Die Nachrichten für den Markt für Schnellladetechnologie reißen nicht ab: Apples Finanzbericht für das erste Quartal 2021 vom 27. Januar zeigt, dass der iPhone-Umsatz dank der starken Nachfrage nach dem iPhone 12 im Vergleich zum Vorjahr um 17 % auf ein Rekordhoch von 65.6 Milliarden US-Dollar gestiegen ist. Der iPad-Umsatz legte im ersten Quartal um 40 % zu. Auch der Mac-Umsatz übertraf alle bisherigen Dezember-Rekorde. Apple hat im ersten Halbjahr über 90 Millionen Mobiltelefone für die Lieferkette bestellt. Apple-Analyst Ming-Chi Kuo erklärte gegenüber den Medien, dass Apple voraussichtlich zwei bis drei neue Galliumnitrid-Ladegeräte zusammen mit den neuen iPhones und MacBooks auf den Markt bringen wird. Dies dürfte der Galliumnitrid-Industrie einen entscheidenden Wachstumsschub verleihen.

IDC prognostiziert für 2021 ein enormes Wachstumspotenzial für 5G-Smartphones und erwartet eine Verdopplung des Marktes von rund 200 Millionen Einheiten im Jahr 2020 auf 500 Millionen Einheiten. Xiaomi, Vivo und Huawei haben nacheinander Galliumnitrid-Ladegeräte für ihre 5G-Flaggschiff-Smartphones auf den Markt gebracht. Obwohl die COVID-19-Pandemie in diesem Jahr noch nicht vollständig unter Kontrolle ist, haben Homeschooling und Online-Arbeit das Wachstum des Laptop-Marktes angekurbelt, und die Nachfrage nach Galliumnitrid-Ladegeräten, die ein schnelleres, effizienteres und leichteres Laden von Laptops ermöglichen, ist sprunghaft angestiegen.

Hat der Markt für Galliumnitrid-Ladegeräte in diesem Jahr einen Wendepunkt erreicht? 20-W-, 65-W- und 100-W-Galliumnitrid-Ladegeräte wurden in rascher Folge auf den Markt gebracht. Welche Produkte werden sich am Markt durchsetzen? Wie unterstützen Hersteller von Galliumnitrid-Chips Gerätehersteller bei der Entwicklung von Schnellladeprodukten? Wie entwickelt sich die Wertschöpfungskette für Galliumnitrid-Schnellladung? Basierend auf aktuellen Kundenerfahrungen interviewte der Reporter Li Wenhui, Vertriebsleiter von Nanos Semiconductor, Zhou Wei, Marketingleiter von Innosec, Zou Yanbo, Produktmanager für Anwendungsentwicklung, und Wu Xin, Vertriebsleiter von Nitrosilicon Technology. Sie gaben Einblicke in die neuesten Markttrends und analysierten technische Lösungen der Branche.

Wann wird der Markt für Galliumnitrid-Ladegeräte einen Wendepunkt erreichen?

2018 brachte Nanovi Semiconductor als erstes Unternehmen Galliumnitrid (GaN)-Schnellladegeräte auf den Markt. 2020 erkannten Branchenkollegen das enorme Potenzial des Marktes für mobile Geräte. Über 100 GaN-Schnellladegeräte gingen in die Serienproduktion. Die GaN-Technologie hat sich in Hochleistungsmärkten wie Elektrofahrzeugen, 5G, Rechenzentren und Solarenergie etabliert.

Am 26. Januar dieses Jahres gab Navitas Semiconductor offiziell bekannt, einen neuen Rekord bei den Chip-Auslieferungen aufgestellt zu haben. Das Unternehmen lieferte erfolgreich über 13 Millionen Galliumnitrid (GaN)-Leistungs-ICs aus und erzielte dabei keine Produktfehler. Dies spiegelt wider, dass der globale Markt für mobile Unterhaltungselektronik die Einführung von Galliumnitrid-Chips beschleunigt, um das Schnellladen mobiler Geräte und zugehöriger Ausrüstung zu ermöglichen.

