● מפת הדרכים של אינטל לחדשנות בטכנולוגיית תהליכים וטכנולוגיית אריזה מזריקה כוח לגל המוצרים הבא מהיום ועד 2025 והלאה.

● שתי טכנולוגיות תהליך פורצות דרך: ארכיטקטורת הטרנזיסטור החדשה הראשונה של אינטל, RibbonFET, שהושקה ביותר מעשור, ורשת העברת החשמל האחורית הראשונה בתעשייה, PowerVia.

● עם כניסת אינטל לעידן אנגסטרום המוליכים למחצה, מערכת מתן שמות הצמתים המעודכנת תיצור מסגרת עקבית שתעזור ללקוחות ולתעשייה לבסס הבנה מדויקת יותר של התפתחות צמתי התהליך.

● חברת Intel Foundry Services (IFS) נהנית ממומנטום חזק והכריזה לראשונה על רשימת לקוחותיה השיתופיים.

ב-27 ביולי 2021, נשא מנכ"ל אינטל, פאט גלסינגר, נאום בכנס "Intel Accelerating Innovation: Process Technology and Packaging Technology Online Conference". בכנס מקוון זה, הציעה אינטל מפת דרכים לטכנולוגיית תהליכים וטכנולוגיית אריזה עתידית. (מקור תמונה: אינטל)

היום, אינטל הכריזה על מפת הדרכים המפורטת ביותר של החברה בתחום טכנולוגיית האריזה והתהליכים, המדגימה סדרה של חידושים טכנולוגיים שימשיכו להניע פיתוח מוצרים חדשים מעתה ועד 2025 ואילך. בנוסף לחשיפת ארכיטקטורת הטרנזיסטור החדשה הראשונה שלה מזה יותר מעשור, RibbonFET, ורשת אספקת החשמל האחורית הראשונה בתעשייה, PowerVia, אינטל הדגישה גם תוכניות לאמץ במהירות את הדור הבא של טכנולוגיית ליתוגרפיה אולטרה סגולה קיצונית (EUV), כלומר EUV בעל צמצם מספרי גבוה (High-NA). אינטל צפויה להיות הראשונה להשיג את מכונת הליתוגרפיה High-NA EUV הראשונה בתעשייה.

בהתבסס על המנהיגות הבלתי מעורערת של אינטל בתחום האריזות המתקדמות, אנו מאיצים את מפת הדרכים שלנו לחדשנות תהליכית כדי להבטיח שביצועי התהליכים יובילו שוב את התעשייה עד 2025. אינטל ממנפת את הדחף חסר התקדים שלנו לחדשנות מתמשכת כדי לספק התקדמות טכנולוגית מהטרנזיסטור ועד לרמת המערכת. עד שתמוץ הטבלה המחזורית, נמשיך לפעול לפי חוק מור ונמשיך לרתום את הכוח הקסום של הסיליקון לקידום חדשנות.

——פט קיסינג'ר

מנכ"ל תאגיד אינטל

התעשייה הבינה זה מכבר שמאז 1997, שיטת מתן השמות המסורתית המבוססת על ננומטרים של צמתי תהליך אינה תואמת עוד את אורך השער בפועל של הטרנזיסטור. כיום, אינטל הציגה מערכת מתן שמות חדשה לצמתי התהליך שלה, ויוצרת מסגרת ברורה ועקבית כדי לסייע ללקוחות לבסס הבנה מדויקת יותר של התפתחות צמתי התהליך ברחבי התעשייה. עם השקת שירותי Intel Foundry (IFS), חשוב מתמיד לספק ללקוחות בהירות. גלסינגר אמר: "הטכנולוגיות החדשניות שהוכרזו היום לא רק עוזרות לאינטל לתכנן את מפת הדרכים של המוצר שלה, אלא גם קריטיות ללקוחות שירותי היציקה שלנו. יש עניין רב בשירותי Intel Foundry (IFS) מצד התעשייה, והיום אני שמח שהכרזנו על שני לקוחות חשובים לשיתוף הפעולה הראשון שלנו. שירותי Intel Foundry יצאו להפלגה!"

מומחים טכניים של אינטל פירטו את מפת הדרכים הבאה, הכוללת שמות חדשים של צמתים וטכנולוגיות חדשניות המאפשרות כל צומת תהליך:

● בהתבסס על אופטימיזציה של טרנזיסטור FinFET, Intel 7 יגדיל את הביצועים לוואט בכ-10%-15% בהשוואה ל-Intel 10nm SuperFin.מוצרי הלקוח של Alder Lake שיושקו ב-2021 ישתמשו בתהליך Intel 7, ולאחר מכן בתהליך Sapphire Rapids עבור מרכזי נתונים, שצפוי להיכנס לייצור ברבעון הראשון של 2022.

