Nos avantages
- Gain en courant continu ultra-élevé pour des performances d'amplification exceptionnelles
- Boîtier SOT-23 standard idéal pour l'assemblage automatique
- Faible tension de saturation et faible courant de fuite pour un rendement élevé
- Large plage de températures pour un fonctionnement stable
- La taille miniature permet de gagner de l'espace sur le circuit imprimé.
- Faible facteur de bruit pour les circuits haute sensibilité
- Conforme à la norme RoHS pour les applications mondiales
Description
Le BC860C est un transistor planaire épitaxié en silicium de type PNP, encapsulé en boîtier CMS SOT-23. Il présente les caractéristiques suivantes : hFE ultra-élevé, faible bruit et excellente linéarité, conçu pour la commutation et l'amplification de signaux à usage général dans les circuits électroniques grand public compacts et les circuits industriels.
Fonctionnalités
- transistor épitaxié en silicium PNP
- Boîtier CMS SOT-23
- Pour les applications de commutation et d'amplificateur
- VCBO = −50 V, VCEO = −45 V, VEBO = −5 V
- Gain en courant continu (hFE) : 420–800 (rang C)
- Courant de collecteur continu : IC = −100 mA
- Courant de crête du collecteur : ICM = −200 mA
- Dissipation de puissance : Ptot = 200 mW
- Fréquence de transition : fT = 100 MHz (typ.)
- Facteur de bruit faible : NF = 4 dB
- Température de fonctionnement : −65℃ à +150℃
- Marquage : 4G
Applications
- Amplification de signal à usage général
- Commande de commutation à faible puissance
- circuits d'interface audio et de capteurs
- appareils électroniques portables grand public
- Appareils alimentés par batterie
- Modules de contrôle industriels
- Conception de circuits imprimés CMS haute densité