● La hoja de ruta de innovación de Intel en tecnología de procesos y tecnología de empaquetado impulsa la próxima generación de productos desde ahora hasta 2025 y más allá.

● Dos tecnologías de proceso revolucionarias: RibbonFET, la primera arquitectura de transistor nueva de Intel, lanzada en más de una década, y PowerVia, la primera red de transmisión de energía posterior de la industria.

● A medida que Intel entra en la era del angstrom de semiconductores, el sistema actualizado de nomenclatura de nodos creará un marco coherente para ayudar a los clientes y a la industria a comprender con mayor precisión la evolución de los nodos de proceso.

● Intel Foundry Services (IFS) está experimentando un fuerte impulso y ha anunciado por primera vez la lista de clientes con los que colabora.

El 27 de julio de 2021, Pat Gelsinger, CEO de Intel, pronunció un discurso en la conferencia virtual "Intel Acelerando la Innovación: Tecnología de Procesos y Tecnología de Empaquetado". En esta conferencia, Intel propuso una hoja de ruta para el futuro de la tecnología de procesos y la tecnología de empaquetado. (Fuente de la imagen: Intel)

Hoy, Intel Corporation anunció la hoja de ruta más detallada de su historia en tecnología de procesos y empaquetado, demostrando una serie de innovaciones tecnológicas fundamentales que impulsarán el desarrollo de nuevos productos desde ahora hasta 2025 y más allá. Además de presentar su primera arquitectura de transistor nueva en más de una década, RibbonFET, y la primera red de suministro de energía posterior de la industria, PowerVia, Intel también destacó sus planes para adoptar rápidamente la próxima generación de tecnología de litografía ultravioleta extrema (EUV), concretamente la EUV de alta apertura numérica (High-NA). Se espera que Intel sea la primera en adquirir la primera máquina de litografía EUV High-NA de la industria.

Partiendo del liderazgo indiscutible de Intel en empaquetado avanzado, estamos acelerando nuestra hoja de ruta para la innovación de procesos con el fin de garantizar que el rendimiento de los procesos vuelva a liderar la industria para 2025. Intel está aprovechando su incomparable impulso hacia la innovación continua para ofrecer avances tecnológicos desde el nivel de transistor hasta el nivel de sistema. Mientras no se agote la tabla periódica, seguiremos persiguiendo la Ley de Moore y aprovechando el poder mágico del silicio para impulsar la innovación.

—Pat Kissinger

CEO de Intel Corporation

La industria ha reconocido desde hace tiempo que, desde 1997, el método tradicional de nomenclatura de nodos de proceso basado en nanómetros ya no se corresponde con la longitud real de la puerta del transistor. Hoy, Intel ha introducido un nuevo sistema de nomenclatura para sus nodos de proceso, creando un marco claro y coherente que ayuda a los clientes a comprender con mayor precisión la evolución de los nodos de proceso en toda la industria. Con el lanzamiento de Intel Foundry Services (IFS), es más importante que nunca brindar claridad a los clientes. Gelsinger afirmó: «Las tecnologías innovadoras anunciadas hoy no solo ayudan a Intel a planificar su hoja de ruta de productos, sino que también son fundamentales para nuestros clientes de servicios de fundición. Existe un gran interés en Intel Foundry Services (IFS) por parte de la industria, y hoy me complace anunciar dos importantes clientes para nuestra primera colaboración. ¡Intel Foundry Services ya está en marcha!».

Los expertos técnicos de Intel detallaron la siguiente hoja de ruta, que incluye una nueva nomenclatura de nodos y tecnologías innovadoras que permiten cada nodo de proceso:

● Gracias a la optimización de los transistores FinFET, Intel 7 aumentará el rendimiento por vatio en aproximadamente un 10 %-15 % en comparación con Intel 10nm SuperFin.Los productos para clientes de Alder Lake que se lanzarán en 2021 utilizarán el proceso Intel 7, seguido de Sapphire Rapids para centros de datos, cuya producción se espera que comience en el primer trimestre de 2022.

● El procesador Intel 4 adopta por completo la tecnología de litografía EUV, que permite utilizar luz de longitud de onda ultracorta para grabar patrones extremadamente pequeños.Con un aumento de aproximadamente un 20 % en el rendimiento por vatio y mejoras en el tamaño del chip, Intel 4 entrará en producción en la segunda mitad de 2022 y se comercializará en 2023. Estos productos incluyen Meteor Lake para clientes y Granite Rapids para centros de datos.

● Gracias a la mayor optimización de la tecnología FinFET y al mayor uso de la litografía ultravioleta extrema (EUV) en más procesos, Intel 3 logrará una mejora de aproximadamente un 18 % en el rendimiento por vatio en comparación con Intel 4, y también habrá mejoras adicionales en el área del chip.El procesador Intel 3 se utilizará en la producción de productos relacionados a partir de la segunda mitad de 2023.

● El procesador Intel 20A marcará el comienzo de la era Amy con sus dos tecnologías revolucionarias: RibbonFET y PowerVia.RibbonFET es la implementación de Intel del transistor Gate All Around y será la primera arquitectura de transistor nueva de la compañía desde que fue pionera en FinFET en 2011. Esta tecnología acelera la conmutación de transistores, logrando la misma corriente de conducción que las estructuras multifin, pero ocupando menos espacio. PowerVia es la red de transmisión de energía posterior exclusiva de Intel, pionera en la industria, que optimiza la transmisión de señales al eliminar la necesidad de cableado de alimentación frontal en la oblea. Se espera que Intel 20A se lance en 2024.Intel también se complace en cooperar con Qualcomm en la tecnología de proceso Intel 20A.

