1.1 Der inländische Markt für elektrische Geräte ist riesig, und die beschleunigte Importsubstitution ist das Thema der Branchenentwicklung.

Halbleiterprodukte lassen sich in integrierte Schaltungen, diskrete Bauelemente und weitere Kategorien unterteilen. Leistungshalbleiterbauelemente bilden dabei einen wichtigen Teil der diskreten Bauelemente. Integrierte Schaltungen integrieren verschiedene Basiskomponenten auf einem kleinen Chip und bilden so eine multifunktionale Einheit, die hauptsächlich der Verarbeitung, Speicherung und Umwandlung von Informationen dient. Diskrete Bauelemente hingegen sind Basiskomponenten mit einer einzigen Funktion, die vorwiegend der Verarbeitung und Umwandlung elektrischer Energie dienen. Zu den diskreten Bauelementen zählen insbesondere Leistungsdioden, Leistungstransistoren, Thyristoren, MOSFETs, IGBTs und weitere Produkte. Die von unserem Unternehmen hergestellten MOSFET- und IGBT-Serien zählen zu den führenden Halbleiterprodukten auf dem chinesischen Markt.

Die Entwicklung diskreter Bauelementtechnologien wird durch nachgelagerte Anforderungen vorangetrieben. Verbesserungen und Weiterentwicklungen in Leistung, Struktur, Materialien usw. ermöglichen ein breiteres Anwendungsspektrum. Frühe Dioden und Transistoren wurden hauptsächlich in Industrie- und Energiesystemen eingesetzt; Thyristoren verbesserten die Steuerbarkeit; Bauelemente wie Leistungs-MOSFETs und IGBTs erzielten signifikante Verbesserungen bei Hochfrequenz- und Verlustleistung; Superjunction-MOSFETs durchbrachen die traditionelle „Siliziumgrenze“ und erfüllten die Anforderungen von Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen; siliziumbasierte Bauelemente wurden schrittweise bis an ihre Grenzen entwickelt, und Halbleitermaterialien der dritten Generation, SiC und GaN, begannen, Silizium zu ersetzen.

Diskrete Halbleiterbauelemente gehören zu den grundlegenden und wichtigsten Komponenten von Leistungselektronikprodukten. Der Markt für diskrete Bauelemente in China hat ein Volumen von 270 Milliarden Yuan. Laut Angaben des Nationalen Statistikamtes lag der Anteil der diskreten Bauelemente an der gesamten Halbleiterindustrie in den letzten Jahren konstant zwischen 22 % und 25 %. China ist der weltweit wichtigste Produktionsstandort für diskrete Halbleiterbauelemente und der größte Markt dafür. Nach Angaben des Chinesischen Halbleiterindustrieverbandes erreichten die jährlichen Umsätze mit diskreten Bauelementen in China im Jahr 2018 266 Milliarden Yuan, ein Anstieg von 7,5 % gegenüber dem Vorjahr. Im gleichen Zeitraum erreichte die inländische Produktionsmenge diskreter Bauelemente 747.1 Milliarden Einheiten.

In den letzten Jahren hat sich in der chinesischen Halbleiterindustrie ein deutlicher Trend zur Importsubstitution abgezeichnet, und das Importvolumen ist merklich zurückgegangen. Laut Statistiken des chinesischen Halbleiterindustrieverbandes beliefen sich die chinesischen Halbleiterimporte 2018 auf 28.5 Milliarden US-Dollar und lagen damit nahezu auf dem Niveau von 2017. Technologisch gesehen hinkt die heimische Industrie derzeit noch hinter dem internationalen Spitzenniveau her. Die Produktstruktur ist überwiegend durch Produkte im unteren und mittleren Preissegment geprägt, während Importe im mittleren bis oberen Preissegment über 70 % ausmachen.

Auf dem 1.2 Milliarden Dollar schweren Markt für Leistungshalbleiter verlagern sich inländische Geräte von Anwendungen im mittleren und unteren Preissegment hin zu High-End-Anwendungen.