Innosec aus Zhuhai, China, ist einer der drei weltweit größten Anbieter von Silizium-basierten Galliumnitrid-Leistungschips. Im vergangenen Jahr lieferte das Unternehmen vier Millionen Galliumnitrid-Chips aus. Vertriebsleiter Zhou Wei erklärte in einem Interview mit Elektronikbegeisterten, dass sich die Auslieferungen von Galliumnitrid-Chips in diesem Jahr voraussichtlich verzehnfachen werden. Er schätzte sogar optimistisch, dass die weltweiten Galliumnitrid-Lieferungen im vergangenen Jahr bei fast 15 Millionen Einheiten lagen und in diesem Jahr voraussichtlich 100 Millionen Einheiten übersteigen werden.

Da die Ansprüche der Verbraucher an ihre Lebensqualität stetig steigen, steht der Markt für Ladegeräte vor einer Reihe von Herausforderungen. Beispielsweise wünschen sich Verbraucher leistungsstärkere Ladegeräte mit schnelleren Ladezeiten. Gleichzeitig legen sie Wert auf ein kompaktes und ansprechendes Design bei gleichzeitig angemessenem Preis. Dies stellt Hersteller und Designer vor diverse Probleme, etwa hinsichtlich Effizienz, Temperatur, elektromagnetischer Störungen (EMI) und Kompatibilität der Ausgabeschnittstellenprotokolle.

Als einer der Kernwerkstoffe der Halbleitergeneration zeichnet sich Galliumnitrid (GaN) durch drei Hauptmerkmale aus: hohe Schaltfrequenz, große Bandlücke und geringer Durchlasswiderstand. Es arbeitet hundertmal schneller als herkömmliche Siliziumtechnologie (Si) und erzielt in modernen Schnellladegeräten eine deutlich höhere Leistung als bestehende Produkte. Die Ausgangsleistung wird bei gleicher Größe verdreifacht.

Bild: Li Wenhui, Vertriebsleiter von Navitas Semiconductor

Galliumnitrid-Ladegeräte stehen derzeit vor zwei großen Herausforderungen bei der Markteinführung. Li Wenhui, Vertriebsleiter von Navitas Semiconductor, erklärte: „Erstens handelt es sich bei GaN-Schnellladegeräten um eine neue Ladegerätetechnologie, deren Marktakzeptanz eine gewisse Entwicklungszeit benötigt. Zweitens sind Galliumnitrid-Ladegeräte mehr als doppelt so teuer wie herkömmliche Ladegeräte. Preissenkungen sind daher eine wichtige Voraussetzung für ihren Erfolg. 2018 kostete ein 45-Watt-GaN-Ladegerät 60 US-Dollar. Im vergangenen Jahr erreichte der Preis für Xiaomis 65-Watt-GaN-Ladegerät bereits 149 Yuan (23 US-Dollar), und selbst Drittanbieter-Marken boten ihre Geräte schon für 99 Yuan an. Unser Ziel ist es, bis Ende 2022 einen vergleichbaren Preis für GaN-Ladegeräte und Silizium-Ladegeräte zu erreichen. Sobald der Preis ein angemessenes Niveau erreicht hat, wird der Markt meiner Meinung nach einen Wendepunkt erreichen.“

Zhou Ji, Vertriebsleiter von Innosec, ist optimistischer. Er geht davon aus, dass der Wendepunkt des Marktes in etwa einem Jahr erreicht sein wird. Der Preis für GaN-Ladegeräte liegt nahe an dem von Silizium-Ladegeräten, und der Wendepunkt wird kommen. Innosec hat im vergangenen Jahr das Galliumnitrid-Leistungs-IC der ersten Generation, den INN650D 02, in Serie produziert. Die Markteinführung der zweiten Generation wird für das erste Halbjahr dieses Jahres erwartet. Dessen Leistung wurde weiter verbessert. Gleichzeitig können mit einem Wafer mehr Bauelemente hergestellt werden, was die Kosten senkt und die Produktionskapazität erhöht. All dies sind günstige Voraussetzungen für einen erfolgreichen Markteintritt.

Bild: Wu Junjun, Vertriebsleiter von Nitrosilicon Technology

Wu Junjun, Vertriebsleiter von Nitrogen Silicon Technology, erklärte gegenüber Reportern, dass GaN-Ladegeräte in zwei Jahren einen Wendepunkt auf dem Markt erreichen dürften. Bis 2023 werden Galliumnitrid-Chips nicht nur in Ladegeräten, sondern auch in Netzteilen, Beleuchtungsnetzteilen, TV-Netzteilen usw. weit verbreitet sein.

