● Дорожная карта инноваций Intel в области технологических процессов и технологий упаковки обеспечивает мощный импульс для следующего поколения продуктов в период с настоящего момента до 2025 года и далее.

● Две прорывные технологические разработки: первая за более чем десятилетие новая архитектура транзисторов Intel, RibbonFET, и первая в отрасли сеть передачи питания с обратной стороны, PowerVia.

● Вступая в эру полупроводниковых ангстремов, Intel внедряет обновленную систему наименования технологических узлов, которая создаст согласованную основу для того, чтобы помочь клиентам и отрасли более точно понимать эволюцию технологических узлов.

● Компания Intel Foundry Services (IFS) демонстрирует уверенный рост и впервые объявила список своих клиентов, с которыми сотрудничает.

27 июля 2021 года генеральный директор Intel Пэт Гелсингер выступил с речью на онлайн-конференции «Intel Accelerating Innovation: Process Technology and Packaging Technology». На этой онлайн-конференции Intel предложила дорожную карту развития будущих технологических процессов и технологий упаковки. (Источник изображения: Intel)

Сегодня корпорация Intel объявила о самой подробной за всю историю компании дорожной карте развития технологических процессов и упаковки, демонстрирующей ряд фундаментальных технологических инноваций, которые будут и дальше стимулировать разработку новых продуктов до 2025 года и далее. Помимо презентации своей первой за более чем десятилетие новой архитектуры транзисторов, RibbonFET, и первой в отрасли новой сети питания с обратной стороны, PowerVia, Intel также подчеркнула планы по быстрому внедрению следующего поколения технологии экстремальной ультрафиолетовой литографии (EUV), а именно EUV с высокой числовой апертурой (High-NA). Ожидается, что Intel первой получит в отрасли установку для EUV-литографии с высокой числовой апертурой.

Опираясь на бесспорное лидерство Intel в области передовых технологий упаковки, мы ускоряем реализацию нашей дорожной карты по инновациям в технологических процессах, чтобы к 2025 году вновь обеспечить лидирующие позиции в отрасли по производительности технологических процессов. Intel использует наше беспрецедентное стремление к непрерывным инновациям для внедрения технологических достижений на всех уровнях, от транзисторов до систем. Пока не будет исчерпан весь период существования кристаллической решетки, мы будем продолжать следовать закону Мура и использовать волшебную силу кремния для продвижения инноваций.

— Пэт Киссинджер

генеральный директор корпорации Intel

В отрасли давно осознали, что с 1997 года традиционный метод именования технологических узлов на основе нанометров больше не соответствует фактической длине затвора транзистора. Сегодня Intel представила новую систему именования своих технологических узлов, создав четкую и последовательную структуру, которая поможет клиентам более точно понимать эволюцию технологических узлов в отрасли. С запуском Intel Foundry Services (IFS) обеспечение ясности для клиентов становится важнее, чем когда-либо. Гельсингер сказал: «Инновационные технологии, анонсированные сегодня, не только помогают Intel планировать свою дорожную карту продуктов, но и имеют решающее значение для наших клиентов, пользующихся услугами литейного производства. Intel Foundry Services (IFS) вызывает большой интерес в отрасли, и сегодня я рад, что мы объявили о двух важных клиентах для нашего первого сотрудничества. Intel Foundry Services начала свою работу!»

Технические эксперты Intel подробно изложили следующую дорожную карту, которая включает в себя новую номенклатуру технологических узлов и инновационные технологии, обеспечивающие работу каждого технологического процесса:

● Благодаря оптимизации транзисторов FinFET, процессоры Intel 7 обеспечат повышение производительности на ватт примерно на 10-15% по сравнению с Intel 10-нм SuperFin.В клиентских продуктах на базе процессоров Alder Lake, запуск которых запланирован на 2021 год, будет использоваться техпроцесс Intel 7, а затем, для центров обработки данных, будет запущена в производство технология Sapphire Rapids в первом квартале 2022 года.

● В Intel 4 полностью используется технология EUV-литографии, которая позволяет применять свет со сверхкороткой длиной волны для гравировки чрезвычайно мелких узоров.Благодаря примерно 20-процентному увеличению производительности на ватт и улучшению площади кристалла, процессоры Intel 4 поступят в производство во второй половине 2022 года, а поставки начнутся в 2023 году. В число этих продуктов входят Meteor Lake для клиентских устройств и Granite Rapids для центров обработки данных.

● Благодаря дальнейшей оптимизации FinFET и расширенному использованию EUV в большем количестве технологических процессов, Intel 3 обеспечит повышение производительности на ватт примерно на 18% по сравнению с Intel 4, а также будут достигнуты дополнительные улучшения в площади кристалла.Процессоры Intel 3 начнут использоваться в производстве соответствующей продукции во второй половине 2023 года.

● Серия Intel 20A положит начало эре Amy благодаря двум прорывным технологиям: RibbonFET и PowerVia.RibbonFET — это реализация Intel технологии Gate All Around (Gate All Around) и первая новая архитектура транзисторов компании с момента появления FinFET в 2011 году. Технология ускоряет переключение транзисторов, обеспечивая тот же ток управления, что и многослойные структуры, но занимая меньше места. PowerVia — это уникальная, первая в отрасли сеть передачи питания с обратной стороны от Intel, которая оптимизирует передачу сигнала, устраняя необходимость в проводке питания с лицевой стороны на кремниевой пластине. Выпуск Intel 20A ожидается в 2024 году.Компания Intel также рада сотрудничать с Qualcomm в области технологического процесса Intel 20A.