Leistungshalbleiter sind ein wichtiger Bestandteil diskreter Halbleiterbauelemente und treiben das rasante Wachstum des chinesischen Marktes für diskrete Halbleiterbauelemente maßgeblich voran. Zu den Leistungshalbleitern zählen vor allem Leistungsdioden, Leistungstransistoren, Thyristoren, MOSFETs, IGBTs usw., die in nahezu allen Bereichen der Elektronikfertigung eingesetzt werden, darunter Computer, Netzwerkkommunikation, Unterhaltungselektronik, Automobilelektronik, Industrieelektronik und weitere Elektronikindustrien. Darüber hinaus haben sich aufstrebende Anwendungsfelder wie Elektrofahrzeuge/Ladesäulen, die Herstellung intelligenter Geräte, das Internet der Dinge und Photovoltaik zu wichtigen Absatzmärkten für Halbleiter-Leistungshalbleiter entwickelt und treiben somit deren Nachfragewachstum an.

Der chinesische Markt für Leistungshalbleiter hat ein Volumen von 100 Milliarden Yuan, und die zehn größten Unternehmen weltweit werden von ausländischen Konzernen dominiert. Laut aktuellen Statistiken von IHS Markit belief sich der globale Markt für Leistungshalbleiter im Jahr 2018 auf rund 39.1 Milliarden US-Dollar und soll bis 2021 auf 44.1 Milliarden US-Dollar anwachsen. Die chinesische Wertschöpfungskette für Leistungshalbleiter entwickelt sich derzeit stetig weiter. Als weltweit größter Abnehmer von Leistungshalbleitern erreichte Chinas Marktnachfrage im Jahr 2018 13.8 Milliarden US-Dollar, was 35 % der globalen Nachfrage entspricht. Für 2021 wird ein Marktvolumen von 15.9 Milliarden US-Dollar erwartet.

Die drei wichtigsten Produkte auf dem chinesischen Markt für Leistungshalbleiter sind Leistungsmanagement-ICs, MOSFETs und IGBTs mit Marktanteilen von 60.98 %, 20.21 % bzw. 13.92 % im Jahr 2018. Die Märkte für Leistungs-MOSFETs und IGBTs wachsen rasant mit durchschnittlichen jährlichen Wachstumsraten von 15 % bzw. 12 % zwischen 2016 und 2018.

Die Märkte für Leistungs-MOSFETs und IGBTs wachsen rasant, wobei Elektrofahrzeuge die Haupttriebkraft für nachgelagerte Anwendungen darstellen. Laut Daten von Yole sind Elektrofahrzeuge und die Industrie die beiden wichtigsten Anwendungsbereiche für IGBTs und MOSFETs. Im Jahr 2023 wird der Markt für Elektrofahrzeuge voraussichtlich 3.7 Milliarden US-Dollar und der Industriebereich 2.5 Milliarden US-Dollar erreichen. Dank der starken Entwicklung von Servomotor-Wechselrichtern, Photovoltaik-Wechselrichtern für erneuerbare Energien und Windkraftanlagen in der Industrieautomation sowie von Wechselrichtern für Elektromotoren und Ladeinfrastruktur werden die Automobil- und Industriemärkte mit jährlichen Wachstumsraten von 8.2 % bzw. 3.8 % die beiden am schnellsten wachsenden Bereiche der Leistungshalbleiterindustrie sein.

1.3 Neue Anwendungen fördern die Entwicklung der Branche, und Materialien mit großer Bandlücke erweitern die Möglichkeiten der technologischen Weiterentwicklung.

1.3.1 Es wird erwartet, dass Fahrzeuge mit neuen Antrieben einen zusätzlichen Markt im Wert von mehreren zehn Milliarden Dollar generieren werden.

Die Umstellung traditioneller Automobile auf alternative Antriebe hat die Entwicklung der Leistungshalbleiterindustrie maßgeblich vorangetrieben. Der Markt für Elektrofahrzeuge wird in der Anfangsphase von politischen Maßnahmen und später von den Marktpreisen bestimmt. Führende Industrieländer haben Zeitpläne zur Reduzierung der CO₂-Emissionen von Automobilen entwickelt, um die Entwicklung von Elektrofahrzeugen zu beschleunigen. Die Europäische Union erwartet einen Rückgang der CO₂-Emissionen um 37.5 % bis 2030, und wichtige Automobilländer haben Pläne entworfen, den Verkauf von Fahrzeugen mit Verbrennungsmotor einzustellen. In den nächsten zehn Jahren werden verschiedene Regionen durch politische Maßnahmen und Marktentwicklungen schrittweise einen Teil des Marktanteils traditioneller Automobile ersetzen.

