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BC860C PNP-Bipolartransistor SOT-23
Der BC860C ist ein PNP-Silizium-Epitaxial-Planartransistor im SOT-23-Oberflächenmontagegehäuse. Er zeichnet sich durch eine extrem hohe Stromverstärkung (hFE), geringes Rauschen und hervorragende Linearität aus und ist für allgemeine Schalt- und Signalverstärkungsanwendungen in kompakten Unterhaltungselektronik- und Industrieschaltungen konzipiert.
Unsere Vorteile
- Extrem hohe Gleichstromverstärkung für starke Verstärkungsleistung
- Standard-SOT-23-Gehäuse, ideal für die automatische Montage
- Niedrige Sättigungsspannung und geringe Leckströme für hohe Effizienz
- Breiter Temperaturbereich für stabilen Betrieb
- Miniaturgröße spart Platz auf der Leiterplatte
- Niedriges Rauschmaß für hochempfindliche Schaltungen
- RoHS-konform für globale Anwendungen
Beschreibung
Der BC860C ist ein PNP-Silizium-Epitaxial-Planartransistor im SOT-23-Oberflächenmontagegehäuse. Er zeichnet sich durch folgende Merkmale aus: extrem hohe hFE, geringes Rauschen und hervorragende Linearität, entwickelt für allgemeine Schalt- und Signalverstärkungsanwendungen in kompakten Unterhaltungselektronik- und Industrieschaltungen.
Funktionen
- PNP-Silizium-Epitaxietransistor
- SOT-23 Oberflächenmontagegehäuse
- Für Schalt- und Verstärkeranwendungen
- VCBO = −50 V, VCEO = −45 V, VEBO = −5 V
- Gleichstromverstärkung (hFE): 420–800 (C-Rang)
- Kontinuierlicher Kollektorstrom: IC = −100 mA
- Spitzenkollektorstrom: ICM = −200 mA
- Verlustleistung: Ptot = 200 mW
- Übergangsfrequenz: fT = 100 MHz (typ.)
- Niedriges Rauschmaß: NF = 4 dB
- Betriebstemperatur: −65℃ bis +150℃
- Kennzeichnung: 4G
Anwendungen
- Allgemeine Signalverstärkung
- Niedrigenergie-Schaltsteuerung
- Audio- und Sensorschnittstellenschaltungen
- Tragbare Unterhaltungselektronik
- Batteriebetriebene Geräte
- Industrielle Steuermodule
- SMT-Leiterplattendesigns mit hoher Dichte
Name
Titel
Beschreibung
Datenblatt
Support
SS30101-Q PNP-Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 45V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 650mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
2SD2098-R NPN-Bipolartransistor SOT-89
Marke: slkor， VCEO(V)： 45V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 650mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
MMDT4401 NPN-Bipolartransistor SOT-363
Marke: slkor， VCEO(V)： 45V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 650mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
2SC4373-Y PNP-Bipolartransistor SOT-89
Marke: slkor， VCEO(V)： 45V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 650mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
2SC2757 T33 NPN Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 45V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 650mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
MMBT589 PNP-Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 45V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 650mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
2SC2881-Y PNP-Bipolartransistor SOT-89
VCEO(V)： 45V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 650mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
MMDT5551 NPN-Bipolartransistor SOT-363
Marke: slkor， VCEO(V)： 45V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 650mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
M28S NPN-Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 45V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 650mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
MMBT2222AT NPN-Bipolartransistor SOT-523
Marke: slkor， VCEO(V)： 45V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 650mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Die Produktlinien von SLKOR umfassen diskrete Bauelemente, wie Dioden, Transistoren, Leistungsbauelemente; und integrierte Schaltkreischips, wie Linearregler, DC/DC-Chips, Schnittstellenchips, Hall-Sensoren, ADCs und BMS... Wir verfügen über jahrelang angesammelte Technologie im Bereich dedizierter Halbleiter.
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