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Transistor bipolar PNP BC860C SOT-23
El BC860C es un transistor planar epitaxial de silicio PNP en encapsulado SOT-23 de montaje superficial. Ofrece una ganancia de corriente (hFE) ultra alta, bajo ruido y excelente linealidad, y está diseñado para conmutación de propósito general y amplificación de señales en circuitos industriales y de electrónica de consumo compactos.
Nuestras ventajas
- Ganancia de corriente continua ultra alta para un rendimiento de amplificación potente.
- Encapsulado estándar SOT-23, ideal para el montaje automático.
- Bajo voltaje de saturación y baja fuga para una alta eficiencia.
- Amplio rango de temperatura para un funcionamiento estable.
- Su tamaño miniatura ahorra espacio en la placa de circuito impreso.
- Bajo nivel de ruido para circuitos de alta sensibilidad.
- Cumple con la directiva RoHS para aplicaciones globales.
Mareas Ideales para Lecciones
El BC860C es un transistor planar epitaxial de silicio PNP en encapsulado de montaje superficial SOT-23. Presenta las siguientes características: hFE ultra alto, bajo nivel de ruido y excelente linealidad.Diseñado para la conmutación de propósito general y la amplificación de señales en circuitos industriales y de electrónica de consumo compactos.
CARACTERÍSTICAS
- transistor epitaxial de silicio PNP
- Encapsulado de montaje superficial SOT-23
- Para aplicaciones de conmutación y amplificador
- VCBO = −50V, VCEO = −45V, VEBO = −5V
- Ganancia de corriente continua (hFE): 420–800 (rango C)
- Corriente continua del colector: IC = −100 mA
- Corriente máxima del colector: ICM = −200 mA
- Disipación de potencia: Ptot = 200 mW
- Frecuencia de transición: fT = 100 MHz (típ.)
- Factor de ruido bajo: NF = 4 dB
- Temperatura de funcionamiento: −65℃ a +150℃
- Marcado: 4G
Aplicaciones
- Amplificación de señal de uso general
- Control de conmutación de baja potencia
- Circuitos de interfaz de audio y sensores
- Electrónica de consumo portátil
- Dispositivos que funcionan con baterías
- Módulos de control industrial
- Diseños de PCB SMT de alta densidad
Nombre
Título
Descripción
Ficha técnica
Soporte
Transistor bipolar PNP SS30101-Q SOT-23
Marca: slkor， VCEO(V)： 45V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 650mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
Transistor bipolar NPN 2SD2098-R SOT-89
Marca: slkor， VCEO(V)： 45V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 650mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
Transistor bipolar NPN MMDT4401 SOT-363
Marca: slkor， VCEO(V)： 45V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 650mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
Transistor bipolar PNP 2SC4373-Y SOT-89
Marca: slkor， VCEO(V)： 45V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 650mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
Transistor bipolar NPN 2SC2757 T33 SOT-23
Marca: slkor， VCEO(V)： 45V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 650mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
Transistor bipolar SOT-589 MMBT23 PNP
Marca: slkor， VCEO(V)： 45V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 650mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
Transistor bipolar PNP 2SC2881-Y SOT-89
VCEO(V)： 45V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 650mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
Transistor bipolar MMDT5551 NPN SOT-363
Marca: slkor， VCEO(V)： 45V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 650mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
Transistor bipolar NPN M28S SOT-23
Marca: slkor， VCEO(V)： 45V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 650mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
Transistor bipolar NPN MMBT2222AT SOT-523
Marca: slkor， VCEO(V)： 45V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 650mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Las líneas de productos de SLKOR incluyen dispositivos discretos, etc., diodos, transistores, dispositivos de potencia; y chips de circuitos integrados, etc., reguladores lineales, chips DC/DC, chips de interfaz, sensores Hall, ADC y BMS... Tenemos años de tecnología acumulada en semiconductores dedicados.
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粤公网安备44030002007346号