Der Trend zur Fahrzeugelektrifizierung und die zunehmende Marktdurchdringung von Elektrofahrzeugen treiben das rasante Wachstum der Marktnachfrage nach Leistungshalbleitern für die Automobilindustrie an. Mit dem steigenden Elektrifizierungsgrad von Automobilen – von Mikrohybridmodellen mit Start-Stopp-Funktion bis hin zu vollelektrischen Fahrzeugen mit Energierückgewinnung und On-Board-Ladefunktion – wächst auch der Bedarf an Leistungshalbleitern. Zu den Leistungshalbleitern für Elektrofahrzeuge zählen vor allem Motorwechselrichter, DC/DC-Wandler, Hilfsantriebe, OBC-Ladewechselrichter und ICs für das Batteriemanagement.

Durch die Einteilung von Fahrzeugen in Verbrenner, Plug-in-Hybride und reine Elektrofahrzeuge und den Vergleich der Materialkostenanteile zeigt sich, dass der Kostenanteil der elektronischen Steuerungssysteme durch den Einsatz elektrischer Systeme als Energiequelle in Plug-in-Hybriden und reinen Elektrofahrzeugen deutlich gestiegen ist. Der Energieaufwand für die Komponenten herkömmlicher Verbrenner liegt bei etwa 50 US-Dollar pro Fahrzeug, während er bei Elektrofahrzeugen von 75 US-Dollar pro Fahrzeug für 48-V-Mildhybride auf 455 US-Dollar pro Fahrzeug für reine Elektrofahrzeuge ansteigt.

Laut dem Plan des Ministeriums für Industrie und Informationstechnologie für die Energiefahrzeugindustrie werden Fahrzeuge mit alternativen Antrieben im Jahr 2025 25 % und im Jahr 2030 40 % des Gesamtabsatzes ausmachen. Das Wachstum des Automobilmarktes insgesamt ist mit einer jährlichen Wachstumsrate von lediglich 1–2 % gering. Es wird jedoch erwartet, dass sich die Marktdurchdringung aufgrund politischer Maßnahmen beschleunigen wird. Schätzungen zufolge werden in China im Jahr 2025 6.4 Millionen und im Jahr 2030 11 Millionen Fahrzeuge mit alternativen Antrieben verkauft. Diese Fahrzeuge lassen sich nach ihrer technischen Ausstattung in Plug-in-Hybride (PHEV) und reine Elektrofahrzeuge (EV) unterteilen. Derzeit liegt der Anteil der Elektrofahrzeuge bei etwa 80 %, und es wird erwartet, dass dieser Anteil zukünftig auf 85 % steigen wird. Kurzfristig steht der Markt aufgrund der Pandemie unter Druck. Mittel- und langfristig wird für den chinesischen Markt für Fahrzeuge mit alternativen Antrieben ein rasantes Wachstum erwartet. Die durchschnittliche jährliche Wachstumsrate (CAGR) wird für die nächsten zehn Jahre auf 25.3 % geschätzt.

Da sich die einzelnen Fahrzeugmodelle deutlich unterscheiden, wird angenommen, dass der Bedarf an Antriebskomponenten in rein elektrischen Fahrzeugen (EV) von der Kategorie A00 bis zur Kategorie C steigt. Der Wert der entsprechenden Antriebskomponenten wird auf 800, 1000 bzw. 3000–3500 Yuan pro Fahrzeug geschätzt. Da Plug-in-Hybridfahrzeuge (PHEV) ein elektrisches System darstellen, das an das Kraftstoffsystem angeschlossen ist, wird der Verbrauch an Antriebskomponenten auf 2,100 Yuan pro Fahrzeug geschätzt. Berechnungsergebnisse: Der Markt für Antriebskomponenten für neue Energiefahrzeuge in China wird voraussichtlich bis 2025 ein zusätzliches Volumen von 16 Milliarden Yuan und bis 2030 von 27.5 Milliarden Yuan erreichen.

1.3.2 Ladesäulen zur Unterstützung der Ladeinfrastruktur für Fahrzeuge mit neuer Energie

Ladesäulen und Elektrofahrzeuge verhalten sich analog zu herkömmlichen Fahrzeugen und Tankstellen. Der Ausbau der Ladesäulen muss mit der Entwicklung des Elektrofahrzeugbestands abgestimmt werden, um ein Ungleichgewicht zwischen Fahrzeugen und Ladesäulen zu vermeiden. Ladesäulen lassen sich anhand ihrer Schnittstelle in zwei Kategorien unterteilen: Wechselstrom-Langsamladung und Gleichstrom-Schnellladung. Da Gleichstrom-Ladesäulen eine höhere Ausgangsleistung und einen höheren Verbrauch an Leistungshalbleitern als Wechselstrom-Ladesäulen aufweisen, stellen sie die Hauptrichtung der zukünftigen Branchenentwicklung dar und werden voraussichtlich die koordinierte Entwicklung des Leistungshalbleitermarktes vorantreiben.

