● O roteiro de inovação em tecnologia de processos e tecnologias de embalagem da Intel impulsiona a próxima geração de produtos, de agora até 2025 e além.

● Duas tecnologias de processo inovadoras: a primeira nova arquitetura de transistor da Intel, RibbonFET, lançada em mais de uma década, e a primeira rede de transmissão de energia traseira do setor, PowerVia.

● À medida que a Intel entra na era do angstrom dos semicondutores, o sistema de nomenclatura de nós atualizado criará uma estrutura consistente para ajudar os clientes e a indústria a estabelecer uma compreensão mais precisa da evolução dos nós de processo.

● A Intel Foundry Services (IFS) está em forte ascensão e anunciou, pela primeira vez, a lista de clientes parceiros.

Em 27 de julho de 2021, o CEO da Intel, Pat Gelsinger, discursou na conferência online "Intel Accelerating Innovation: Process Technology and Packaging Technology". Nessa conferência, a Intel propôs um roteiro para o futuro das tecnologias de processo e embalagem. (Fonte da imagem: Intel)

Hoje, a Intel Corporation anunciou o roteiro mais detalhado de sua história para tecnologias de processo e embalagem, demonstrando uma série de inovações tecnológicas que continuarão impulsionando o desenvolvimento de novos produtos de agora até 2025 e além. Além de apresentar sua primeira nova arquitetura de transistor em mais de uma década, o RibbonFET, e a primeira rede de alimentação traseira do setor, o PowerVia, a Intel também destacou planos para adotar rapidamente a próxima geração da tecnologia de litografia ultravioleta extrema (EUV), especificamente a EUV de alta abertura numérica (High-NA). A Intel deverá ser a primeira a obter a primeira máquina de litografia EUV High-NA do setor.

Com base na liderança incontestável da Intel em embalagens avançadas, estamos acelerando nosso roteiro de inovação de processos para garantir que o desempenho dos processos volte a liderar o setor até 2025. A Intel está alavancando seu impulso incomparável para a inovação contínua, a fim de oferecer avanços tecnológicos desde o transistor até o nível do sistema. Enquanto a tabela periódica não se esgotar, continuaremos a buscar a Lei de Moore e a aproveitar o poder mágico do silício para impulsionar a inovação.

Pat Kissinger

CEO da Intel Corporation

A indústria já percebeu há muito tempo que, desde 1997, o método tradicional de nomenclatura de nós de processo baseado em nanômetros não corresponde mais ao comprimento real da porta do transistor. Hoje, a Intel introduziu um novo sistema de nomenclatura para seus nós de processo, criando uma estrutura clara e consistente para ajudar os clientes a obter uma compreensão mais precisa da evolução dos nós de processo em toda a indústria. Com o lançamento do Intel Foundry Services (IFS), é mais importante do que nunca fornecer clareza aos clientes. Gelsinger afirmou: "As tecnologias inovadoras anunciadas hoje não apenas ajudam a Intel a planejar seu roteiro de produtos, mas também são essenciais para nossos clientes de serviços de fundição. Há um grande interesse da indústria no Intel Foundry Services (IFS), e hoje tenho o prazer de anunciar dois importantes clientes para nossa primeira cooperação. O Intel Foundry Services está decolando!"

Especialistas técnicos da Intel detalharam o seguinte roteiro, que inclui uma nova nomenclatura de nós e tecnologias inovadoras que viabilizam cada nó de processo:

● Graças à otimização dos transistores FinFET, a arquitetura Intel 7 aumentará o desempenho por watt em aproximadamente 10% a 15% em comparação com a arquitetura Intel 10nm SuperFin.Os produtos Alder Lake para clientes, com lançamento previsto para 2021, utilizarão o processo Intel 7, seguidos pelo Sapphire Rapids para data centers, cuja entrada em produção está prevista para o primeiro trimestre de 2022.

● O Intel 4 adota integralmente a tecnologia de litografia EUV, que utiliza luz de comprimento de onda ultracurto para gravar padrões extremamente pequenos.Com um aumento de cerca de 20% no desempenho por watt e melhorias na área do chip, a arquitetura Intel 4 entrará em produção no segundo semestre de 2022 e será lançada em 2023. Esses produtos incluem o Meteor Lake para clientes e o Granite Rapids para data centers.

● Com a otimização adicional do FinFET e o uso crescente da litografia EUV em mais processos, o Intel 3 alcançará uma melhoria de cerca de 18% no desempenho por watt em comparação com o Intel 4, além de melhorias adicionais na área do chip.O processador Intel 3 será utilizado na produção de produtos relacionados a partir do segundo semestre de 2023.

