I nostri vantaggi
- Guadagno di corrente continua ultraelevato per prestazioni di amplificazione eccezionali
- Contenitore SOT-23 standard, ideale per l'assemblaggio automatico.
- Bassa tensione di saturazione e bassa corrente di dispersione per un'elevata efficienza.
- Ampio intervallo di temperatura per un funzionamento stabile
- Le dimensioni miniaturizzate consentono di risparmiare spazio sul circuito stampato.
- Basso fattore di rumore per circuiti ad alta sensibilità
- Conforme alla direttiva RoHS per applicazioni globali.
Descrizione
Il BC860C è un transistor planare epitassiale PNP al silicio in contenitore SOT-23 per montaggio superficiale. È caratterizzato da hFE ultra-elevato, basso rumore ed eccellente linearitàProgettato per la commutazione generica e l'amplificazione del segnale in dispositivi elettronici di consumo compatti e circuiti industriali.
CARATTERISTICHE
- transistor epitassiale PNP simmetrico
- Contenitore SOT-23 per montaggio superficiale
- Per applicazioni di commutazione e amplificatore
- VCBO = −50V, VCEO = −45V, VEBO = −5V
- Guadagno di corrente continua (hFE): 420–800 (classe C)
- Corrente continua del collettore: IC = −100mA
- Corrente di collettore di picco: ICM = −200mA
- Dissipazione di potenza: Ptot = 200mW
- Frequenza di transizione: fT = 100 MHz (tip.)
- Basso fattore di rumore: NF = 4dB
- Temperatura di esercizio: da −65℃ a +150℃
- Marcatura: 4G
Applicazioni
- Amplificazione del segnale per uso generale
- controllo di commutazione a bassa potenza
- Circuiti di interfaccia audio e sensori
- elettronica di consumo portatile
- Dispositivi alimentati a batteria
- Moduli di controllo industriale
- Progettazione di PCB SMT ad alta densità