● 英特爾的製程技術和封裝技術創新路線圖為從現在到 2025 年及以後的下一代產品注入了強大的動力。

● 兩項突破性製程技術：英特爾十多年來推出的首個新型電晶體架構 RibbonFET，以及業界首個背面電源傳輸網路 PowerVia。

● 隨著英特爾進入半導體埃格斯特朗時代，更新後的節點命名系統將創建一個一致的框架，以幫助客戶和產業更準確地了解製程節點的演變。

● 英特爾晶圓代工服務（IFS）發展勢頭強勁，首次公佈了合作客戶名單。

2021年7月27日，英特爾執行長帕特·蓋辛格在「英特爾加速創新：工藝技術和封裝技術線上會議」上發表了演講。在這次線上會議上，英特爾提出了未來製程技術和封裝技術的發展路線圖。 （圖片來源：英特爾）

英特爾公司今日發布了迄今為止最詳盡的工藝和封裝技術路線圖，展示了一系列底層技術創新，這些創新將持續推動公司從現在到2025年及以後的新產品開發。除了發布十多年來的首個全新晶體管架構RibbonFET和業界首個全新背面供電網絡PowerVia之外，英特爾還重點介紹了其快速採用下一代極紫外光刻（EUV）技術，即高數值孔徑（High-NA）EUV的計劃。英特爾有望成為業界首家獲得High-NA EUV光刻機的公司。

憑藉英特爾在先進封裝領域無可爭議的領先地位，我們正在加速推進製程創新路線圖，以確保到 2025 年，製程效能再次引領業界。英特爾將利用其對持續創新的不懈追求，從晶體管到系統層面不斷推進技術進步。在元素週期表被窮盡之前，我們將繼續遵循摩爾定律，並持續利用矽的神奇力量推動創新。

——派特·基辛格

英特爾公司首席執行官

業界早已意識到，自 1997 年以來，傳統的基於奈米的製程節點命名方式已不再與電晶體的實際閘極長度相對應。今天，英特爾推出了一套全新的製程節點命名系統，旨在創建一個清晰一致的框架，幫助客戶更準確地了解整個產業製程節點的演進。隨著英特爾晶圓代工服務 (IFS) 的推出，為客戶提供清晰的資訊比以往任何時候都更加重要。蓋爾辛格表示：「今天發布的創新技術不僅有助於英特爾規劃產品路線圖，對我們的晶圓代工服務客戶也至關重要。業界對英特爾晶圓代工服務 (IFS) 表現出濃厚的興趣，今天我很高興地宣布，我們已與兩家重要客戶達成了首批合作。英特爾晶帆代工服務已很揚帆起航工服務！

英特爾技術專家詳細介紹了以下路線圖，其中包括新的節點命名規則和支援每個製程節點的創新技術：

● 基於 FinFET 電晶體優化，與 Intel 10nm SuperFin 相比，Intel 7 的每瓦性能將提高約 10%-15%。2021 年推出的 Alder Lake 用戶端產品將採用英特爾 7 工藝，隨後是面向資料中心的 Sapphire Rapids 工藝，預計將於 2022 年第一季投入生產。

● 英特爾4完全採用了EUV光刻技術，可以使用超短波長的光來雕刻極小的圖案。英特爾第四代處理器每瓦效能提升約 20%，晶片面積也有所改進，將於 2022 年下半年投產，2023 年出貨。這些產品包括面向客戶端的 Meteor Lake 和麵向資料中心的 Granite Rapids。

● 隨著 FinFET 技術的進一步優化和 EUV 技術在更多製程的應用，英特爾 3 處理器的每瓦效能將比英特爾 4 處理器提高約 18%，晶片面積也將進一步改進。從 2023 年下半年開始，Intel 3 將用於相關產品的生產。