● Intel 4 מאמצת לחלוטין את טכנולוגיית הליתוגרפיה של EUV, שיכולה להשתמש באור באורך גל קצר במיוחד כדי לחרוט דוגמאות קטנות במיוחד.עם עלייה של כ-20% בביצועים לוואט ושיפורים בשטח השבב, אינטל 4 תיכנס לייצור במחצית השנייה של 2022 ותשלח ב-2023. מוצרים אלה כוללים את Meteor Lake עבור לקוחות ואת Granite Rapids עבור מרכזי נתונים.

● עם אופטימיזציה נוספת של FinFET והשימוש המוגבר ב-EUV ביותר תהליכים, Intel 3 תשיג שיפור של כ-18% בביצועים לוואט בהשוואה ל-Intel 4, ויהיו גם שיפורים נוספים בשטח השבב.אינטל 3 תשמש בייצור מוצרים קשורים החל מהמחצית השנייה של 2023.

● אינטל 20A תביא את עידן איימי עם שתי טכנולוגיות פורצות דרך, RibbonFET ו-PowerVia.RibbonFET הוא המימוש של אינטל של טרנזיסטור Gate All Around ויהיה ארכיטקטורת הטרנזיסטור החדשה הראשונה של החברה מאז חלוצה בתחום FinFET בשנת 2011. הטכנולוגיה מאיצה את מיתוג הטרנזיסטורים תוך השגת אותו זרם הנעה כמו מבנים מרובי סנפירים, אך תופסת פחות מקום. PowerVia היא רשת העברת החשמל הייחודית והראשונה בתעשייה של אינטל בצד האחורי, אשר ממטבת את העברת האותות על ידי ביטול הצורך בחיווט ספק כוח בצד הקדמי על גבי הוופל. Intel 20A צפוי להיות מושק בשנת 2024.אינטל שמחה גם לשתף פעולה עם קוואלקום בטכנולוגיית התהליך 20A של אינטל.

● 2025 והלאה: צומת Intel 18A, קפיצת מדרגה לעומת Intel 20A, נמצא גם הוא בפיתוח ויושק בתחילת 2025. הוא ישפר את ה-RibbonFET וישיג קפיצת מדרגה משמעותית נוספת בביצועי הטרנזיסטור.אינטל מחויבת גם להגדרה, בנייה ופריסה של הדור הבא של High-NA EUV, וצפויה להיות הראשונה להשיג את מכונת הליתוגרפיה High-NA EUV הראשונה בתעשייה. אינטל עובדת בשיתוף פעולה הדוק עם ASML כדי להבטיח את הצלחתה של טכנולוגיה פורצת דרך זו מעבר לדור הנוכחי של EUV.

ד"ר אן קלהר, סגנית נשיא בכירה ומנהלת כללית לפיתוח טכנולוגי באינטל, אמרה: "לאינטל היסטוריה ארוכה של חידושים מהותיים בטכנולוגיית תהליכים שהניעו קפיצות דרך בתעשייה. הובלנו את המעבר מסיליקון מתוח ב-90 ננומטר לשערי מתכת בעלי K גבוה ב-45 ננומטר והיינו הראשונים להציג את FinFET ב-22 ננומטר. עם שתי טכנולוגיות פורצות דרך, RibbonFET ו-PowerVia, אינטל 20A תהפוך לנקודת מפנה נוספת בטכנולוגיית תהליכים."

ד"ר אן קלהר, סגנית נשיא בכירה ומנהלת כללית לפיתוח טכנולוגי באינטל

עם יישום אסטרטגיית IDM 2.0 החדשה של אינטל, אריזות הופכות לחשובות עוד יותר למימוש היתרונות של חוק מור.אינטל הודיעה כי AWS תהיה הלקוחה הראשונה שתשתמש בפתרונות האריזה של Intel Foundry Services (IFS).מפת הדרכים המובילה בתעשייה של אינטל בתחום האריזות המתקדמות מציעה:

● EMIB תמשיך להוביל את התעשייה כפתרון הגשר המשובץ הראשון מסוג 2.5D, ואינטל משווקת מוצרי EMIB מאז 2017.Sapphire Rapids תהיה אינטל הראשונה שתאמץ את EMIB (Embedded Multi-die Interconnect Bridge) למשלוחי נפח.^®Xeon^®מוצרי מרכז נתונים. זה יהיה גם הראשון בתעשייה שיציע כמעט את אותם ביצועים כמו עיצוב מונוליטי, אך ישלב שני גדלי מסכה. בעקבות Sapphire Rapids, גובה ה"בליטה" של הדור הבא של EMIB יקוצר מ-55 מיקרון ל-45 מיקרון.