65-Watt-Galliumnitrid-Ladegeräte sind auf dem Markt weit verbreitet, wobei Kosten und Vielseitigkeit die beiden Schlüsselfaktoren sind.

Laut einer Umfrage unter Elektronikbegeisterten haben 10 Mobiltelefonhersteller im Jahr 2020 insgesamt 18 Modelle mit Galliumnitrid-Schnellladefunktion auf den Markt gebracht. OPPO, realme, Xiaomi, Nubia, Samsung, Lenovo und ZTE sind alle in den Markt für Galliumnitrid-Schnellladefunktionen eingestiegen. Angetrieben von Mobiltelefonherstellern und Drittanbietern gibt es mittlerweile Hunderte von Produkten mit Galliumnitrid-Schnellladefunktion im Leistungsbereich von 20 W bis 120 W und in verschiedensten Designs. Auch Notebook-Hersteller sind in den Markt für Galliumnitrid-Schnellladefunktionen eingestiegen, insbesondere im Bereich der Hochleistungsgeräte mit 65 W und mehr. Zu den bekanntesten Marken gehören Lenovo, Asus, Dell und Xiaomi.

Kürzlich erklärte Li Wenhui, Vertriebsleiter von Navitas Semiconductor, gegenüber Reportern: „Seit der zweiten Hälfte des letzten Jahres werden GaN-Ladegeräte in großen Stückzahlen auf den Markt gebracht. Wir erhalten monatlich Aufträge für 2-3 kundenspezifische Ladegeräte, und der Markt für Backend-Produkte von Drittanbietern wächst stetig. Galliumnitrid-Ladegeräte mit einer Leistung von 60 W bis 100 W haben sich zunehmend als Marktstandard etabliert.“

65 Watt haben sich als Standardkonfiguration für Galliumnitrid-Ladegeräte etabliert. Li Wenhui analysierte, dass dies zwei Hauptgründe hat. Erstens haben Xiaomi, OPPO und Huawei nacheinander 65-Watt-Galliumnitrid-Ladegeräte auf den Markt gebracht, was sich positiv auf den Markt ausgewirkt hat. Zweitens liegt der allgemeine Leistungsbedarf für Laptop-Netzteile bei 65 Watt, und die meisten neuen Laptops verwenden USB-C-Anschlüsse. Galliumnitrid-Ladegeräte sind mit zwei oder drei Anschlüssen erhältlich und berücksichtigen den USB-A-Anschluss, wodurch mehr mobile Endgeräte geladen werden können.

In Bezug auf die Veränderungen im Markt für Schnellladefunktionen wies Zhou, Vertriebsleiter von Innosec, darauf hin, dass USB PD und Typ-C die Ladegeräte verändern werden. Im vergangenen Jahr etablierten sich Typ-C- und USB-PD-Schnellladefunktionen bei Notebooks. Insbesondere in der zweiten Jahreshälfte begannen auch Hersteller von Elektrowerkzeugen und kleinen Haushaltsgeräten, USB PD-Schnellladen einzusetzen. Große Mobiltelefon- und Computerhersteller nähern sich diesem Standard zunehmend an. Darüber hinaus ist der Stromverbrauch von 5G-Mobiltelefonen deutlich gestiegen. Die Akkukapazität gängiger Mobiltelefone erreicht in der Regel mehr als 4,000 mAh. Das 65-W-Galliumnitrid-Ladegerät kann den Akku in 45 Minuten vollständig aufladen und in 10 Minuten 20–30 % erreichen, wodurch die Sorge um den Ladezustand der Geräte beseitigt wird.

Bild: Zou Yanbo, Produktanwendungsmanager bei Innosec

Zou Yanbo, Produktmanager bei Innosec, analysierte, dass 65 W sich vor allem aufgrund der Nachfrage von Kunden und Verbrauchern nach kostengünstigen Produkten als Standardkonfiguration etablieren könnten. Obwohl die Leistung von 100-W- bis 200-W-Galliumnitrid-Schnellladegeräten deutlich verbessert wurde, führt der erhöhte Bedarf an Leiterplatten zu einer Vergrößerung der Geräte und einem zu hohen Preis. Diese Technologie wird hauptsächlich zum Laden von Gaming-Laptops eingesetzt, und die aktuelle Nachfrage wird voraussichtlich nicht wesentlich steigen.