Aktueller Stand und zukünftige Entwicklungsprognosen für den Markt für Ladesäulen in meinem Land: 1) Das aktuelle Verhältnis von Ladefahrzeugen zu Ladesäulen beträgt etwa 3:1 und wird voraussichtlich auf 2:1 sinken. 2) Die meisten privaten Ladesäulen nutzen Wechselstrom (AC). Da einige Fahrzeughalter keinen festen Parkplatz besitzen und die Grundstücksverwaltung schwierig ist, werden öffentliche Ladesäulen voraussichtlich in Zukunft dominieren, während private Ladesäulen auf Fahrzeughalter mit festem Parkplatz beschränkt bleiben. 3) Öffentliche Ladesäulen werden je nach Ladeart in Gleichstrom- (DC) und Wechselstrom-Ladesäulen (AC) unterteilt. Derzeit liegt das AC/DC-Verhältnis bei etwa 6:4. Unter der Annahme, dass die Kosten für Hochleistungs-Gleichstromladung allmählich sinken, wird sich das AC/DC-Verhältnis voraussichtlich in Zukunft 1:1 annähern.

Öffentliche Ladestationen entwickeln sich rasant und lassen sich in Gleichstrom- (DC) und Wechselstrom-Ladestationen (AC) unterteilen. Gleichstrom-Ladestationen werden voraussichtlich in Zukunft am schnellsten wachsen. Das aktuelle Verhältnis von öffentlichen DC- zu AC-Ladestationen beträgt 4:6 und soll bis 2030 1:1 erreichen. Berechnungen zufolge wird die Anzahl öffentlicher DC-Ladestationen im Jahr 2025 2.1 Millionen und im Jahr 2030 7.5 Millionen betragen.

Gleichstromladung nutzt Hochleistungsladung. Das System benötigt mehr Leistungshalbleiter als herkömmliche Wechselstromladung, wodurch der Bedarf an IGBTs sehr hoch ist. Berechnet man den Bedarf an Leistungselektronik für öffentliche Gleichstromladestationen allein auf Basis von Kostenannahmen, so ergibt sich für den Zeitraum von 2020 bis 2025 ein kumulierter Marktbedarf von rund 14 Milliarden Yuan und für den Zeitraum von 2025 bis 2030 von rund 40 Milliarden Yuan. In den nächsten zehn Jahren wird der Bedarf an Leistungselektronik für den Bau von Gleichstromladestationen 50 Milliarden Yuan übersteigen.

1.3.3 Stromerzeugung aus erneuerbaren Energien

Die photovoltaische Stromerzeugung wandelt Sonnenenergie in elektrische Energie um und speist diese ins Stromnetz ein. Das System besteht aus Solarzellen, Batterien und einem Laderegler. Da bei der photovoltaischen Stromerzeugung Gleichstrom entsteht, ist ein Wechselrichter erforderlich, um diesen in netzkonformen Wechselstrom umzuwandeln. Der Wechselrichter ist eine Schlüsselkomponente des gesamten Solarstromsystems, wobei der IGBT (Integrated Green Gate Transformator) das Kernstück bildet. Wechselrichter haben zwei Hauptfunktionen: 1) die vollständige Gleichstrom-/Wechselstromwandlung und die Einspeisung ins Stromnetz; 2) die Verbesserung und Optimierung des Wirkungsgrades der Photovoltaikanlage. Die Wahl der Wechselrichtertopologie hängt von der Nennausgangsleistung ab. Hochspannungs- und Hochleistungswechselrichter können eine mehrstufige Topologie verwenden, Mittelleistungswechselrichter nutzen Vollbrücken- und Halbbrückentopologien, und Kleinleistungswechselrichter verwenden Vorwärts- und Sperrwandlertopologien.

Die Photovoltaik-Technologie bietet enormes Potenzial für Kostensenkungen, rasanten technologischen Fortschritt und eine hohe Wahrscheinlichkeit der Industrialisierung. Sie zählt zu den wichtigsten kostengünstigen und sauberen Energieerzeugungsmethoden der Zukunft. 2019 betrug Chinas neu installierte Photovoltaik-Kapazität 30 GW. Laut Chinas Entwicklungsplan für die Photovoltaikindustrie wird die durchschnittliche jährliche Wachstumsrate der neu installierten Kapazität in den nächsten fünf Jahren auf rund 9.9 % geschätzt. Für 2025 wird eine neu installierte Kapazität von 65 GW (konservativ) bzw. 80 GW (optimistisch) prognostiziert.