● Foveros ממנפת יכולות אריזה ברמת פרוסות כדי לספק את פתרון הערימה התלת-ממדי הראשון אי פעם.Meteor Lake הוא פריסת הדור השני של טכנולוגיית Foveros המוטמעת במוצרי לקוחות. למוצר זה יש גובה-רוחב של 36 מיקרון, ניתן לבסס שבבים שונים על צמתי תהליך מרובים, וטווח ההספק של התכנון התרמי הוא 5-125W.

● Foveros Omni היא חלוצה בדור הבא של טכנולוגיית Foveros, המספקת גמישות בלתי מוגבלת לחיבורי Die-to-Die ועיצוב מודולרי באמצעות טכנולוגיית ערימה תלת-ממדית בעלת ביצועים גבוהים.Foveros Omni מאפשר פירוק שבבים כדי לערבב ולהתאים מספר פרוסות ופלים עליונים עם מצעים מרובים בהתבסס על צמתי תהליך פרוסות ופלים שונים. הוא צפוי לשמש במוצרים המיוצרים בייצור המוני בשנת 2023.

● Foveros Direct מאפשר את המעבר לחיבור ישיר בין נחושת לנחושת, מה שמאפשר חיבורים בעלי התנגדות נמוכה והופך את הגבול בין השניים לפחות מובחן, החל מייצור פרוסות סיליקון ועד לאריזה.Foveros Direct משיגה פיצ'י גבשוש של פחות מ-10 מיקרון, מגדילה את צפיפות החיבורים של ערימות תלת-ממדיות בסדר גודל ומציעה קונספטים חדשים לחלוקת שבבים פונקציונלית שלא היו ניתנים להשגה בעבר. Foveros Direct משלימה את Foveros Omni וצפוי לשמש במוצרים המיוצרים בייצור המוני בשנת 2023.

הטכנולוגיות פורצות הדרך הנדונות היום מפותחות בעיקר במתקני אינטל באורגון ובאריזונה, מה שמבסס את מעמדה של אינטל כמובילה היחידה בארה"ב עם יכולות מחקר ופיתוח וייצור של שבבים. בנוסף, חידושים אלה נהנים משיתוף פעולה הדוק עם מערכת אקולוגית של שותפים אמריקאים ואירופיים. שותפויות עמוקות הן המפתח להעברת חידושים בסיסיים ממחקר מעבדתי לייצור המוני, ואינטל מחויבת לעבוד עם ממשלות בכל מקום כדי לחזק את שרשראות האספקה ​​ולקדם את הביטחון הכלכלי והלאומי.

בסוף הכנס המקוון, אינטל הודיעה כי תקיים פסגת "חדשנות אינטל" והכריזה על פרטים רלוונטיים נוספים. פסגת "חדשנות אינטל" תתקיים באופן לא מקוון ומקוון בסן פרנסיסקו בין ה-27 ל-28 באוקטובר 2021.

הצהרת אחריות: מאמר זה נכתב על ידי "ZhiIN". מאמר זה מייצג רק את דעותיו האישיות של המחבר ואינו מייצג את דעותיה של Sacco Micro והתעשייה. הוא מיועד להדפסה חוזרת ושיתוף בלבד לתמיכה בהגנה על זכויות קניין רוחני. אנא ציינו את המקור המקורי ואת המחבר לצורך הדפסה חוזרת. במקרה של הפרה כלשהי, אנא צרו עמנו קשר כדי למחוק אותה.

מספר טלפון של החברה: 86-0755-83044319+
פקס/פקס: 86-0755-83975897+
דוא"ל: 1615456225@qq.com
QQ: 3518641314 מנהל לי

QQ: 332496225 מנהל Qiu

כתובת: חדר 809, בניין C, בניין הטכנולוגיה ז'אנטאו, שדרת מינגז'י מס' 1079, רובע לונגהואה החדש, שנזן