在晶圓級篩選出有缺陷的半導體晶片，以改善後續的封裝和測試步驟，並節省成本。

- 修復有缺陷的晶片，提高良率並節省成本。

- 修正設計或FAB中發現的問題。

首先，測試電氣特性，確保每個晶片符合要求的品質等級。有缺陷但可修復的晶片被修復，而無法修復的有缺陷的晶片則用“墨水”標記。有缺陷的晶片從後續製程中去除，以提高製程效率。

EDS 對於提高半導體產量至關重要。良率是指符合品質要求的良好晶片相對於單一晶圓上最大晶片數量（GDPW，每晶圓的晶片總數）的百分比，是半導體生產效率的直接指標。

EDS 製程是透過晶圓和探針卡之間的接觸來執行的。探針卡上無數的小腳與晶圓接觸並發出電訊號，可以篩選出有缺陷的晶片。

EDS 過程有四個主要步驟，儘管 EDS 是由許多小過程組成的。

步驟 1 - 電氣測試和晶圓老化（ET 和 WBI）

電氣測試涉及測量半導體積體電路運作所需的各種元件（電晶體、電阻器、電容器和二極體）的直流電壓和電流特性。

電氣測試之後是晶圓老化測試。將晶圓加熱到一定溫度，然後施加交流和直流電壓以檢測任何缺陷或潛在問題。這一步大大增強了產品的可靠性。

第 2 步 - 熱/冷測試

在熱/冷測試中，使用電訊號檢測晶圓上的單一有缺陷的晶片。可修復的缺陷晶片被標記為在後續步驟中進行修復。為了確保晶片在不同溫度下完美運行，它們在高於和低於室溫的溫度下進行了測試。

第 3 步 - 修復/最終測試

修復步驟可能是 EDS 流程中最關鍵的步驟。

在修復步驟中，修復在熱/冷測試步驟中被認為可修復的晶片。修復後，進行最終測試以驗證修復是否正確執行。此步驟的通過/失敗結果是最終結果。

步驟 4 - 墨水標記

在墨水標記步驟中，有缺陷的晶片用特殊墨水標記以識別它們。經過墨水標記的晶片包括那些未通過熱/冷測試、未正確修復且未通過最終測試或未在晶圓上正確完成的晶片（虛擬晶片）。過去，使用實際的墨水標記來標記有缺陷的晶片，但現在，僅記錄數據來識別有缺陷的晶片。透過墨水標記識別出的缺陷晶片不會在封裝中進行進一步處理，從而節省了封裝和測試過程中的材料、設備、時間和勞動力。

墨水打標後，晶圓將被烘烤，接受品質控制（QC）檢查，然後進入封裝過程。

現在，我們距離完美半導體晶片的誕生僅幾步之遙。在下一篇文章中，我們將探討將半導體晶片封裝成適合安裝在設備中的形式的過程。