Gemäß den Vorgaben des staatlichen Stromnetzes müssen Schaltnetzteile mit einer Leistung von über 75 W mit einer PFC-Schaltung ausgestattet sein, um den Leistungsfaktor und die Lastcharakteristik zu verbessern. Hochleistungs-Galliumnitrid-Ladegeräte benötigen daher ebenfalls PFC-Schaltungen, was die Materialkosten deutlich erhöht. Verbraucher legen jedoch Wert auf kostengünstige Produkte. 65 W reichen für das universelle Laden von Mobiltelefonen und Laptops aus. Die Kosten für das Ladegerät bleiben somit in einem angemessenen Rahmen, was den Umstieg der Verbraucher von Silizium-Ladegeräten auf die neue Generation von Galliumnitrid-Ladegeräten begünstigt.

Die Galliumnitrid-Chips von Innosec wurden in 100-W-Single-C-Schnellladegeräten, 100-W-Multiport-Schnellladegeräten, 65-W-Single-C-Ultrathin-Schnellladegeräten, 150-W-LED-Netzteilen, Dual-Channel-Lidar-Systemen und anderen Produkttypen eingesetzt.

Abbildung: 100-W-Schnelllade-Demo mit mehreren Ports und Innosec-Chip

Auf der diesjährigen Online-Messe CES2021 wurde das Omega-Ladegerät mit zwei NanoVis GaNFast-Leistungs-ICs (NV6127) mit dem Innovationspreis ausgezeichnet. Es ist das weltweit kleinste 200-Watt-Galliumnitrid-Ladegerät und bis zu 66 % kleiner als herkömmliche Ladegeräte. Es ist mit allen führenden Herstellern wie Apple, Samsung, Huawei, Qualcomm, OPPO und Vivo kompatibel.

Abbildung: 200-W-Mini-Ladegerät mit Nanomicro-Leistungschip

Wu Junjun, Vertriebsleiter von Nitrogen Silicon Technology, stellte Journalisten die Produktreihe für 65-W-Schnellladung vor, darunter 65-W-Mini-PD-Schnellladung, 65-W-1A1C-Galliumnitrid-Schnellladung und 65-W-2C1A-Galliumnitrid-Schnellladung. Die 65-W-Mini-Single-C- und 1C1A-Varianten sind inländische Versionen und umfassen Steuer-IC, Synchrongleichrichtung und Protokoll-IC – allesamt inländische Produkte. Darüber hinaus hat Nitrogen Silicon im Bereich der Hochleistungs-120-W-Schnellladung nach mehrmonatiger Anwendungsforschung das Problem der Schaltungsinterferenzen bei der branchenüblichen PFC+LLC-Topologie der Galliumnitrid-Schnellladung erfolgreich gelöst und eine 120-W-2C1A-Galliumnitrid-Schnellladelösung auf den Markt gebracht.

Auf Bilibili sahen wir Feedback von einem Verbraucher:

Ein Journalist mit dem Spitznamen „Yijiu Wuqi“ gab an, dass er bei der Pressekonferenz zum Xiaomi 11 den Mobiltelefonen von Xiaomi nicht allzu viel Aufmerksamkeit geschenkt habe. Stattdessen sei er vom 65-Watt-Galliumnitrid-Ladegerät von Xiaomi tief beeindruckt gewesen. Unmittelbar nach Ende der Pressekonferenz habe er dieses Ladegerät auf der offiziellen Website bestellt.

Er erklärte, dass herkömmliche Ladegeräte oft zu groß, unhandlich und schwer zu transportieren seien. Da er mehrere Endgeräte besitzt, wünscht er sich insbesondere auf Geschäftsreisen, mehrere Geräte mit nur einem Ladegerät aufladen zu können. Das 65-Watt-Galliumnitrid-Ladegerät von Xiaomi ist nur ein Drittel so groß wie ein herkömmliches Silizium-Ladegerät. Er testete das einportige Galliumnitrid-Ladegerät von Xiaomi und war mit der Ladeleistung im Allgemeinen zufrieden. Darüber hinaus testete er auch andere zweiportige Galliumnitrid-Ladegeräte auf dem Markt und stellte fest, dass beim gleichzeitigen Laden der USB-A-Anschluss den Stromfluss unterbricht, der USB-C-Anschluss jedoch normal funktioniert. Die beiden Anschlüsse beeinflussen sich gegenseitig. Außerdem lud er mit dem 65-Watt-Galliumnitrid-Ladegerät sein Apple MacBook Pro problemlos auf und konnte problemlos im Internet surfen, Videos ansehen und bearbeiten.