● O Intel 20A inaugurará a era Amy com suas duas tecnologias inovadoras: RibbonFET e PowerVia.RibbonFET é a implementação da Intel do transistor Gate All Around e será a primeira nova arquitetura de transistor da empresa desde que foi pioneira no FinFET em 2011. A tecnologia acelera a comutação do transistor, atingindo a mesma corrente de acionamento que as estruturas multi-fin, mas ocupando menos espaço. PowerVia é a rede de transmissão de energia traseira exclusiva e inédita da Intel, que otimiza a transmissão de sinal eliminando a necessidade de fiação de alimentação frontal no wafer. O lançamento do Intel 20A está previsto para 2024.A Intel também tem o prazer de cooperar com a Qualcomm na tecnologia de processo Intel 20A.

● 2025 e além: O nó Intel 18A, um avanço em relação ao Intel 20A, também está em desenvolvimento e será lançado no início de 2025. Ele aprimorará o RibbonFET e representará outro grande salto no desempenho dos transistores.A Intel também está empenhada em definir, construir e implementar a próxima geração de EUV de alta NA (abertura numérica) e espera ser a primeira a obter a primeira máquina de litografia EUV de alta NA do setor. A Intel está trabalhando em estreita colaboração com a ASML para garantir o sucesso dessa tecnologia inovadora, que irá além da geração atual de EUV.

A Dra. Ann Kelleher, vice-presidente sênior e gerente geral de desenvolvimento de tecnologia da Intel, afirmou: "A Intel tem uma longa história de inovações fundamentais em tecnologia de processos que impulsionaram grandes avanços na indústria. Lideramos a transição do silício tensionado de 90 nm para portas metálicas de alta constante dielétrica (high-K) de 45 nm e fomos os primeiros a introduzir o FinFET em 22 nm. Com duas tecnologias inovadoras, RibbonFET e PowerVia, a arquitetura Intel 20A se tornará outro marco na tecnologia de processos."

Dra. Ann Kelleher, vice-presidente sênior e gerente geral de desenvolvimento tecnológico da Intel.

Com a implementação da nova estratégia IDM 2.0 da Intel, o encapsulamento torna-se ainda mais importante para concretizar os benefícios da Lei de Moore.A Intel anunciou que a AWS será o primeiro cliente a usar as soluções de empacotamento do Intel Foundry Services (IFS).O roteiro de embalagens avançadas da Intel, líder do setor, propõe:

● A EMIB continuará liderando o setor como a primeira solução de ponte embarcada 2.5D, e a Intel comercializa produtos EMIB desde 2017.O Sapphire Rapids será o primeiro processador Intel a adotar a tecnologia EMIB (Embedded Multi-die Interconnect Bridge) para remessas em grande volume.^®Xeon^®Produtos para data centers. Será também o primeiro do setor a oferecer desempenho quase idêntico ao de um design monolítico, mas integrando dois tamanhos de máscara. Seguindo o exemplo do Sapphire Rapids, o espaçamento entre os bumps da próxima geração do EMIB será reduzido de 55 mícrons para 45 mícrons.

● A Foveros aproveita os recursos de encapsulamento em nível de wafer para fornecer a primeira solução de empilhamento 3D do mercado.Meteor Lake é a segunda geração da tecnologia Foveros implementada em produtos de clientes. Este produto possui um espaçamento entre os contatos de 36 mícrons, diferentes chips podem ser baseados em múltiplos nós de processo e a faixa de potência de projeto térmico é de 5 a 125 W.

● O Foveros Omni inaugura a próxima geração da tecnologia Foveros, proporcionando flexibilidade ilimitada para interconexão entre chips e design modular por meio de tecnologia de empilhamento 3D de alto desempenho.O Foveros Omni permite a desmontagem de chips para combinar e misturar vários wafers superiores com múltiplos substratos baseados em diferentes nós de processo de fabricação. Espera-se que seja utilizado em produtos de produção em massa em 2023.

● O Foveros Direct possibilita a transição para a ligação direta cobre-cobre, o que permite interconexões de baixa resistência e torna a linha divisória entre os dois processos menos nítida, desde a fabricação do wafer até a embalagem.A tecnologia Foveros Direct alcança espaçamento entre bumps inferior a 10 mícrons, aumentando a densidade de interconexões em estruturas 3D em uma ordem de magnitude e propondo novos conceitos para particionamento funcional de chips, algo antes inatingível. A Foveros Direct complementa a Foveros Omni e sua utilização em produtos de produção em massa está prevista para 2023.

As tecnologias inovadoras discutidas hoje são desenvolvidas principalmente nas instalações da Intel no Oregon e no Arizona, consolidando a posição da Intel como a única líder nos EUA com capacidade tanto de P&D quanto de fabricação de chips. Além disso, essas inovações se beneficiam da estreita colaboração com um ecossistema de parceiros americanos e europeus. Parcerias sólidas são essenciais para levar inovações fundamentais da pesquisa em laboratório à produção em massa, e a Intel está comprometida em trabalhar com governos em todo o mundo para fortalecer as cadeias de suprimentos e promover a segurança econômica e nacional.

Ao final da conferência online, a Intel anunciou a realização da "Intel Innovation Summit" e divulgou mais detalhes relevantes. A "Intel Innovation Summit" acontecerá presencialmente e online em São Francisco, de 27 a 28 de outubro de 2021.

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