● 2025 год и далее: Также ведётся разработка техпроцесса Intel 18A, который является шагом вперёд по сравнению с Intel 20A и будет запущен в начале 2025 года. Он улучшит технологию RibbonFET и обеспечит ещё один значительный скачок в производительности транзисторов.Intel также стремится к разработке, созданию и внедрению следующего поколения технологий EUV с высокой числовой апертурой (High-NA EUV) и, как ожидается, первой получит в отрасли установку для литографии с высокой числовой апертурой. Intel тесно сотрудничает с ASML, чтобы обеспечить успех этой революционной технологии за пределами текущего поколения EUV.

Доктор Энн Келлехер, старший вице-президент и генеральный директор по разработке технологий в Intel, заявила: «У Intel долгая история фундаментальных инноваций в технологическом процессе, которые привели к прорывам в отрасли. Мы возглавили переход от 90-нм кремния с деформированными электродами к 45-нм металлическим затворам с высоким значением диэлектрической проницаемости и первыми внедрили FinFET на 22-нм техпроцессе. Благодаря двум революционным технологиям, RibbonFET и PowerVia, Intel 20A станет еще одним поворотным моментом в технологическом процессе».

Доктор Энн Келлехер, старший вице-президент и генеральный директор по разработке технологий в компании Intel.

С внедрением новой стратегии Intel IDM 2.0, упаковка приобретает еще большее значение для реализации преимуществ закона Мура.Компания Intel объявила, что AWS станет первым клиентом, использующим решения для упаковки продукции от Intel Foundry Services (IFS).В рамках ведущей в отрасли стратегии Intel по развитию передовых технологий упаковки предлагаются следующие решения:

● EMIB продолжит лидировать в отрасли как первое решение для встраиваемых 2.5D-модулей, и Intel поставляет продукцию EMIB с 2017 года.Sapphire Rapids станет первым продуктом Intel, который внедрит технологию EMIB (Embedded Multi-die Interconnect Bridge) для серийного производства.^®Xeon^®Продукты для центров обработки данных. Это также будет первый в отрасли продукт, предлагающий практически такую ​​же производительность, как монолитная конструкция, но с интеграцией двух размеров масок. Вслед за Sapphire Rapids, шаг контактов в следующем поколении EMIB будет сокращен с 55 микрон до 45 микрон.

● Компания Foveros использует возможности упаковки на уровне пластин для создания первого в мире решения для 3D-стекирования.Meteor Lake — это второе поколение технологии Foveros, используемой в клиентских продуктах. Данный продукт имеет шаг контактных площадок 36 микрон, может быть основан на нескольких технологических процессах, а диапазон расчетной тепловой мощности составляет 5–125 Вт.

● Технология Foveros Omni является пионером в разработке следующего поколения технологий Foveros, обеспечивая неограниченную гибкость для межкристальных соединений и модульного проектирования благодаря высокопроизводительной технологии 3D-стекирования.Технология Foveros Omni позволяет осуществлять разборку кристаллов для комбинирования нескольких верхних пластин с различными подложками в зависимости от технологических процессов производства пластин. Ожидается, что она будет использоваться в серийном производстве в 2023 году.

● Технология Foveros Direct позволяет перейти к прямой медной сварке, что обеспечивает низкоомные межсоединения и делает границу между ними менее заметной на всех этапах — от изготовления пластин до упаковки.Технология Foveros Direct позволяет достичь шага контактных площадок менее 10 микрон, увеличивая плотность межсоединений в 3D-структурах на порядок и предлагая новые концепции функционального разделения кристалла, которые ранее были недостижимы. Foveros Direct дополняет технологию Foveros Omni и, как ожидается, будет использоваться в серийном производстве в 2023 году.

Сегодня обсуждаются прорывные технологии, разработанные преимущественно на предприятиях Intel в Орегоне и Аризоне, что укрепляет позиции Intel как единственного американского лидера, обладающего как возможностями в области исследований и разработок микросхем, так и производственными мощностями. Кроме того, эти инновации выигрывают от тесного сотрудничества с экосистемой американских и европейских партнеров. Тесное партнерство является ключом к переходу фундаментальных инноваций от лабораторных исследований к массовому производству, и Intel стремится сотрудничать с правительствами по всему миру для укрепления цепочек поставок и повышения экономической и национальной безопасности.

В конце онлайн-конференции Intel объявила о проведении саммита «Intel Innovation» и предоставила более подробную информацию. Саммит «Intel Innovation» пройдет в очном и онлайн-формате в Сан-Франциско с 27 по 28 октября 2021 года.

Отказ от ответственности: Данная статья воспроизведена из «ZhiIN». Эта статья отражает только личное мнение автора и не представляет точку зрения Sacco Micro и отрасли в целом. Перепечатка и распространение разрешены только в целях защиты прав интеллектуальной собственности. Пожалуйста, указывайте первоисточник и автора при перепечатке. В случае нарушения авторских прав, пожалуйста, свяжитесь с нами для удаления публикации.

Номер телефона компании: +86-0755-83044319
Факс: +86-0755-83975897
Почта: 1615456225@qq.com
QQ: 3518641314 Менеджер Ли

QQ: 332496225 Менеджер Цю

Адрес: Комната 809, корпус C, технологический корпус Чжаньтао, проспект Миньчжи, 1079, новый район Лунхуа, Шэньчжэнь.