Sind Galliumnitrid-Chips ausverkauft? Die Bildung einer ökologischen Wertschöpfungskette beflügelt den Ladegerätemarkt.

Die Marktdurchdringung von GaN-Netzteilen nimmt stetig zu, und verschiedene Hersteller sind aktiv in diesem Bereich tätig. Obwohl der Markt für GaN-Netzteile im Vergleich zum 32.8 Milliarden US-Dollar schweren Markt für Silizium-Netzteile noch relativ klein ist, prognostiziert Yole ein Wachstum von 55 % zwischen 2021 und 2023. Der Markt für GaN-Netzteile soll 2023 ein Volumen von 420 Millionen US-Dollar erreichen. Aktuell sind Navitas aus Irland, Power Integrations aus den USA und Innosec aus China die drei weltweit führenden Anbieter von Schnellladelösungen auf Basis von Galliumnitrid-Chips.

Im letzten Quartal des vergangenen Jahres begannen die Engpässe bei Halbleiterchips zuzunehmen. Auch zu Beginn des Jahres 2021 scheinen sich die Engpässe in der Chipindustrie nicht zu bessern. Weltweit breiten sich Engpässe bei Mikrocontrollern (MCUs), Bluetooth-Chips, NOR-Flash-Chips für TWS-Headsets und Chips für die Automobilindustrie aus. Branchenkennern zufolge wird die unzureichende Produktionskapazität der 8-Zoll-Waferfabriken bis Ende des ersten Halbjahres dieses Jahres anhalten. Um das Problem der Produktionskapazität grundlegend zu lösen, bleibt Chipherstellern nur die Möglichkeit, Aufträge von 8-Zoll-Waferfabriken auf die 12-Zoll-Produktion umzustellen. Ein taiwanesischer Analyst geht davon aus, dass sich die globale Produktionskapazitätsproblematik bei 8-Zoll-Waferfabriken im ersten Halbjahr dieses Jahres nicht verbessern wird. Für nachgelagerte Chiphersteller hat die von den Waferfabriken bezogene Produktionskapazität direkte Auswirkungen auf ihren Geschäftserfolg.

„Viele Waferhersteller haben in diesem Jahr ihre Preise erhöht, und ihre Produktionskapazitäten sind knapp. Insbesondere in diesem Jahr sind Galliumnitrid-Ladegeräte in großen Mengen auf dem Markt. Wie sieht es mit der Versorgung mit Galliumnitrid-Leistungschips aus?“ Li Wenhui, Vertriebsleiter von Navitas Semiconductor, antwortete den Journalisten: „Der von Navitas eingeführte GaNFast-Galliumnitrid-Chip wird auf dedizierten Produktionslinien gefertigt. Navitas ist der größte Kunde der GaN-Produktionslinie von TSMC. Wir pflegen seit Langem eine enge Zusammenarbeit mit dem Lieferanten, und die Lieferzeiten sind im Vergleich zum Vorjahr unverändert. Xiaomi und OPPO liefern beide regulär, und Verbraucher können Ladegeräte mit Galliumnitrid-Leistungschips im Nanomaßstab über die üblichen Vertriebskanäle erwerben.“

Branchenexperten wiesen darauf hin, dass Galliumnitrid-Schnellladegeräte im Wesentlichen aus zwei Kernkomponenten bestehen: einem Power-Management-IC-Chip und einem diskreten Leistungsbauelement. Im Demontagediagramm ist ersichtlich, dass das Ladegerät aus vier Hauptteilen besteht: dem Galliumnitrid-Leistungsbauelement, dem Protokollchip, dem Hauptsteuerchip, dem Synchrongleichrichterchip sowie Schaltungen und Kondensatoren. Li Wenhui, Vertriebsleiter von Navitas Semiconductor, betonte, dass nur die Zusammenarbeit von Herstellern von Galliumnitrid-Leistungschips, Protokollchips, Synchrongleichrichterchips und Hauptsteuergeräten das rasante Wachstum des gesamten Marktes für Galliumnitrid-Ladegeräte fördern kann. Beispielsweise ist ein 2A2C-Galliumnitrid-Ladegerät mit 65 W mit ein bis zwei Leistungs-ICs, einem Hauptsteuerchip (ON Semiconductor/Xinyuan) und vier Protokollchips von Cypress/Zhirong ausgestattet. Daher kann die koordinierte Entwicklung der gesamten Wertschöpfungskette die Versorgung und einen positiven Kreislauf im Markt für Galliumnitrid-Ladegeräte gewährleisten.