Um maximale wirtschaftliche Vorteile zu erzielen, wird das Auslegungsverhältnis von Photovoltaik-Kraftwerken schrittweise erhöht. Anfänglich wurden Photovoltaikanlagen mit einem Verhältnis von 1:1 ausgelegt. Dank technologischer Innovationen trägt die Erhöhung des Verhältnisses heute zur Verbesserung der Betriebseffizienz des Wechselrichters und der Rentabilität des Kraftwerks bei. Geht man von einem Austauschzyklus von 10 Jahren für Photovoltaik-Wechselrichter aus, setzt sich der jährliche Bedarf hauptsächlich aus Neuinstallationen und Austausch bestehender Anlagen zusammen. Auf Basis dieser Annahmen schätzen wir den Bedarf an Photovoltaik-Wechselrichtern in China im Jahr 2025 auf 75 GW.

Photovoltaik-Wechselrichter werden im Allgemeinen in drei Kategorien unterteilt: zentralisierte, String- und dezentrale Wechselrichter. Aufgrund des Skaleneffekts sind die Stückkosten zentralisierter Wechselrichter im Vergleich zu String-Wechselrichtern relativ niedriger. Mit zunehmender technologischer Reife und steigender Massenproduktion werden die Stückkosten tendenziell sinken. Laut Prognosen der CPIA lagen die gewichteten durchschnittlichen Kosten für inländische Photovoltaik-Wechselrichter im Jahr 2019 bei etwa 0.2 Yuan/W und werden voraussichtlich bis 2025 auf 0.15 Yuan/W sinken. Geht man davon aus, dass die Kosten für Leistungsmodule und diskrete Bauelemente 9–10 % der Gesamtkosten ausmachen, wird der Bedarf Chinas an Leistungshalbleitern für Photovoltaik-Wechselrichter auf etwa 390 Millionen Yuan im Jahr 2019 und 961 Millionen Yuan im Jahr 2025 geschätzt. Der kumulierte Inlandsbedarf in den nächsten fünf Jahren beträgt etwa 5 Milliarden Yuan.

1.3.4 Die Nachfrage nach höherer Leistungsfähigkeit treibt die beschleunigte Industrialisierung von Werkstoffen der dritten Generation voran.

Da Materialien der dritten Generation eine größere Bandlücke, eine höhere Sättigungsdriftgeschwindigkeit der Elektronen, exzellente optoelektronische Eigenschaften, hohe Geschwindigkeit, hohe Frequenz, hohe Leistung, hohe Temperaturbeständigkeit und hohe Strahlungsbeständigkeit aufweisen, besitzen die entsprechenden Bauelemente ein großes Entwicklungspotenzial in den Bereichen Optoelektronik, Hochfrequenztechnik und Leistungselektronik. Siliziumbasierte Halbleitermaterialien stoßen aufgrund ihrer Materialeigenschaften derzeit an ihre physikalischen Grenzen. Die dritte Generation von Verbindungshalbleitermaterialien hat die Industrialisierung rasant erreicht. Die Herstellung, die Fertigungsprozesse und die Bauelementphysik von Halbleitermaterialien mit großer Bandlücke, wie beispielsweise SiC und GaN, haben sich schnell weiterentwickelt. SiC zeichnet sich durch hohe Temperaturbeständigkeit, hohe Frequenz, hohe Leistung und hohe Spannung aus und wird hauptsächlich in Hochspannungs- und Antriebsanwendungen eingesetzt, beispielsweise in Photovoltaik-Wechselrichtern, Elektrofahrzeugen und Ladesäulen.

GaN zeichnet sich durch höhere Leistung und kleinere Flächen bei hohen Frequenzen aus und wird hauptsächlich im Hochfrequenzbereich eingesetzt. Es wird erwartet, dass GaN Anwendungen wie Energiemanagement, Energieerzeugung und Leistungsabgabe in Mittel- und Niederspannungsbereichen deutlich verbessern wird. Der Markt für GaN-Leistungselektronik wird vor allem durch Schnellladen angetrieben.

