Die GBLC12CB ist eine bidirektionale, einpolige Überspannungsschutzdiode (TVS) von Slkor. Sie wird in einem modernen monolithischen Siliziumverfahren gefertigt und ist in einem kompakten, bleifreien SOD-323-Gehäuse für die Oberflächenmontage untergebracht. Die für 12-V-Hochgeschwindigkeitssignalkreise konzipierte bidirektionale ESD-Diode bietet eine ultraschnelle Ansprechzeit und eine niedrige Klemmspannung zum Schutz spannungsempfindlicher Hochgeschwindigkeitsdatenleitungen vor elektrostatischer Entladung (ESD), elektromagnetischen Störungen (EFT) und Blitzüberspannungen. Sie zeichnet sich durch eine extrem niedrige Sperrschichtkapazität und hervorragende antistatische Eigenschaften bis zu ±30 kV Kontakt- und Luftentladung gemäß IEC 61000-4-2 aus und findet breite Anwendung in Smartphones, Funkmodulen und Gigabit-Kommunikationsgeräten.
Die GBLC12CB ist eine bidirektionale, einpolige Überspannungsschutzdiode (TVS) von Slkor. Sie wird in einem modernen monolithischen Siliziumverfahren gefertigt und ist in einem kompakten, bleifreien SOD-323-Gehäuse für die Oberflächenmontage untergebracht. Die für 12-V-Hochgeschwindigkeitssignalkreise konzipierte bidirektionale ESD-Diode bietet eine ultraschnelle Ansprechzeit und eine niedrige Klemmspannung zum Schutz spannungsempfindlicher Hochgeschwindigkeitsdatenleitungen vor elektrostatischer Entladung (ESD), elektromagnetischen Störungen (EFT) und Blitzüberspannungen. Sie zeichnet sich durch eine extrem niedrige Sperrschichtkapazität und hervorragende antistatische Eigenschaften bis zu ±30 kV Kontakt- und Luftentladung gemäß IEC 61000-4-2 aus und findet breite Anwendung in Smartphones, Funkmodulen und Gigabit-Kommunikationsgeräten.
Eigenschaften
Bemessungs-Sperrspannung: 12 V, abgestimmt auf 12-V-Signal- und Stromversorgungsschaltungen
Extrem niedrige typische Sperrschichtkapazität von 0.6 pF, keine Hochgeschwindigkeitssignalverzerrung
Extrem niedriger Rückstrom im Nanoampere-Bereich zur Reduzierung des Standby-Leistungsverlusts
Blitzstoßfestigkeit: 15A Spitzenstrom bei einer Wellenform von 8/20μs (IEC 61000-4-5)
EFT-Störfestigkeit bis zu 40 A (IEC 61000-4-4, 5/50-ns-Impuls)
Hohe Spitzenimpulsleistung von 450 W (8/20 μs Wellenform)
Bidirektionales Design zur Unterdrückung sowohl positiver als auch negativer Spannungstransienten
Ultraschnelle Reaktionszeit im Nanosekundenbereich zur sofortigen Ableitung von Stoßenergie
Das winzige, bleifreie SOD-323-Kunststoffgehäuse spart erheblich Platz auf der Leiterplatte.
Breiter Betriebstemperaturbereich der Sperrschicht: -40℃ ~ +125℃
RoHS-konforme, bleifreie Formmasse für globale Standards im Bereich umweltfreundlicher Elektronik.
Unsere Vorteile
Das ultrakleine SOD-323 Mini-Gehäuse passt perfekt zu schlanken Smartphones und Miniatur-Funkmodulen.
Die extrem niedrige Kapazitätscharakteristik gewährleistet die Integrität von Gigabit-Ethernet- und Hochgeschwindigkeits-Differenzialsignalen.
Der branchenführende ESD-Festigkeitswert von ±30 kV erfüllt strenge EMV-Prüfungen für Verbraucher und Industrie.
Die bidirektionale Einzelbauelement-Konstruktion ersetzt zwei unidirektionale TVS-Dioden und vereinfacht so die Stückliste und das Leiterplatten-Routing.
Nanoampere-Leckströme minimieren den statischen Stromverbrauch und sind daher ideal für batteriebetriebene tragbare Geräte.
Die hohe Stoßstromfestigkeit von 15 A bewältigt kurzzeitige Blitzstörungen an den Kommunikationsanschlüssen.
Eine stabile Klemmspannung unter verschiedenen Stoßströmen gewährleistet einen zuverlässigen Chipschutz.
Die bleifreie, flammhemmende Kunststoffverpackung entspricht internationalen Umweltvorschriften.
Die breite Temperaturanpassungsfähigkeit gewährleistet eine stabile Leistung sowohl in Innenräumen als auch bei milden Außenbedingungen.
Standardmäßige Gurt- und Rollenverpackung, kompatibel mit allen automatischen Hochgeschwindigkeits-SMT-Bestückungslinien
Mechanische Daten
Gehäusetyp: Bleifreies, oberflächenmontierbares Gehäuse aus SOD-323-Kunststoff
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