Für die zukünftige rasante Entwicklung von Galliumnitrid-Chips ist die Sicherstellung ausreichender Produktionskapazitäten eine wichtige Voraussetzung. Zhou Yi, Vertriebsleiter von Innosec, ist überzeugt, dass chinesische Chiphersteller ihre Produktionskapazitätsprobleme nur lösen können, indem sie Chipdesign und -fertigung mithilfe des IDM-Modells integrieren und die gesamte Wertschöpfungskette kontrollieren.

Im Jahr 2018 erreichte die Produktionskapazität der 8-Zoll-Waferfabrik von Innosec in Zhuhai 4,000 Wafer pro Monat. Bereits seit 2018 plant Innosec den Bau einer größeren Waferfabrik. Am 19. September 2020 fand die Inbetriebnahme der neuen Halbleiterfabrik der dritten Generation von Innosec in Suzhou statt. Nach vollständiger Inbetriebnahme wird eine monatliche Produktionskapazität von 65,000 8-Zoll-Galliumnitrid-Wafern auf Siliziumbasis erwartet. Das Produktportfolio des Unternehmens umfasst Galliumnitrid-Chips mit Spannungen von 30 V bis 650 V. Die Produkte liefern wichtige elektronische Komponenten für die eigenständige Innovation und Entwicklung strategischer Zukunftsbranchen wie 5G-Mobilkommunikation, Rechenzentren, Elektrofahrzeuge, autonomes Fahren und Schnellladen von Mobiltelefonen.

Die rasante Entwicklung von Innosec hat auch zur Öffnung der Lieferkette für Galliumnitrid-Chips und Peripheriechips in China geführt. Bei der Demontage eines 20-W-GaN-Ladegeräts von Innosec stellten wir fest, dass der Protokollchip von Huinengtai und der Steuerchip von Nanxin Semiconductor stammen. Durch den kontinuierlichen Markteintritt inländischer Hersteller hat sich die heimische Galliumnitrid-Industriekette schrittweise etabliert, sodass eine großflächige Versorgung bei gleichzeitiger Qualitätssicherung gewährleistet werden kann. Zhou gab bekannt, dass über 40 Partner von Innosec Galliumnitrid-Ladegeräte in Serie produzieren. In den nächsten zwei Jahren wird das Volumen von Niederspannungs-Galliumnitrid-Produkten stetig steigen. Neben Ladegeräten finden Galliumnitrid-Chips auch in der Industrie, in KI-Rechenzentren und im Lidar-Bereich Anwendung.

Aktuell ist inländisches GaN im Wesentlichen stromsparend, hauptsächlich aus zwei Gründen: Zum einen ist die Hürde für den GaN-Herstellungsprozess sehr hoch und die Technologie noch nicht ausgereift; zum anderen muss auch der Power-Management-IC neu entwickelt werden, und bisherige Lösungen lassen sich nicht kopieren. Viele inländische Start-ups sind in diesem Bereich aktiv, doch wer sich letztendlich durchsetzen kann, wird der Markt erst noch zeigen. GaN verwendet heteroepitaktische Materialien, was große Herausforderungen für Design und Fertigung mit sich bringt. Weltweit gibt es nur sehr wenige ausgereifte Produktionsanlagen für die GaN-Massenfertigung.

Die Kosten für GaN-Ladegeräte sind zwar doppelt so hoch wie die herkömmlicher Ladegeräte, sinken aber jährlich um 20–30 %. Ich bin überzeugt, dass mit der Einführung von Standard-Galliumnitrid-Ladegeräten durch weitere Mobiltelefonhersteller wie Apple, Huawei und Xiaomi neue Marktchancen entstehen werden. Hersteller mit Designkompetenz, technischer Expertise und Produktionskapazitäten für GaN werden sich in diesem hart umkämpften Markt eine vorteilhafte Position sichern können.

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