● 英特爾 20A 將以 RibbonFET 和 PowerVia 這兩項突破性技術開啟 Amy 時代。RibbonFET是英特爾實現的全環柵極電晶體（GEAT）技術，也是該公司自2011年率先推出FinFET技術以來推出的首個全新電晶體架構。該技術在實現與多鰭結構相同驅動電流的同時，加快了晶體管開關速度，並佔用更小的空間。 PowerVia是英特爾獨有的業界首創背面電源傳輸網絡，它無需在晶圓上進行正面電源佈線，從而優化了訊號傳輸。英特爾20A預計2024年發售。英特爾也很高興與高通在英特爾 20A 製程技術方面展開合作。

● 2025 年及以後：英特爾 18A 節點是英特爾 20A 節點的升級版，目前也在研發中，將於 2025 年初發布。它將改進 RibbonFET 技術，並在晶體管性能方面實現另一個重大飛躍。英特爾致力於定義、建構和部署新一代高數值孔徑極紫外光刻技術，並有望率先獲得業界首台高數值孔徑極紫外光刻機。英特爾正與ASML緊密合作，以確保這項突破性技術在當前極紫外光微影技術之後也能取得成功。

英特爾高級副總裁兼技術開發總經理安·凱勒赫博士表示：「英特爾在製程技術方面擁有悠久的創新歷史，推動了業界的飛躍發展。我們引領了從90奈米應變矽到45奈米高介電常數金屬閘極的過渡，並率先推出了22奈米FinFET製程。憑藉著這兩項技術的突破性RibbonFET製化技術又成為一個突破性技術領域，這兩個突破性技術

英特爾公司資深副總裁暨技術開發總經理安‧凱勒赫博士

隨著英特爾新的 IDM 2.0 策略的實施，封裝對於實現摩爾定律的優勢變得更加重要。英特爾宣布，AWS 將成為首個使用英特爾晶圓代工服務 (IFS) 封裝解決方案的客戶。英特爾業界領先的先進封裝技術路線圖提出：

● EMIB 將繼續引領業界，成為首個 2.5D 嵌入式橋接解決方案，英特爾自 2017 年以來一直在出貨 EMIB 產品。Sapphire Rapids 將成為首款採用 EMIB（嵌入式多晶片互連橋）技術的英特爾晶片，並實現批量出貨。^®Xeon^®數據中心產品。它也將成為業內首款性能幾乎與單片設計相當，但整合兩種掩模尺寸的產品。繼藍寶石 Rapids 之後，下一代 EMIB 的凸點間距將從 55 微米縮短至 45 微米。

● Foveros 利用晶圓級封裝技術，提供了首個 3D 堆疊解決方案。Meteor Lake是Foveros技術在客戶端產品中的第二代部署版本。本產品採用36微米的凸點間距，不同晶片可基於多種製程節點，熱設計功耗範圍為5-125W。

● Foveros Omni 開創了 Foveros 技術的下一代，透過高效能 3D 堆疊技術，為晶片間互連和模組化設計提供了無限的靈活性。Foveros Omni 允許晶片拆解，從而可以根據不同的晶圓製程節點，將多個頂層晶圓與多個基板進行混合搭配。預計 2023 年應用於量產產品。

● Foveros Direct 實現了直接銅對銅鍵合，從而實現了低電阻互連，並使晶圓製造到封裝之間的界限變得不那麼清晰。Foveros Direct 實現了小於 10 微米的凸點間距，將 3D 堆疊互連密度提高了一個數量級，並提出了以前無法實現的晶片功能分區新概念。 Foveros Direct 是 Foveros Omni 的補充，預計將於 2023 年應用於量產產品。

今天討論的突破性技術主要由英特爾位於俄勒岡州和亞利桑那州的工廠研發，這鞏固了英特爾作為美國唯一一家同時擁有晶片研發和製造能力的領先企業的地位。此外，這些創新也得益於與美國和歐洲合作夥伴生態系統的緊密協作。深度合作是推動基礎創新從實驗室研究走向大規模生產的關鍵，英特爾致力於與世界各國政府合作，加強供應鏈，促進經濟和國家安全。

在本次線上會議結束時，英特爾宣布將舉辦“英特爾創新高峰會”，並公佈了更多相關細節。 「英特爾創新高峰會」將於2021年10月27日至28日在舊金山以線上線下結合的方式舉行。

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