● 2025 y más allá: El nodo Intel 18A, una mejora respecto al Intel 20A, también está en desarrollo y se lanzará a principios de 2025. Mejorará la tecnología RibbonFET y logrará otro gran avance en el rendimiento de los transistores.Intel también está comprometida con la definición, el desarrollo y el despliegue de la próxima generación de litografía EUV de alta apertura numérica (High-NA EUV), y se espera que sea la primera en adquirir la primera máquina de litografía High-NA EUV del sector. Intel colabora estrechamente con ASML para garantizar el éxito de esta tecnología revolucionaria más allá de la generación actual de EUV.

La Dra. Ann Kelleher, vicepresidenta sénior y directora general de desarrollo tecnológico de Intel, declaró: «Intel cuenta con una larga trayectoria de innovaciones fundamentales en tecnología de procesos que han impulsado avances significativos en la industria. Lideramos la transición del silicio tensionado de 90 nm a las compuertas metálicas de alta constante dieléctrica de 45 nm y fuimos los primeros en introducir FinFET a 22 nm. Con dos tecnologías revolucionarias, RibbonFET y PowerVia, Intel 20A marcará otro hito en la tecnología de procesos».

La Dra. Ann Kelleher, vicepresidenta sénior y directora general de desarrollo tecnológico en Intel.

Con la implementación de la nueva estrategia IDM 2.0 de Intel, el empaquetado adquiere aún más importancia para aprovechar los beneficios de la Ley de Moore.Intel anunció que AWS será el primer cliente en utilizar las soluciones de empaquetado de Intel Foundry Services (IFS).La hoja de ruta de Intel para el empaquetado avanzado, líder en la industria, propone lo siguiente:

● EMIB seguirá liderando el sector como la primera solución de puente integrado 2.5D, e Intel lleva comercializando productos EMIB desde 2017.Sapphire Rapids será la primera empresa de Intel en adoptar EMIB (Embedded Multi-die Interconnect Bridge) para envíos a gran escala.^®Xeon^®Productos para centros de datos. También será el primero en la industria en ofrecer un rendimiento casi idéntico al de un diseño monolítico, pero integrando dos tamaños de máscara. Tras Sapphire Rapids, el paso de los contactos de la próxima generación de EMIB se reducirá de 55 micras a 45 micras.

● Foveros aprovecha las capacidades de empaquetado a nivel de oblea para proporcionar la primera solución de apilamiento 3D.Meteor Lake es la segunda generación de la tecnología Foveros implementada en productos para clientes. Este producto tiene un paso de contacto de 36 micras, diferentes chips pueden basarse en múltiples nodos de proceso y el rango de potencia de diseño térmico es de 5 a 125 W.

● Foveros Omni es pionera en la próxima generación de tecnología Foveros, proporcionando una flexibilidad ilimitada para la interconexión entre chips y el diseño modular mediante una tecnología de apilamiento 3D de alto rendimiento.Foveros Omni permite desmontar los chips para combinar varias obleas superiores con diferentes sustratos, según los distintos nodos de proceso de fabricación. Se prevé su uso en productos de producción en masa en 2023.

● Foveros Direct permite la transición a la unión directa de cobre con cobre, lo que posibilita interconexiones de baja resistencia y hace que la línea divisoria entre ambos sea menos evidente, desde la fabricación de obleas hasta el encapsulado.Foveros Direct logra distancias entre contactos inferiores a 10 micras, lo que aumenta la densidad de interconexión de las pilas 3D en un orden de magnitud y propone nuevos conceptos para la partición funcional de chips que antes eran inalcanzables. Foveros Direct complementa a Foveros Omni y se prevé su uso en productos de producción en masa en 2023.

Las tecnologías revolucionarias que se analizan hoy se desarrollan principalmente en las instalaciones de Intel en Oregón y Arizona, lo que consolida la posición de Intel como el único líder estadounidense con capacidad tanto de I+D como de fabricación de chips. Además, estas innovaciones se benefician de una estrecha colaboración con un ecosistema de socios estadounidenses y europeos. Las alianzas sólidas son clave para llevar las innovaciones fundamentales de la investigación de laboratorio a la producción en masa, e Intel se compromete a trabajar con gobiernos de todo el mundo para fortalecer las cadenas de suministro y promover la seguridad económica y nacional.

Al finalizar la conferencia en línea, Intel anunció la celebración de una cumbre de innovación y dio a conocer más detalles relevantes. La cumbre se llevará a cabo tanto presencialmente como en línea en San Francisco, del 27 al 28 de octubre de 2021.

Descargo de responsabilidad: Este artículo se reproduce de "ZhiIN". Este artículo solo representa la opinión personal del autor y no la de Sacco Micro ni la del sector. Su reproducción y distribución tienen como único fin apoyar la protección de los derechos de propiedad intelectual. Para reproducirlo, por favor, indique la fuente original y el autor. Si detecta alguna infracción, contáctenos para que lo eliminemos.

Número de teléfono de la empresa: +86-0755-83044319
Fax/FAX: +86-0755-83975897
Correo electrónico: 1615456225@qq.com
Pregunta: 3518641314 Gerente Li

Pregunta: 332496225 Gerente Qiu

Dirección: Habitación 809, Edificio C, Edificio de Tecnología Zhantao, Avenida Minzhi n.° 1079, Nuevo Distrito de Longhua, Shenzhen