Der globale Markt für SiC- und GaN-Bauelemente profitiert von der starken Nachfrage in den Bereichen Elektrofahrzeuge, 5G und Unterhaltungselektronik und wird voraussichtlich in den nächsten Jahren um 25–40 % wachsen. Laut Schätzungen von ASIACHEM Consulting wird der Markt für SiC-Leistungshalbleiter im Jahr 2019 ein Volumen von rund 500 Millionen US-Dollar erreichen und bis 2025 auf 3.5 Milliarden US-Dollar anwachsen. Der Markt für GaN-HF-Bauelemente wird 2019 voraussichtlich rund 642 Millionen US-Dollar und der Markt für GaN-Leistungshalbleiter rund 90 Millionen US-Dollar betragen. Bis 2025 wird der Markt für HF-Bauelemente die 3-Milliarden-US-Dollar-Marke überschreiten und der Markt für Leistungshalbleiter 400 Millionen US-Dollar erreichen.

1.4 Die heimische Stromversorgungsindustrie hat eine goldene Ära erreicht, von der führende Unternehmen als erste profitieren.

Angetrieben von vielfältigen Faktoren wie Marktnachfrage, Politik, Fachkräften, Kapital und Technologie, dürfte die heimische Leistungshalbleiterindustrie in den nächsten drei bis fünf Jahren eine Blütezeit erleben. Unabhängig davon, ob man die Herausforderungen des technologischen Rückstands, den Fortschritt der Industrialisierung oder externe Einflüsse berücksichtigt, zählen Leistungshalbleiter zu den Segmenten mit dem schnellsten inländischen Substitutionspotenzial in absehbarer Zukunft. Bei relativ geringen externen Einflüssen haben die Verringerung des technologischen Rückstands und der Ausbau der Produktionskapazitäten den Trend zur Importsubstitution gestützt. Derzeit verdrängen heimische Leistungshalbleiter rasant Produkte im mittleren und unteren Preissegment und werden sich künftig auch auf den mittleren und oberen Preissektor ausdehnen.

In der gesamten Leistungselektronikbranche lassen sich vier Hauptentwicklungstrends feststellen:

(1) Die Branchenkonzentration nimmt zu, und es zeigt sich ein endogener und extensionaler Entwicklungstrend. Derzeit beherrschen die führenden ausländischen Hersteller der diskreten Bauelementeindustrie die Hälfte des Weltmarkts, und diese Struktur ist stabil. Die inländische Industrie ist durch kleine, große und dezentralisierte Unternehmen mit jeweils einer einzigen Technologie und Produktpalette gekennzeichnet. Der unausweichliche Entwicklungstrend der inländischen Industrie besteht darin, dass wenige Unternehmen mit zentralen Wettbewerbsvorteilen ihre Produktpräsenz und ihren Marktanteil durch kontinuierliche Technologieakkumulation und eigenständige Innovation ausbauen und sich auf die Bereiche Fertigung und Verpackung erstrecken werden.

(2) Neben dem hohen Wachstum neuer Märkte dürften inländische Unternehmen von dem potenziell enormen Potenzial zur Importsubstitution profitieren. In den letzten Jahren hat sich mein Land im mittleren und unteren Preissegment rasant entwickelt, der Markt für Produkte im mittleren bis oberen Preissegment ist jedoch noch nicht erschlossen. Künftig werden herausragende inländische Unternehmen der Branche aufgrund ihrer geografischen, technologischen und Kostenvorteile weitere Entwicklungschancen erhalten.

(3) Die Anforderungen an die Produktleistung treiben die modulare und integrierte Entwicklung voran. Die Entwicklung der diskreten Bauelementeindustrie wird durch die Nachfrage bestimmt. Um den Bedarf an höherer Leistungsumwandlungseffizienz, Stabilität, Hochspannung, hoher Leistung und Komplexität zu decken, haben sich Montage, Modularisierung und Integration zum Haupttrend der Technologieentwicklung entwickelt, was die Konstruktion erschwert.

(4) Neuartige Materialien mit großer Bandlücke befinden sich noch in der frühen Phase der Industrialisierung, und es ist für inländische Länder vergleichsweise schwierig, aufzuholen. Materialien mit großer Bandlücke wie SiC und GaN bieten den Vorteil, die Leistungsgrenzen herkömmlicher Siliziumbauelemente zu durchbrechen und sind daher äußerst strategisch und zukunftsweisend. Die technische Hürde liegt in der Materialherstellung, und der technologische Abstand zwischen in- und ausländischen Ländern verringert sich stetig.

Quelle: Beobachtungen aus der Kernbranche

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